MOSFET ର କାର୍ଯ୍ୟଗୁଡ଼ିକ କ’ଣ?

MOSFET ର ଦୁଇଟି ମୁଖ୍ୟ ପ୍ରକାର ଅଛି: ବିଭାଜିତ ଜଙ୍କସନ ପ୍ରକାର ଏବଂ ଇନସୁଲେଟେଡ୍ ଗେଟ୍ ପ୍ରକାର | ଜଙ୍କସନ MOSFET (JFET) ନାମିତ ହୋଇଛି କାରଣ ଏହାର ଦୁଇଟି PN ଜଙ୍କସନ ଅଛି, ଏବଂ ଇନସୁଲେଟେଡ୍ ଗେଟ୍ |MOSFET(JGFET) ନାମିତ ହୋଇଛି କାରଣ ଗେଟ୍ ଅନ୍ୟ ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋଡରୁ ସଂପୂର୍ଣ୍ଣ ଇନସୁଲେଟ୍ ହୋଇଛି | ବର୍ତ୍ତମାନ, ଇନସୁଲେଟେଡ୍ ଗେଟ୍ MOSFET ଗୁଡିକ ମଧ୍ୟରେ, ସାଧାରଣତ used ବ୍ୟବହୃତ ହେଉଛି MOSFET, ଯାହାକୁ MOSFET (ଧାତୁ-ଅକ୍ସାଇଡ୍-ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର MOSFET) କୁହାଯାଏ | ଏହା ସହିତ, PMOS, NMOS ଏବଂ VMOS ଶକ୍ତି MOSFET ଗୁଡିକ, ଏବଂ ନିକଟରେ ଆରମ୍ଭ ହୋଇଥିବା πMOS ଏବଂ VMOS ଶକ୍ତି ମଡ୍ୟୁଲ୍ ଇତ୍ୟାଦି ଅଛି |

 

ବିଭିନ୍ନ ଚ୍ୟାନେଲ ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ସାମଗ୍ରୀ ଅନୁଯାୟୀ, ଜଙ୍କସନ ପ୍ରକାର ଏବଂ ଇନସୁଲେଟିଂ ଗେଟ୍ ପ୍ରକାର ଚ୍ୟାନେଲ ଏବଂ ପି ଚ୍ୟାନେଲରେ ବିଭକ୍ତ | ଯଦି କଣ୍ଡକ୍ଟିଭିଟି ମୋଡ୍ ଅନୁଯାୟୀ ବିଭକ୍ତ ହୁଏ, MOSFET କୁ ହ୍ରାସ ପ୍ରକାର ଏବଂ ବର୍ଦ୍ଧିତ ପ୍ରକାରରେ ବିଭକ୍ତ କରାଯାଇପାରେ | ଜଙ୍କସନ୍ MOSFET ଗୁଡିକ ସମସ୍ତ ହ୍ରାସ ପ୍ରକାର, ଏବଂ ଇନସୁଲେଟେଡ୍ ଗେଟ୍ MOSFET ଗୁଡିକ ଉଭୟ ହ୍ରାସ ପ୍ରକାର ଏବଂ ବର୍ଦ୍ଧିତ ପ୍ରକାର |

ଫିଲ୍ଡ ଇଫେକ୍ଟ ଟ୍ରାନଜିଷ୍ଟରଗୁଡ଼ିକୁ ଜଙ୍କସନ ଫିଲ୍ଡ ଇଫେକ୍ଟ ଟ୍ରାନଜିଷ୍ଟର ଏବଂ MOSFET ରେ ବିଭକ୍ତ କରାଯାଇପାରେ | MOSFET ଗୁଡ଼ିକୁ ଚାରୋଟି ଶ୍ରେଣୀରେ ବିଭକ୍ତ କରାଯାଇଛି: N- ଚ୍ୟାନେଲ ହ୍ରାସ ପ୍ରକାର ଏବଂ ଉନ୍ନତି ପ୍ରକାର; ପି-ଚ୍ୟାନେଲ୍ ହ୍ରାସ ପ୍ରକାର ଏବଂ ଉନ୍ନତି ପ୍ରକାର |

 

MOSFET ର ଗୁଣ |

ଏକ MOSFET ର ବ istic ଶିଷ୍ଟ୍ୟ ହେଉଛି ଦକ୍ଷିଣ ଗେଟ୍ ଭୋଲଟେଜ୍ UG; ଯାହା ଏହାର ଡ୍ରେନ୍ ସାମ୍ପ୍ରତିକ ID କୁ ନିୟନ୍ତ୍ରଣ କରେ | ସାଧାରଣ ଦ୍ୱିପାକ୍ଷିକ ଟ୍ରାନଜିଷ୍ଟର୍ ତୁଳନାରେ, MOSFET ଗୁଡ଼ିକରେ ଉଚ୍ଚ ଇନପୁଟ୍ ପ୍ରତିରୋଧ, କମ୍ ଶବ୍ଦ, ବୃହତ ଗତିଶୀଳ ପରିସର, ସ୍ୱଳ୍ପ ଶକ୍ତି ବ୍ୟବହାର ଏବଂ ସହଜ ଏକୀକରଣର ଗୁଣ ରହିଛି |

 

ଯେତେବେଳେ ନେଗେଟିଭ୍ ବାୟାସ୍ ଭୋଲଟେଜ୍ (-UG) ର ସଂପୂର୍ଣ୍ଣ ମୂଲ୍ୟ ବ increases େ, ହ୍ରାସ ସ୍ତର ବ increases େ, ଚ୍ୟାନେଲ୍ କମିଯାଏ ଏବଂ ଡ୍ରେନ୍ କରେଣ୍ଟ୍ ଆଇଡି କମିଯାଏ | ଯେତେବେଳେ ନେଗେଟିଭ୍ ବେସ୍ ଭୋଲଟେଜ୍ (-UG) ର ସଂପୂର୍ଣ୍ଣ ମୂଲ୍ୟ ହ୍ରାସ ହୁଏ, ହ୍ରାସ ସ୍ତର କମିଯାଏ, ଚ୍ୟାନେଲ୍ ବ increases ିଯାଏ ଏବଂ ଡ୍ରେନ୍ କରେଣ୍ଟ୍ ଆଇଡି ବ increases ିଯାଏ | ଏହା ଦେଖାଯାଇପାରେ ଯେ ଡ୍ରେନ୍ କରେଣ୍ଟ୍ ଆଇଡି ଗେଟ୍ ଭୋଲଟେଜ୍ ଦ୍ୱାରା ନିୟନ୍ତ୍ରିତ ହୋଇଥାଏ, ତେଣୁ MOSFET ହେଉଛି ଏକ ଭୋଲଟେଜ୍ ନିୟନ୍ତ୍ରିତ ଉପକରଣ, ଅର୍ଥାତ୍ ଇନପୁଟ୍ ଭୋଲଟେଜ୍ ପରିବର୍ତ୍ତନ ଦ୍ୱାରା ଆଉଟପୁଟ୍ କରେଣ୍ଟ୍ର ପରିବର୍ତ୍ତନ ନିୟନ୍ତ୍ରିତ ହୋଇଥାଏ, ଯାହାଫଳରେ ବୃଦ୍ଧି ଏବଂ ଅନ୍ୟାନ୍ୟ ଉଦ୍ଦେଶ୍ୟ |

 

ଦ୍ୱିପାକ୍ଷିକ ଟ୍ରାନଜିଷ୍ଟର ପରି, ଯେତେବେଳେ MOSFET ସର୍କିଟ୍ରେ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ ଯେପରିକି ଆମ୍ପ୍ଲାଇଫେସନ୍, ଏହାର ଫାଟକରେ ଏକ ଦ୍ୱିପାକ୍ଷିକ ଭୋଲଟେଜ୍ ମଧ୍ୟ ଯୋଡାଯିବା ଉଚିତ |

ଜଙ୍କସନ୍ ଫିଲ୍ଡ ଇଫେକ୍ଟ ଟ୍ୟୁବ୍ ର ଗେଟ୍ ଏକ ଓଲଟା ବାଇଜ୍ ଭୋଲଟେଜ୍ ସହିତ ପ୍ରୟୋଗ କରାଯିବା ଉଚିତ, ଅର୍ଥାତ୍ N- ଚ୍ୟାନେଲ୍ ଟ୍ୟୁବ୍ ଉପରେ ଏକ ନକାରାତ୍ମକ ଗେଟ୍ ଭୋଲଟେଜ୍ ପ୍ରୟୋଗ କରାଯିବା ଉଚିତ ଏବଂ P- ଚ୍ୟାନେଲ ଟ୍ୟୁବରେ ଏକ ପଜିଟିଭ ଗେଟ୍ କ୍ଲା ପ୍ରୟୋଗ କରାଯିବା ଉଚିତ | ସଶକ୍ତ ଇନସୁଲେଟେଡ୍ ଗେଟ୍ MOSFET ଅଗ୍ରଗାମୀ ଗେଟ୍ ଭୋଲଟେଜ୍ ପ୍ରୟୋଗ କରିବା ଉଚିତ୍ | ଏକ ହ୍ରାସ-ମୋଡ୍ ଇନସୁଲେଟିଂ MOSFET ର ଗେଟ୍ ଭୋଲଟେଜ୍ ସକରାତ୍ମକ, ନକାରାତ୍ମକ କିମ୍ବା “0” ହୋଇପାରେ | ପକ୍ଷପାତ ଯୋଡିବାର ପଦ୍ଧତିଗୁଡ଼ିକରେ ସ୍ଥିର ପକ୍ଷପାତ ପଦ୍ଧତି, ସ୍ୱ-ଯୋଗାଣ ପଦ୍ଧତି ପଦ୍ଧତି, ପ୍ରତ୍ୟକ୍ଷ ଯୋଡି ପଦ୍ଧତି ଇତ୍ୟାଦି ଅନ୍ତର୍ଭୁକ୍ତ |

MOSFETଡିସି ପାରାମିଟର, ଏସି ପାରାମିଟର ଏବଂ ସୀମା ପାରାମିଟର ଅନ୍ତର୍ଭୂକ୍ତ କରି ଅନେକ ପାରାମିଟର ଅଛି, କିନ୍ତୁ ସାଧାରଣ ବ୍ୟବହାରରେ, ଆପଣଙ୍କୁ କେବଳ ନିମ୍ନଲିଖିତ ମୁଖ୍ୟ ପାରାମିଟରଗୁଡିକ ପ୍ରତି ଧ୍ୟାନ ଦେବାକୁ ପଡିବ: ସାଚୁରେଟେଡ୍ ଡ୍ରେନ୍-ଉତ୍ସ କରେଣ୍ଟ୍ IDSS ପିଚ୍ ଅଫ୍ ଭୋଲଟେଜ୍ ଅପ୍, (ଜଙ୍କସନ୍ ଟ୍ୟୁବ୍ ଏବଂ ହ୍ରାସ ମୋଡ୍ ଇନସୁଲେଡ୍ | ଗେଟ୍ ଟ୍ୟୁବ୍, କିମ୍ବା ଟର୍ନ୍ ଅନ୍ ଭୋଲଟେଜ୍ UT (ସଶକ୍ତ ଇନସୁଲେଟେଡ୍ ଗେଟ୍ ଟ୍ୟୁବ୍), ଟ୍ରାନ୍ସକଣ୍ଡକ୍ଟାନ୍ସ ଜିଏମ୍, ଡ୍ରେନ୍-ଉତ୍ସ ବ୍ରେକଡାଉନ୍ ଭୋଲଟେଜ୍ BUDS, ସର୍ବାଧିକ ବିଦ୍ୟୁତ୍ ବିସ୍ତାର PDSM ଏବଂ ସର୍ବାଧିକ ଡ୍ରେନ୍-ଉତ୍ସ କରେଣ୍ଟ୍ IDSM |

(1) ସନ୍ତୁଳିତ ଡ୍ରେନ୍-ଉତ୍ସ କରେଣ୍ଟ୍ |

ସଂପୃକ୍ତ ଡ୍ରେନ୍-ଉତ୍ସ କରେଣ୍ଟ୍ IDSS ଡ୍ରେନ୍-ଉତ୍ସ କରେଣ୍ଟକୁ ବୁ refers ାଏ ଯେତେବେଳେ ଗେଟ୍ ଭୋଲଟେଜ୍ UGS = 0 ଏକ ଜଙ୍କସନ୍ କିମ୍ବା ହ୍ରାସ ଇନସୁଲେଟେଡ୍ ଗେଟ୍ MOSFET ରେ |

(୨) ପିଚ୍ ଅଫ୍ ଭୋଲଟେଜ୍ |

ପିଚ୍ ଅଫ୍ ଭୋଲଟେଜ୍ ୟୁପି ଗେଟ୍ ଭୋଲଟେଜ୍ କୁ ବୁ refers ାଏ ଯେତେବେଳେ ଡ୍ରେନ୍-ଉତ୍ସ ସଂଯୋଗ କେବଳ ଏକ ଜଙ୍କସନ୍ କିମ୍ବା ହ୍ରାସ-ପ୍ରକାର ଇନସୁଲେଟେଡ୍ ଗେଟ୍ MOSFET ରେ କଟିଯାଏ | N- ଚ୍ୟାନେଲ୍ ଟ୍ୟୁବ୍ ର UGS-ID ବକ୍ର ପାଇଁ 4-25 ରେ ଦେଖାଯାଇଥିବା ପରି, IDSS ଏବଂ UP ର ଅର୍ଥ ସ୍ପଷ୍ଟ ଭାବରେ ଦେଖାଯାଇପାରେ |

(3) ଟର୍ନ୍ ଅନ୍ ଭୋଲଟେଜ୍ |

ଟର୍ନ୍ ଅନ୍ ଭୋଲଟେଜ୍ UT ଗେଟ୍ ଭୋଲଟେଜ୍ କୁ ବୁ refers ାଏ ଯେତେବେଳେ ଡ୍ରେନ୍-ଉତ୍ସ ସଂଯୋଗ କେବଳ ସଶକ୍ତ ଇନସୁଲେଟେଡ୍ ଗେଟ୍ MOSFET ରେ ତିଆରି ହୁଏ | ଚିତ୍ର 4-27 N- ଚ୍ୟାନେଲ ଟ୍ୟୁବ୍ ର UGS-ID ବକ୍ରକୁ ଦର୍ଶାଏ, ଏବଂ UT ର ଅର୍ଥ ସ୍ପଷ୍ଟ ଭାବରେ ଦେଖାଯାଏ |

(4) ଟ୍ରାନ୍ସକଣ୍ଡକ୍ଟାନ୍ସ |

ଟ୍ରାନ୍ସକଣ୍ଡକ୍ଟାନ୍ସ ଜିଏମ୍ ଡ୍ରେନ୍ କରେଣ୍ଟ୍ ID କୁ ନିୟନ୍ତ୍ରଣ କରିବା ପାଇଁ ଗେଟ୍-ଉତ୍ସ ଭୋଲଟେଜ୍ UGS ର କ୍ଷମତାକୁ ପ୍ରତିପାଦିତ କରେ, ଅର୍ଥାତ୍ ଡ୍ରେନ୍ କରେଣ୍ଟ୍ ଆଇଡିରେ ପରିବର୍ତ୍ତନର ଅନୁପାତ ଗେଟ୍-ଉତ୍ସ ଭୋଲଟେଜ୍ UGS ର ପରିବର୍ତ୍ତନ ସହିତ | 9m ର ବର୍ଦ୍ଧିତ କ୍ଷମତା ମାପିବା ପାଇଁ ଏକ ଗୁରୁତ୍ୱପୂର୍ଣ୍ଣ ପାରାମିଟର |MOSFET.

(5) ଡ୍ରେନ୍-ଉତ୍ସ ବ୍ରେକଡାଉନ୍ ଭୋଲଟେଜ୍ |

ଡ୍ରେନ୍-ଉତ୍ସ ବ୍ରେକଡାଉନ୍ ଭୋଲଟେଜ୍ BUDS ସର୍ବାଧିକ ଡ୍ରେନ୍-ଉତ୍ସ ଭୋଲଟେଜ୍ କୁ ବୁ refers ାଏ ଯାହା ଗେଟ୍-ଉତ୍ସ ଭୋଲଟେଜ୍ UGS ସ୍ଥିର ଥିବାବେଳେ MOSFET ଗ୍ରହଣ କରିପାରିବ | ଏହା ଏକ ସୀମିତ ପାରାମିଟର, ଏବଂ MOSFET ରେ ପ୍ରୟୋଗ ହୋଇଥିବା ଅପରେଟିଂ ଭୋଲଟେଜ୍ BUDS ଠାରୁ କମ୍ ହେବା ଜରୁରୀ |

(6) ସର୍ବାଧିକ ଶକ୍ତି ବିସ୍ତାର |

ସର୍ବାଧିକ ଶକ୍ତି ବିସର୍ଜନ PDSM ମଧ୍ୟ ଏକ ସୀମା ପାରାମିଟର ଅଟେ, ଯାହାକି MOSFET କାର୍ଯ୍ୟଦକ୍ଷତାକୁ ଖରାପ ନକରି ଅନୁମତି ପ୍ରାପ୍ତ ସର୍ବାଧିକ ଡ୍ରେନ୍-ଉତ୍ସ ଶକ୍ତି ବିସ୍ତାରକୁ ସୂଚିତ କରେ | ଯେତେବେଳେ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ, MOSFET ର ପ୍ରକୃତ ଶକ୍ତି ବ୍ୟବହାର PDSM ଠାରୁ କମ୍ ହେବା ଉଚିତ ଏବଂ ଏକ ନିର୍ଦ୍ଦିଷ୍ଟ ମାର୍ଜିନ୍ ଛାଡିବା |

(7) ସର୍ବାଧିକ ଡ୍ରେନ୍-ଉତ୍ସ କରେଣ୍ଟ୍ |

ସର୍ବାଧିକ ଡ୍ରେନ୍-ଉତ୍ସ କରେଣ୍ଟ୍ IDSM ହେଉଛି ଅନ୍ୟ ଏକ ସୀମା ପାରାମିଟର, ଯାହା MOSFET ସାଧାରଣ ଭାବରେ ଚାଲୁଥିବାବେଳେ ଡ୍ରେନ୍ ଏବଂ ଉତ୍ସ ମଧ୍ୟରେ ଯିବାକୁ ଅନୁମତି ପ୍ରାପ୍ତ ସର୍ବାଧିକ କରେଣ୍ଟକୁ ସୂଚିତ କରେ | MOSFET ର ଅପରେଟିଂ କରେଣ୍ଟ୍ IDSM ଅତିକ୍ରମ କରିବା ଉଚିତ୍ ନୁହେଁ |

1। MOSFET ବିସ୍ତାର ପାଇଁ ବ୍ୟବହୃତ ହୋଇପାରେ | ଯେହେତୁ MOSFET ଏମ୍ପ୍ଲିଫାୟର୍ ର ଇନପୁଟ୍ ପ୍ରତିରୋଧ ବହୁତ ଅଧିକ, କପଲିଂ କ୍ୟାପେସିଟର ଛୋଟ ହୋଇପାରେ ଏବଂ ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋଲାଇଟିକ୍ କ୍ୟାପେସିଟର ବ୍ୟବହାର କରିବାକୁ ପଡିବ ନାହିଁ |

2। MOSFET ର ଉଚ୍ଚ ଇନପୁଟ୍ ପ୍ରତିରୋଧ ପ୍ରତିରୋଧ ପ୍ରତିରୋଧ ପାଇଁ ଅତ୍ୟନ୍ତ ଉପଯୁକ୍ତ | ମଲ୍ଟି-ଷ୍ଟେଜ୍ ଏମ୍ପ୍ଲିଫାୟର୍ସର ଇନପୁଟ୍ ପର୍ଯ୍ୟାୟରେ ଏହା ପ୍ରାୟତ imp ପ୍ରତିରୋଧ ପରିବର୍ତ୍ତନ ପାଇଁ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ |

3। MOSFET ଏକ ପରିବର୍ତ୍ତନଶୀଳ ପ୍ରତିରୋଧକ ଭାବରେ ବ୍ୟବହୃତ ହୋଇପାରେ |

4। MOSFET କୁ ଏକ ସ୍ଥିର ସାମ୍ପ୍ରତିକ ଉତ୍ସ ଭାବରେ ସହଜରେ ବ୍ୟବହାର କରାଯାଇପାରିବ |

5। MOSFET କୁ ଏକ ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ ସୁଇଚ୍ ଭାବରେ ବ୍ୟବହାର କରାଯାଇପାରିବ |

 

MOSFET ର ନିମ୍ନ ଆଭ୍ୟନ୍ତରୀଣ ପ୍ରତିରୋଧ, ଉଚ୍ଚ ପ୍ରତିରୋଧକ ଭୋଲଟେଜ୍, ଦ୍ରୁତ ସୁଇଚ୍ ଏବଂ ଉଚ୍ଚ ବାଘ ଶକ୍ତିର ଗୁଣ ରହିଛି | ଡିଜାଇନ୍ ହୋଇଥିବା ସାମ୍ପ୍ରତିକ ସ୍ପାନ୍ ହେଉଛି 1A-200A ଏବଂ ଭୋଲଟେଜ୍ ସ୍ପାନ୍ ହେଉଛି 30V-1200V | ଗ୍ରାହକଙ୍କ ଉତ୍ପାଦ ନିର୍ଭରଯୋଗ୍ୟତା, ସାମଗ୍ରିକ ରୂପାନ୍ତର ଦକ୍ଷତା ଏବଂ ଉତ୍ପାଦ ମୂଲ୍ୟ ପ୍ରତିଦ୍ୱନ୍ଦ୍ୱିତାକୁ ଉନ୍ନତ କରିବା ପାଇଁ ଆମେ ଗ୍ରାହକଙ୍କ ପ୍ରୟୋଗ କ୍ଷେତ୍ର ଏବଂ ପ୍ରୟୋଗ ଯୋଜନା ଅନୁଯାୟୀ ବ electrical ଦୁତିକ ପାରାମିଟରଗୁଡିକ ସଜାଡି ପାରିବା |

 

MOSFET ବନାମ ଟ୍ରାନଜିଷ୍ଟର ତୁଳନା |

(1) MOSFET ହେଉଛି ଏକ ଭୋଲ୍ଟେଜ୍ କଣ୍ଟ୍ରୋଲ୍ ଉପାଦାନ ହୋଇଥିବାବେଳେ ଏକ ଟ୍ରାନଜିଷ୍ଟର ହେଉଛି ଏକ ସାମ୍ପ୍ରତିକ ନିୟନ୍ତ୍ରଣ ଉପାଦାନ | ଯେତେବେଳେ ସଙ୍କେତ ଉତ୍ସରୁ କେବଳ ଅଳ୍ପ ପରିମାଣର କରେଣ୍ଟ ନେବାକୁ ଅନୁମତି ଦିଆଯାଏ, ଏକ MOSFET ବ୍ୟବହାର କରାଯିବା ଉଚିତ; ଯେତେବେଳେ ସିଗନାଲ୍ ଭୋଲଟେଜ୍ କମ୍ ଥାଏ ଏବଂ ସିଗନାଲ୍ ଉତ୍ସରୁ ବହୁ ପରିମାଣର କରେଣ୍ଟ ନେବାକୁ ଅନୁମତି ଦିଆଯାଏ, ଏକ ଟ୍ରାନଜିଷ୍ଟର ବ୍ୟବହାର କରାଯିବା ଉଚିତ |

()) ବିଦ୍ୟୁତ୍ ପରିଚାଳନା ପାଇଁ MOSFET ସଂଖ୍ୟାଧିକ ବାହକ ବ୍ୟବହାର କରେ, ତେଣୁ ଏହାକୁ ଏକ ୟୁନିପୋଲାର୍ ଡିଭାଇସ୍ କୁହାଯାଏ, ଯେତେବେଳେ ବିଦ୍ୟୁତ୍ ପରିଚାଳନା ପାଇଁ ଟ୍ରାନଜିଷ୍ଟରର ଉଭୟ ସଂଖ୍ୟାଲଘୁ ବାହକ ଏବଂ ସଂଖ୍ୟାଲଘୁ ପରିବହନକାରୀ ଥାଆନ୍ତି | ଏହାକୁ ଏକ ଦ୍ୱିପାକ୍ଷିକ ଉପକରଣ କୁହାଯାଏ |

()) କିଛି MOSFET ର ଉତ୍ସ ଏବଂ ଡ୍ରେନ୍ ଅଦଳବଦଳ ଭାବରେ ବ୍ୟବହୃତ ହୋଇପାରେ, ଏବଂ ଗେଟ୍ ଭୋଲଟେଜ୍ ସକରାତ୍ମକ କିମ୍ବା ନକାରାତ୍ମକ ହୋଇପାରେ, ଯାହା ଟ୍ରାନଜିଷ୍ଟର ଅପେକ୍ଷା ଅଧିକ ନମନୀୟ |

(4) MOSFET ବହୁତ ଛୋଟ କରେଣ୍ଟ ଏବଂ ବହୁତ କମ୍ ଭୋଲଟେଜ୍ ଅବସ୍ଥାରେ କାମ କରିପାରିବ ଏବଂ ଏହାର ଉତ୍ପାଦନ ପ୍ରକ୍ରିୟା ସହଜରେ ଅନେକ MOSFET କୁ ଏକ ସିଲିକନ୍ ୱେଫର୍ରେ ଏକତ୍ର କରିପାରିବ | ତେଣୁ, ବଡ଼ ଆକାରର ଇଣ୍ଟିଗ୍ରେଟେଡ୍ ସର୍କିଟ୍ ରେ MOSFET ଗୁଡିକ ବହୁଳ ଭାବରେ ବ୍ୟବହୃତ ହୋଇଛି |

 

MOSFET ର ଗୁଣବତ୍ତା ଏବଂ ପୋଲାରାଇଟି କିପରି ବିଚାର କରିବେ |

ମଲ୍ଟିମିଟରର ପରିସରକୁ RX1K ସହିତ ବାଛ, କଳା ପରୀକ୍ଷଣ ସୀସାକୁ D ପୋଲ ସହିତ ସଂଯୋଗ କର, ଏବଂ ଲାଲ୍ ପରୀକ୍ଷଣକୁ S ପୋଲକୁ ସଂଯୋଗ କର | G ଏବଂ D ପୋଲକୁ ଏକ ସମୟରେ ନିଜ ହାତରେ ସ୍ପର୍ଶ କରନ୍ତୁ | MOSFET ଏକ ତତକ୍ଷଣାତ୍ ଚାଳନା ଅବସ୍ଥାରେ ରହିବା ଉଚିତ, ଅର୍ଥାତ୍ ମିଟର ଛୁଞ୍ଚି ଏକ ଛୋଟ ପ୍ରତିରୋଧ ସହିତ ଏକ ସ୍ଥିତିକୁ ଯାଏ | , ଏବଂ ତାପରେ ଆପଣଙ୍କ ହାତରେ G ଏବଂ S ପୋଲକୁ ସ୍ପର୍ଶ କରନ୍ତୁ, MOSFET ର କ response ଣସି ପ୍ରତିକ୍ରିୟା ରହିବା ଉଚିତ୍ ନୁହେଁ, ଅର୍ଥାତ୍ ମିଟର ଛୁଞ୍ଚି ଶୂନ୍ୟ ସ୍ଥିତିକୁ ଫେରିବ ନାହିଁ | ଏହି ସମୟରେ, ଏହା ବିଚାର କରାଯିବା ଉଚିତ ଯେ MOSFET ଏକ ଭଲ ଟ୍ୟୁବ୍ |

RX1K ରୁ ମଲ୍ଟିମିଟରର ପରିସର ଚୟନ କରନ୍ତୁ ଏବଂ MOSFET ର ତିନୋଟି ପିନ ମଧ୍ୟରେ ପ୍ରତିରୋଧକୁ ମାପନ୍ତୁ | ଯଦି ଗୋଟିଏ ପିନ୍ ଏବଂ ଅନ୍ୟ ଦୁଇଟି ପିନ ମଧ୍ୟରେ ପ୍ରତିରୋଧ ଅସୀମ, ଏବଂ ପରୀକ୍ଷଣ ଲିଡ୍ ବଦଳାଇବା ପରେ ମଧ୍ୟ ଏହା ଅସୀମ, ତେବେ ଏହି ପିନ୍ ହେଉଛି ଜି ପୋଲ, ଏବଂ ଅନ୍ୟ ଦୁଇଟି ପିନ ହେଉଛି S ପୋଲ ଏବଂ D ପୋଲ | ତା’ପରେ S ପୋଲ ଏବଂ D ପୋଲ ମଧ୍ୟରେ ପ୍ରତିରୋଧ ମୂଲ୍ୟ ମାପିବା ପାଇଁ ଏକ ମଲ୍ଟିମିଟର ବ୍ୟବହାର କରନ୍ତୁ, ପରୀକ୍ଷଣ ଲିଡ୍ ବିନିମୟ କରନ୍ତୁ ଏବଂ ପୁନର୍ବାର ମାପନ୍ତୁ | ଛୋଟ ପ୍ରତିରୋଧ ମୂଲ୍ୟ ସହିତ ଗୋଟିଏ ହେଉଛି କଳା | ପରୀକ୍ଷଣ ଲିଡ୍ S ପୋଲ ସହିତ ସଂଯୁକ୍ତ, ଏବଂ ଲାଲ୍ ପରୀକ୍ଷଣ ସୀସା D ପୋଲ ସହିତ ସଂଯୁକ୍ତ |

 

MOSFET ଚିହ୍ନଟ ଏବଂ ବ୍ୟବହାର ସତର୍କତା |

1। MOSFET ଚିହ୍ନଟ କରିବାକୁ ଏକ ସୂଚକ ମଲ୍ଟିମିଟର ବ୍ୟବହାର କରନ୍ତୁ |

1) ଜଙ୍କସନ୍ MOSFET ର ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋଡ୍ ଚିହ୍ନଟ କରିବାକୁ ପ୍ରତିରୋଧ ମାପ ପ୍ରଣାଳୀ ବ୍ୟବହାର କରନ୍ତୁ |

ଘଟଣା ଅନୁଯାୟୀ, MOSFET ର PN ଜଙ୍କସନର ଫରୱାର୍ଡ ଏବଂ ଓଲଟା ପ୍ରତିରୋଧ ମୂଲ୍ୟ ଭିନ୍ନ, MOSFET ଜଙ୍କନ୍ସର ତିନୋଟି ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋଡ୍ ଚିହ୍ନଟ କରାଯାଇପାରିବ | ନିର୍ଦ୍ଦିଷ୍ଟ ପଦ୍ଧତି: ମଲ୍ଟିମିଟରକୁ R × 1k ପରିସରକୁ ସେଟ୍ କରନ୍ତୁ, ଯେକ two ଣସି ଦୁଇଟି ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋଡ୍ ଚୟନ କରନ୍ତୁ ଏବଂ ଯଥାକ୍ରମେ ସେମାନଙ୍କର ଅଗ୍ରଗାମୀ ଏବଂ ଓଲଟା ପ୍ରତିରୋଧ ମୂଲ୍ୟ ମାପନ୍ତୁ | ଯେତେବେଳେ ଦୁଇଟି ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋଡ୍ର ଅଗ୍ରଗାମୀ ଏବଂ ଓଲଟା ପ୍ରତିରୋଧ ମୂଲ୍ୟ ସମାନ ଏବଂ ଅନେକ ହଜାରେ ଓହମ୍, ତେବେ ଦୁଇଟି ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋଡ୍ ଯଥାକ୍ରମେ ଡ୍ରେନ୍ D ଏବଂ ଉତ୍ସ S ଅଟେ | କାରଣ ଜଙ୍କସନ୍ MOSFET ପାଇଁ, ଡ୍ରେନ୍ ଏବଂ ଉତ୍ସ ଅଦଳବଦଳ, ଅବଶିଷ୍ଟ ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋଡ୍ ନିଶ୍ଚିତ ଭାବରେ ଗେଟ୍ ଜି ହେବା ଆବଶ୍ୟକ | ଆପଣ ମଲ୍ଟିମିଟରର ବ୍ଲାକ୍ ଟେଷ୍ଟ୍ ଲିଡ୍ (ରେଡ୍ ଟେଷ୍ଟ୍ ଲିଡ୍ ମଧ୍ୟ ଗ୍ରହଣୀୟ) ଯେକ any ଣସି ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋଡ୍କୁ ସ୍ପର୍ଶ କରିପାରିବେ ଏବଂ ଅନ୍ୟ ପରୀକ୍ଷଣ ଲିଡ୍ | ପ୍ରତିରୋଧ ମୂଲ୍ୟ ମାପିବା ପାଇଁ ଅବଶିଷ୍ଟ ଦୁଇଟି ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋଡ୍କୁ କ୍ରମରେ ସ୍ପର୍ଶ କରନ୍ତୁ | ଯେତେବେଳେ ଦୁଇଥର ମାପ କରାଯାଉଥିବା ପ୍ରତିରୋଧ ମୂଲ୍ୟଗୁଡ଼ିକ ପ୍ରାୟ ସମାନ, କଳା ପରୀକ୍ଷଣ ସୀସା ସହିତ ଯୋଗାଯୋଗରେ ଥିବା ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋଡ୍ ହେଉଛି ଗେଟ୍, ଏବଂ ଅନ୍ୟ ଦୁଇଟି ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋଡ୍ ଯଥାକ୍ରମେ ଡ୍ରେନ୍ ଏବଂ ଉତ୍ସ | ଯଦି ଦୁଇଥର ମାପ କରାଯାଉଥିବା ପ୍ରତିରୋଧ ମୂଲ୍ୟ ଉଭୟ ବହୁତ ବଡ, ଏହାର ଅର୍ଥ ହେଉଛି ଏହା ହେଉଛି PN ଜଙ୍କସନର ଓଲଟା ଦିଗ, ଅର୍ଥାତ୍ ସେଗୁଡ଼ିକ ଉଭୟ ଓଲଟା ପ୍ରତିରୋଧ | ଏହା ସ୍ଥିର ହୋଇପାରେ ଯେ ଏହା ଏକ N- ଚ୍ୟାନେଲ MOSFET, ଏବଂ କଳା ପରୀକ୍ଷଣ ସୀସା ଫାଟକ ସହିତ ସଂଯୁକ୍ତ; ଯଦି ଦୁଇଥର ମାପାଯାଇଥିବା ପ୍ରତିରୋଧ ମୂଲ୍ୟଗୁଡ଼ିକ ହେଉଛି ପ୍ରତିରୋଧ ମୂଲ୍ୟଗୁଡ଼ିକ ବହୁତ ଛୋଟ, ଏହା ସୂଚାଇଥାଏ ଯେ ଏହା ଏକ ଫରୱାର୍ଡ PN ଜଙ୍କସନ, ଅର୍ଥାତ୍ ଏକ ଫରୱାର୍ଡ ପ୍ରତିରୋଧ, ଏବଂ ଏହା ଏକ P- ଚ୍ୟାନେଲ MOSFET ହେବାକୁ ସ୍ଥିର ହୋଇଛି | ବ୍ଲାକ୍ ଟେଷ୍ଟ୍ ଲିଡ୍ ମଧ୍ୟ ଗେଟ୍ ସହିତ ସଂଯୁକ୍ତ | ଯଦି ଉପରୋକ୍ତ ପରିସ୍ଥିତି ନ ଘଟେ, ତେବେ ଆପଣ କଳା ଏବଂ ନାଲି ପରୀକ୍ଷଣ ଲିଡ୍ ବଦଳାଇ ପାରିବେ ଏବଂ ଗ୍ରୀଡ୍ ଚିହ୍ନଟ ନହେବା ପର୍ଯ୍ୟନ୍ତ ଉପରୋକ୍ତ ପଦ୍ଧତି ଅନୁଯାୟୀ ପରୀକ୍ଷା ପରିଚାଳନା କରିପାରିବେ |

 

2) MOSFET ର ଗୁଣ ନିର୍ଣ୍ଣୟ କରିବାକୁ ପ୍ରତିରୋଧ ମାପ ପ୍ରଣାଳୀ ବ୍ୟବହାର କରନ୍ତୁ |

ପ୍ରତିରୋଧ ମାପ ପ୍ରଣାଳୀ ହେଉଛି MOSFET ର ଉତ୍ସ ଏବଂ ଡ୍ରେନ୍, ଗେଟ୍ ଏବଂ ଉତ୍ସ, ଗେଟ୍ ଏବଂ ଡ୍ରେନ୍, ଗେଟ୍ G1 ଏବଂ ଗେଟ୍ G2 ମଧ୍ୟରେ ପ୍ରତିରୋଧକୁ ମାପିବା ପାଇଁ ଏକ ମଲ୍ଟିମିଟର ବ୍ୟବହାର କରିବା, ଏହା MOSFET ମାନୁଆଲରେ ଦର୍ଶାଯାଇଥିବା ପ୍ରତିରୋଧ ମୂଲ୍ୟ ସହିତ ମେଳ ଖାଉଛି କି ନାହିଁ ତାହା ସ୍ଥିର କରିବା | ପରିଚାଳନା ଭଲ କିମ୍ବା ଖରାପ | ନିର୍ଦ୍ଦିଷ୍ଟ ପଦ୍ଧତି: ପ୍ରଥମେ, ମଲ୍ଟିମିଟରକୁ R × 10 କିମ୍ବା R × 100 ରେଞ୍ଜରେ ସେଟ୍ କରନ୍ତୁ, ଏବଂ ଉତ୍ସ S ଏବଂ ଡ୍ରେନ୍ D ମଧ୍ୟରେ ପ୍ରତିରୋଧକୁ ମାପନ୍ତୁ, ସାଧାରଣତ t ଦଶହଜାର ଓମ୍ ମଧ୍ୟରେ ଅନେକ ହଜାରେ ଓହମ୍ (ଏହା ଦେଖାଯାଇପାରେ | ମାନୁଆଲ୍ ଯାହା ବିଭିନ୍ନ ମଡେଲ୍ ଟ୍ୟୁବ୍, ସେମାନଙ୍କର ପ୍ରତିରୋଧ ମୂଲ୍ୟ ଅଲଗା), ଯଦି ମାପାଯାଇଥିବା ପ୍ରତିରୋଧ ମୂଲ୍ୟ ସାଧାରଣ ମୂଲ୍ୟଠାରୁ ଅଧିକ, ଏହା ଖରାପ ଆଭ୍ୟନ୍ତରୀଣ ସମ୍ପର୍କ ହେତୁ ହୋଇପାରେ | ଯଦି ମାପାଯାଇଥିବା ପ୍ରତିରୋଧ ମୂଲ୍ୟ ଅସୀମ, ଏହା ଏକ ଆଭ୍ୟନ୍ତରୀଣ ଭଙ୍ଗା ପୋଲ ହୋଇପାରେ | ତା’ପରେ ମଲ୍ଟିମିଟରକୁ R × 10k ରେଞ୍ଜରେ ସେଟ୍ କରନ୍ତୁ, ଏବଂ ତାପରେ G1 ଏବଂ G2 ଗେଟ୍ ମଧ୍ୟରେ, ଗେଟ୍ ଏବଂ ଉତ୍ସ ମଧ୍ୟରେ, ଏବଂ ଗେଟ୍ ଏବଂ ଡ୍ରେନ୍ ମଧ୍ୟରେ ପ୍ରତିରୋଧ ମୂଲ୍ୟ ମାପନ୍ତୁ | ଯେତେବେଳେ ମାପାଯାଇଥିବା ପ୍ରତିରୋଧ ମୂଲ୍ୟଗୁଡ଼ିକ ଅସୀମ, ତେବେ ଏହାର ଅର୍ଥ ହେଉଛି ଟ୍ୟୁବ୍ ସ୍ୱାଭାବିକ; ଯଦି ଉପରୋକ୍ତ ପ୍ରତିରୋଧ ମୂଲ୍ୟଗୁଡ଼ିକ ବହୁତ ଛୋଟ କିମ୍ବା ଏକ ପଥ ଅଛି, ଏହାର ଅର୍ଥ ହେଉଛି ଟ୍ୟୁବ୍ ଖରାପ | ଏହା ମନେ ରଖିବା ଉଚିତ ଯେ ଯଦି ଟ୍ୟୁବରେ ଦୁଇଟି ଫାଟକ ଭାଙ୍ଗିଯାଏ, ତେବେ ଚିହ୍ନଟ ପାଇଁ ଉପାଦାନ ପ୍ରତିସ୍ଥାପନ ପଦ୍ଧତି ବ୍ୟବହାର କରାଯାଇପାରିବ |

 

3) MOSFET ର ବିସ୍ତାର କ୍ଷମତା ଆକଳନ କରିବାକୁ ଇନଡକ୍ସନ୍ ସିଗ୍ନାଲ୍ ଇନପୁଟ୍ ପଦ୍ଧତି ବ୍ୟବହାର କରନ୍ତୁ |

ନିର୍ଦ୍ଦିଷ୍ଟ ପଦ୍ଧତି: ମଲ୍ଟିମିଟର ପ୍ରତିରୋଧର R × 100 ସ୍ତର ବ୍ୟବହାର କରନ୍ତୁ, ଲାଲ୍ ଟେଷ୍ଟ୍ ଲିଡ୍ କୁ ଉତ୍ସ S କୁ ସଂଯୋଗ କରନ୍ତୁ, ଏବଂ କଳା ପରୀକ୍ଷଣ ଡ୍ରେନ୍ D. କୁ MOSFET ରେ 1.5V ବିଦ୍ୟୁତ୍ ଯୋଗାଣ ଭୋଲଟେଜ୍ ଯୋଡନ୍ତୁ | ଏହି ସମୟରେ, ଡ୍ରେନ୍ ଏବଂ ଉତ୍ସ ମଧ୍ୟରେ ପ୍ରତିରୋଧ ମୂଲ୍ୟ ମିଟର ଛୁଞ୍ଚି ଦ୍ୱାରା ସୂଚିତ ହୋଇଥାଏ | ତା’ପରେ MOSFET ଜଙ୍କସନ୍ ର ଗେଟ୍ G କୁ ନିଜ ହାତରେ ପିଞ୍ଚ କରନ୍ତୁ, ଏବଂ ଗେଟ୍ ରେ ମାନବ ଶରୀରର ପ୍ରେରିତ ଭୋଲଟେଜ୍ ସିଗ୍ନାଲ୍ ଯୋଡନ୍ତୁ | ଏହି ଉପାୟରେ, ଟ୍ୟୁବ୍ ର ଏମ୍ପ୍ଲାଇଫେସନ୍ ପ୍ରଭାବ ଯୋଗୁଁ, ଡ୍ରେନ୍-ସୋର୍ସ ଭୋଲଟେଜ୍ VDS ଏବଂ ଡ୍ରେନ୍ କରେଣ୍ଟ୍ ଇବ ବଦଳିବ, ଅର୍ଥାତ୍ ଡ୍ରେନ୍ ଏବଂ ଉତ୍ସ ମଧ୍ୟରେ ପ୍ରତିରୋଧ ବଦଳିଯିବ | ଏଥିରୁ ଏହା ଲକ୍ଷ୍ୟ କରାଯାଇପାରେ ଯେ ମିଟର ଛୁଞ୍ଚି ବହୁ ପରିମାଣରେ ings ୁଲିଯାଏ | ଯଦି ହାତ ଧରିଥିବା ଗ୍ରୀଡ୍ ଛୁଞ୍ଚିର ଛୁଞ୍ଚି ଟିକେ ଘୁଞ୍ଚିଯାଏ, ଏହାର ଅର୍ଥ ହେଉଛି ଟ୍ୟୁବ୍ ର ବିସ୍ତାର କ୍ଷମତା ଖରାପ ଅଟେ; ଯଦି ଛୁଞ୍ଚି ବହୁତ ସୁଇଙ୍ଗ୍ ହୁଏ, ଏହାର ଅର୍ଥ ହେଉଛି ଟ୍ୟୁବ୍ ର ବିସ୍ତାର କ୍ଷମତା ବଡ଼; ଯଦି ଛୁଞ୍ଚି ଗତି କରେ ନାହିଁ, ଏହାର ଅର୍ଥ ହେଉଛି ଟ୍ୟୁବ୍ ଖରାପ |

 

ଉପରୋକ୍ତ ପଦ୍ଧତି ଅନୁଯାୟୀ, ଆମେ MOSFET 3DJ2F ଜଙ୍କସନ ମାପିବା ପାଇଁ ମଲ୍ଟିମିଟରର R × 100 ସ୍କେଲ ବ୍ୟବହାର କରୁ | ପ୍ରଥମେ ଟ୍ୟୁବ୍ ର G ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋଡ୍ ଖୋଲ ଏବଂ ଡ୍ରେନ୍-ଉତ୍ସ ପ୍ରତିରୋଧ RDS କୁ 600Ω ମାପ | ଜି ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋଡକୁ ନିଜ ହାତରେ ଧରିବା ପରେ ମିଟର ଛୁଞ୍ଚି ବାମକୁ ଚାଲିଯାଏ | ସୂଚିତ ପ୍ରତିରୋଧ RDS ହେଉଛି 12kΩ | ଯଦି ମିଟର ଛୁଞ୍ଚି ବଡ଼ ହୋଇଯାଏ, ଏହାର ଅର୍ଥ ହେଉଛି ଟ୍ୟୁବ୍ ଭଲ | , ଏବଂ ଅଧିକ ବିସ୍ତାର କ୍ଷମତା ଅଛି |

 

ଏହି ପଦ୍ଧତି ବ୍ୟବହାର କରିବାବେଳେ ଧ୍ୟାନ ଦେବା ପାଇଁ କିଛି ପଏଣ୍ଟ ଅଛି: ପ୍ରଥମେ, MOSFET ପରୀକ୍ଷା କରିବା ଏବଂ ଆପଣଙ୍କ ହାତରେ ଗେଟ୍ ଧରିବାବେଳେ ମଲ୍ଟିମିଟର ଛୁଞ୍ଚି ଡାହାଣକୁ (ପ୍ରତିରୋଧ ମୂଲ୍ୟ ହ୍ରାସ ହୁଏ) କିମ୍ବା ବାମକୁ ଯାଇପାରେ (ପ୍ରତିରୋଧ ମୂଲ୍ୟ ବ increases ିଥାଏ) । ଏହାର କାରଣ ହେଉଛି ଯେ ମାନବ ଶରୀର ଦ୍ uc ାରା ପ୍ରେରିତ ଏସି ଭୋଲଟେଜ୍ ଅପେକ୍ଷାକୃତ ଅଧିକ, ଏବଂ ପ୍ରତିରୋଧ ପରିସର ସହିତ ମାପ କରାଯିବା ସମୟରେ ବିଭିନ୍ନ MOSFET ଗୁଡ଼ିକର ଭିନ୍ନ କାର୍ଯ୍ୟ ପଏଣ୍ଟ ଥାଇପାରେ (ସାଚୁରେଟେଡ୍ ଜୋନ୍ କିମ୍ବା ଅସନ୍ତୁଷ୍ଟ ଜୋନ୍ରେ କାର୍ଯ୍ୟ କରେ) | ପରୀକ୍ଷଣରୁ ଜଣାପଡିଛି ଯେ ଅଧିକାଂଶ ଟ୍ୟୁବ୍ ର RDS ବ increases ିଥାଏ | ତାହା ହେଉଛି, ଘଣ୍ଟା ହାତ ବାମକୁ ଗତି କରେ; ଅଳ୍ପ କିଛି ଟ୍ୟୁବ୍ ର RDS ହ୍ରାସ ହୁଏ, ଯାହାଦ୍ୱାରା ଘଣ୍ଟା ହାତ ଡାହାଣକୁ ଚାଲିଯାଏ |

କିନ୍ତୁ ୱାଚ୍ ହ୍ୟାଣ୍ଡ୍ କେଉଁ ଦିଗରେ ଗତି କରେ, ଯେତେଦିନ ପର୍ଯ୍ୟନ୍ତ ୱାଚ୍ ହ୍ୟାଣ୍ଡ୍ ବଡ ହୋଇଯାଏ, ଏହାର ଅର୍ଥ ହେଉଛି ଟ୍ୟୁବ୍ ର ଅଧିକ ବିସ୍ତାର କ୍ଷମତା ଅଛି | ଦ୍ୱିତୀୟତ this, ଏହି ପଦ୍ଧତି MOSFET ପାଇଁ ମଧ୍ୟ କାମ କରେ | କିନ୍ତୁ ଏହା ମନେ ରଖିବା ଉଚିତ ଯେ MOSFET ର ଇନପୁଟ୍ ପ୍ରତିରୋଧ ଅଧିକ, ଏବଂ G ଗେଟର ଅନୁମତିପ୍ରାପ୍ତ ପ୍ରେରିତ ଭୋଲଟେଜ୍ ଅଧିକ ହେବା ଉଚିତ୍ ନୁହେଁ, ତେଣୁ ଗେଟ୍କୁ ସିଧାସଳଖ ନିଜ ହାତରେ ପିଞ୍ଚ କରନ୍ତୁ ନାହିଁ | ଏକ ଧାତୁ ରଡ ସହିତ ଗେଟ୍ ଛୁଇଁବା ପାଇଁ ତୁମେ ସ୍କ୍ରୁ ଡ୍ରାଇଭରର ଇନସୁଲେଟେଡ୍ ହ୍ୟାଣ୍ଡଲ୍ ବ୍ୟବହାର କରିବା ଜରୁରୀ | , ମାନବ ଶରୀର ଦ୍ the ାରା ସୃଷ୍ଟି ହୋଇଥିବା ଚାର୍ଜକୁ ସିଧାସଳଖ ଗେଟ୍ ସହିତ ଯୋଡାଯିବା ରୋକିବା ପାଇଁ, ଗେଟ୍ ଭାଙ୍ଗିଯାଏ | ତୃତୀୟତ each, ପ୍ରତ୍ୟେକ ମାପ ପରେ, ଜିଏସ୍ ପୋଲଗୁଡିକ ସର୍ଟ ସର୍କିଟ୍ ହେବା ଉଚିତ | ଏହାର କାରଣ ହେଉଛି ଜିଏସ୍ ଜଙ୍କସନ କ୍ୟାପେସିଟରରେ ଅଳ୍ପ ପରିମାଣର ଚାର୍ଜ ରହିବ, ଯାହା VGS ଭୋଲଟେଜ୍ ନିର୍ମାଣ କରେ | ଫଳସ୍ୱରୂପ, ପୁନର୍ବାର ମାପିବା ସମୟରେ ମିଟରର ହାତ ଗତି କରିପାରିବ ନାହିଁ | ଚାର୍ଜ ଡିସଚାର୍ଜ କରିବାର ଏକମାତ୍ର ଉପାୟ ହେଉଛି ଜିଏସ୍ ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋଡ୍ ମଧ୍ୟରେ ଚାର୍ଜକୁ ସର୍ଟ ସର୍କିଟ କରିବା |

4) ଚିହ୍ନିତ MOSFET ଗୁଡ଼ିକୁ ଚିହ୍ନିବା ପାଇଁ ପ୍ରତିରୋଧ ମାପ ପ୍ରଣାଳୀ ବ୍ୟବହାର କରନ୍ତୁ |

ପ୍ରଥମେ, ପ୍ରତିରୋଧ ମୂଲ୍ୟ ସହିତ ଦୁଇଟି ପିନ ଖୋଜିବା ପାଇଁ ପ୍ରତିରୋଧ ମାପିବାର ପଦ୍ଧତି ବ୍ୟବହାର କରନ୍ତୁ, ଯଥା ଉତ୍ସ S ଏବଂ ଡ୍ରେନ୍ D. ଅବଶିଷ୍ଟ ଦୁଇଟି ପିନ ହେଉଛି ପ୍ରଥମ ଗେଟ୍ G1 ଏବଂ ଦ୍ୱିତୀୟ ଗେଟ୍ G2 | ପ୍ରଥମେ ଦୁଇଟି ଉତ୍ସ ସହିତ ମାପ କରାଯାଉଥିବା ଉତ୍ସ S ଏବଂ ଡ୍ରେନ୍ D ମଧ୍ୟରେ ପ୍ରତିରୋଧ ମୂଲ୍ୟ ଲେଖ | ପରୀକ୍ଷଣ ଲିଡ୍ ସୁଇଚ୍ କରନ୍ତୁ ଏବଂ ପୁନର୍ବାର ମାପନ୍ତୁ | ମାପାଯାଇଥିବା ପ୍ରତିରୋଧ ମୂଲ୍ୟ ଲେଖନ୍ତୁ | ଦୁଇଥର ମାପାଯାଇଥିବା ବୃହତ ପ୍ରତିରୋଧ ମୂଲ୍ୟ ସହିତ କଳା ପରୀକ୍ଷଣ ସୀସା | ସଂଯୁକ୍ତ ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋଡ୍ ହେଉଛି ଡ୍ରେନ୍ D; ଲାଲ୍ ପରୀକ୍ଷଣ ସୀସା ଉତ୍ସ S ସହିତ ସଂଯୁକ୍ତ | ଏହି ପଦ୍ଧତି ଦ୍ୱାରା ଚିହ୍ନିତ S ଏବଂ D ପୋଲଗୁଡିକ ମଧ୍ୟ ଟ୍ୟୁବ୍ ର ବୃଦ୍ଧି କ୍ଷମତା ଆକଳନ କରି ଯାଞ୍ଚ କରାଯାଇପାରିବ | ତାହା ହେଉଛି, ବୃହତ ବିସ୍ତାର କ୍ଷମତା ସହିତ କଳା ପରୀକ୍ଷଣ ସୀସା D ପୋଲ ସହିତ ସଂଯୁକ୍ତ; ଲାଲ୍ ପରୀକ୍ଷଣ ସୀସା ଭୂମି ସହିତ 8-ପୋଲ ସହିତ ସଂଯୁକ୍ତ | ଉଭୟ ପଦ୍ଧତିର ପରୀକ୍ଷା ଫଳାଫଳ ସମାନ ହେବା ଉଚିତ୍ | ଡ୍ରେନ୍ D ଏବଂ ଉତ୍ସ S ର ସ୍ଥିତି ନିର୍ଣ୍ଣୟ କରିବା ପରେ, D ଏବଂ S ର ସଂପୃକ୍ତ ଅବସ୍ଥାନ ଅନୁଯାୟୀ ସର୍କିଟ୍ ସଂସ୍ଥାପନ କର, ସାଧାରଣତ G, G1 ଏବଂ G2 ମଧ୍ୟ କ୍ରମରେ ଆଲାଇନ୍ ହେବ | ଏହା ଦୁଇଟି ଫାଟକ G1 ଏବଂ G2 ର ସ୍ଥିତି ନିର୍ଣ୍ଣୟ କରେ | ଏହା D, S, G1, ଏବଂ G2 ପିନର କ୍ରମ ନିର୍ଣ୍ଣୟ କରେ |

5) ଟ୍ରାନ୍ସକଣ୍ଡକ୍ଟାନ୍ସର ଆକାର ନିର୍ଣ୍ଣୟ କରିବାକୁ ଓଲଟା ପ୍ରତିରୋଧ ମୂଲ୍ୟର ପରିବର୍ତ୍ତନକୁ ବ୍ୟବହାର କରନ୍ତୁ |

VMOSN ଚ୍ୟାନେଲ ଉନ୍ନତି MOSFET ର ଟ୍ରାନ୍ସକଣ୍ଡକ୍ଟାନ୍ସ କାର୍ଯ୍ୟଦକ୍ଷତା ମାପିବାବେଳେ, ଆପଣ ଉତ୍ସ S କୁ ସଂଯୋଗ କରିବା ପାଇଁ ଲାଲ୍ ଟେଷ୍ଟ୍ ଲିଡ୍ ବ୍ୟବହାର କରିପାରିବେ ଏବଂ ଡ୍ରେନ୍ କୁ କଳା ପରୀକ୍ଷଣ ଲିଡ୍ ବ୍ୟବହାର କରିପାରିବେ | ଏହା ଉତ୍ସ ଏବଂ ଡ୍ରେନ୍ ମଧ୍ୟରେ ଏକ ଓଲଟା ଭୋଲଟେଜ୍ ଯୋଡିବା ସହିତ ସମାନ | ଏହି ସମୟରେ, ଗେଟ୍ ଖୋଲା ସର୍କିଟ ଅଟେ, ଏବଂ ଟ୍ୟୁବ୍ ର ଓଲଟା ପ୍ରତିରୋଧ ମୂଲ୍ୟ ଅତ୍ୟନ୍ତ ଅସ୍ଥିର | R × 10kΩ ର ଉଚ୍ଚ ପ୍ରତିରୋଧ ପରିସରକୁ ମଲ୍ଟିମିଟରର ohm ପରିସର ଚୟନ କରନ୍ତୁ | ଏହି ସମୟରେ ମିଟରରେ ଥିବା ଭୋଲଟେଜ୍ ଅଧିକ ଥାଏ | ଯେତେବେଳେ ତୁମେ ନିଜ ହାତରେ ଗ୍ରୀଡ୍ G କୁ ଛୁଇଁବ, ତୁମେ ପାଇବ ଯେ ଟ୍ୟୁବ୍ ର ଓଲଟା ପ୍ରତିରୋଧ ମୂଲ୍ୟ ଯଥେଷ୍ଟ ପରିବର୍ତ୍ତନ ହୁଏ | ପରିବର୍ତ୍ତନ ଯେତେ ଅଧିକ ହେବ, ଟ୍ୟୁବ୍ ର ଟ୍ରାନ୍ସକଣ୍ଡକ୍ଟାନ୍ସ ମୂଲ୍ୟ ଅଧିକ ହେବ | ଯଦି ପରୀକ୍ଷା ଅଧୀନରେ ଥିବା ଟ୍ୟୁବ୍ ର ଟ୍ରାନ୍ସକଣ୍ଡକ୍ଟାନ୍ସ ବହୁତ ଛୋଟ, ମାପିବା ପାଇଁ ଏହି ପଦ୍ଧତିକୁ ବ୍ୟବହାର କରନ୍ତୁ ଯେତେବେଳେ, ଓଲଟା ପ୍ରତିରୋଧ ସାମାନ୍ୟ ପରିବର୍ତ୍ତନ ହୁଏ |

 

MOSFET ବ୍ୟବହାର ପାଇଁ ସତର୍କତା |

1) MOSFET କୁ ସୁରକ୍ଷିତ ଭାବରେ ବ୍ୟବହାର କରିବା ପାଇଁ, ପାରାମିଟରଗୁଡିକର ସୀମା ମୂଲ୍ୟ ଯେପରିକି ଟ୍ୟୁବ୍ ର ବିଚ୍ଛିନ୍ନ ଶକ୍ତି, ସର୍ବାଧିକ ଡ୍ରେନ୍-ଉତ୍ସ ଭୋଲଟେଜ୍, ସର୍ବାଧିକ ଗେଟ୍-ଉତ୍ସ ଭୋଲଟେଜ୍ ଏବଂ ସର୍କିଟ୍ ଡିଜାଇନ୍ରେ ସର୍ବାଧିକ କରେଣ୍ଟ୍ ଅତିକ୍ରମ କରାଯାଇପାରିବ ନାହିଁ |

2) ବିଭିନ୍ନ ପ୍ରକାରର MOSFET ବ୍ୟବହାର କରିବାବେଳେ, ସେଗୁଡିକ ଆବଶ୍ୟକୀୟ ପକ୍ଷପାତ ଅନୁଯାୟୀ ସର୍କିଟ ସହିତ ସଂଯୁକ୍ତ ହେବା ଆବଶ୍ୟକ, ଏବଂ MOSFET ଦ୍ as ାରା ପୋଲାରାଇଟି ପାଳନ କରାଯିବା ଆବଶ୍ୟକ | ଉଦାହରଣ ସ୍ୱରୂପ, ଗେଟ୍ ଉତ୍ସ ଏବଂ MOSFET ର ଏକ ଡ୍ରେନ୍ ମଧ୍ୟରେ ଏକ PN ଜଙ୍କସନ ଅଛି, ଏବଂ ଏକ N- ଚ୍ୟାନେଲ୍ ଟ୍ୟୁବ୍ ର ଗେଟ୍ ସକରାତ୍ମକ ଭାବରେ ପକ୍ଷପାତ ହୋଇପାରିବ ନାହିଁ | ଏକ ପି-ଚ୍ୟାନେଲ୍ ଟ୍ୟୁବ୍ ର ଗେଟ୍ ନକାରାତ୍ମକ ଭାବରେ ପକ୍ଷପାତ ହୋଇପାରିବ ନାହିଁ |

3) ଯେହେତୁ MOSFET ର ଇନପୁଟ୍ ପ୍ରତିରୋଧ ଅତ୍ୟଧିକ ଉଚ୍ଚ, ପରିବହନ ଏବଂ ସଂରକ୍ଷଣ ସମୟରେ ପିନଗୁଡିକ ସର୍ଟ ସର୍କିଟ୍ ହେବା ଆବଶ୍ୟକ, ଏବଂ ଗେଟ୍ ଭାଙ୍ଗିବା ପାଇଁ ବାହ୍ୟ ପ୍ରବର୍ତ୍ତିତ ସମ୍ଭାବନାକୁ ରୋକିବା ପାଇଁ ଧାତୁ ield ାଲ ସହିତ ପ୍ୟାକେଜ୍ ହେବା ଆବଶ୍ୟକ | ବିଶେଷ ଭାବରେ, ଦୟାକରି ଧ୍ୟାନ ଦିଅନ୍ତୁ ଯେ MOSFET ଏକ ପ୍ଲାଷ୍ଟିକ୍ ବାକ୍ସରେ ରଖାଯାଇପାରିବ ନାହିଁ | ଏହାକୁ ଏକ ଧାତୁ ବାକ୍ସରେ ରଖିବା ଭଲ | ସେହି ସମୟରେ, ଟ୍ୟୁବ୍ ଆର୍ଦ୍ରତା-ପ୍ରୁଫ୍ ରଖିବାକୁ ଧ୍ୟାନ ଦିଅନ୍ତୁ |

4) MOSFET ଗେଟ୍ ଇନ୍ଦ୍ରିୟାତ୍ମକ ଭାଙ୍ଗକୁ ରୋକିବା ପାଇଁ, ସମସ୍ତ ପରୀକ୍ଷା ଉପକରଣ, ୱର୍କବେଞ୍ଚ, ସୋଲଡିଂ ଆଇରନ୍, ଏବଂ ସର୍କିଟ୍ ନିଜେ ଭଲ ଭାବରେ ଗ୍ରାଉଣ୍ଡ୍ ହେବା ଆବଶ୍ୟକ | ପିନଗୁଡିକ ସୋଲଡିଂ କରିବାବେଳେ ପ୍ରଥମେ ଉତ୍ସକୁ ସୋଲଡର୍ କରନ୍ତୁ | ସର୍କିଟ ସହିତ ସଂଯୋଗ ହେବା ପୂର୍ବରୁ, ଟ୍ୟୁବ୍ ସମସ୍ତ ସୀସା ଶେଷକୁ ପରସ୍ପର ସର୍ଟ ସର୍କିଟ୍ କରାଯିବା ଉଚିତ, ଏବଂ ୱେଲ୍ଡିଂ ସମାପ୍ତ ହେବା ପରେ ସର୍ଟ ସର୍କିଟ୍ ସାମଗ୍ରୀକୁ ଅପସାରଣ କରାଯିବା ଉଚିତ୍; ଉପାଦାନ ର୍ୟାକରୁ ଟ୍ୟୁବ୍ କା oving ଼ିବାବେଳେ, ମାନବ ଶରୀର ଗ୍ରାଉଣ୍ଡ୍ ହୋଇଛି କି ନାହିଁ ନିଶ୍ଚିତ କରିବାକୁ ଉପଯୁକ୍ତ ପଦ୍ଧତି ବ୍ୟବହାର କରାଯିବା ଉଚିତ, ଯେପରିକି ଏକ ଗ୍ରାଉଣ୍ଡିଂ ରିଙ୍ଗ ବ୍ୟବହାର କରିବା | ଅବଶ୍ୟ, ଯଦି ଉନ୍ନତ A ଗ୍ୟାସ୍-ଉତ୍ତପ୍ତ ସୋଲଡିଂ ଲ iron ହ MOSFET ଗୁଡ଼ିକୁ ୱେଲଡିଂ କରିବା ପାଇଁ ଅଧିକ ସୁବିଧାଜନକ ଏବଂ ସୁରକ୍ଷା ସୁନିଶ୍ଚିତ କରେ | ବିଦ୍ୟୁତ୍ ବନ୍ଦ ହେବା ପୂର୍ବରୁ ଟ୍ୟୁବ୍ ସର୍କିଟରେ ଭର୍ତ୍ତି କରାଯିବା ଉଚିତ୍ ନୁହେଁ | MOSFET ବ୍ୟବହାର କରିବା ସମୟରେ ଉପରୋକ୍ତ ସୁରକ୍ଷା ବ୍ୟବସ୍ଥା ପ୍ରତି ଧ୍ୟାନ ଦେବା ଆବଶ୍ୟକ |

5) MOSFET ସଂସ୍ଥାପନ କରିବା ସମୟରେ, ସ୍ଥାପନ ସ୍ଥିତିକୁ ଧ୍ୟାନ ଦିଅନ୍ତୁ ଏବଂ ଉତ୍ତାପ ଉପାଦାନର ନିକଟତର ହେବାକୁ ଚେଷ୍ଟା କରନ୍ତୁ; ପାଇପ୍ ଫିଟିଙ୍ଗ୍ ର କମ୍ପନକୁ ରୋକିବା ପାଇଁ, ଟ୍ୟୁବ୍ ସେଲ୍କୁ ଟାଣିବା ଆବଶ୍ୟକ | ଯେତେବେଳେ ପିନ୍ ଲିଡ୍ ଗୁଡିକ ବଙ୍କା ହୋଇଯାଏ, ସେଗୁଡିକ ମୂଳ ଆକାରଠାରୁ 5 ମିମି ବଡ ହେବା ଉଚିତ ଯାହା ନିଶ୍ଚିତ କରେ ଯେ ପିନଗୁଡିକ ବଙ୍କା ହୋଇ ବାୟୁ ଲିକ୍ ହେବାରୁ ଦୂରେଇ ରୁହନ୍ତୁ |

ଶକ୍ତି MOSFET ପାଇଁ, ଭଲ ଉତ୍ତାପ ବିସ୍ତାର ଅବସ୍ଥା ଆବଶ୍ୟକ | କାରଣ ଉଚ୍ଚ ଲୋଡ୍ ଅବସ୍ଥାରେ ପାୱାର୍ MOSFET ଗୁଡିକ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ, ଯଥେଷ୍ଟ ଉତ୍ତାପ ସିଙ୍କ୍ ଡିଜାଇନ୍ ହେବା ଆବଶ୍ୟକ ଯେ କେସ୍ ତାପମାତ୍ରା ମୂଲ୍ୟାୟନ ମୂଲ୍ୟଠାରୁ ଅଧିକ ହେବ ନାହିଁ ଯାହା ଦ୍ the ାରା ଡିଭାଇସ୍ ଦୀର୍ଘ ସମୟ ପର୍ଯ୍ୟନ୍ତ ସ୍ଥିର ଏବଂ ନିର୍ଭରଯୋଗ୍ୟ ଭାବରେ କାର୍ଯ୍ୟ କରିପାରିବ |

ସଂକ୍ଷେପରେ, MOSFET ର ନିରାପଦ ବ୍ୟବହାର ନିଶ୍ଚିତ କରିବାକୁ, ଅନେକ ଜିନିଷ ଧ୍ୟାନ ଦେବାକୁ ପଡିବ, ଏବଂ ବିଭିନ୍ନ ସୁରକ୍ଷା ବ୍ୟବସ୍ଥା ମଧ୍ୟ ଗ୍ରହଣ କରାଯିବ | ଅଧିକାଂଶ ବୃତ୍ତିଗତ ଏବଂ ବ technical ଷୟିକ କର୍ମକର୍ତ୍ତା, ବିଶେଷକରି ଅଧିକାଂଶ ବ electronic ଦ୍ୟୁତିକ ଉତ୍ସାହୀ, ସେମାନଙ୍କର ପ୍ରକୃତ ସ୍ଥିତିକୁ ଆଧାର କରି ଅଗ୍ରଗତି କରିବା ଆବଶ୍ୟକ ଏବଂ MOSFET ଗୁଡ଼ିକୁ ସୁରକ୍ଷିତ ଏବଂ ପ୍ରଭାବଶାଳୀ ଭାବରେ ବ୍ୟବହାର କରିବା ପାଇଁ ବ୍ୟବହାରିକ ଉପାୟ ଅବଲମ୍ବନ କରିବା ଆବଶ୍ୟକ |