ଏକ MOSFET ର ଚାରୋଟି ଅଞ୍ଚଳ କ’ଣ?

ଏକ N- ଚ୍ୟାନେଲ ଉନ୍ନତି MOSFET ର ଚାରୋଟି ଅଞ୍ଚଳ |

(1) ପରିବର୍ତ୍ତନଶୀଳ ପ୍ରତିରୋଧ ଅଞ୍ଚଳ (ଅସନ୍ତୁଳିତ ଅଞ୍ଚଳ ମଧ୍ୟ କୁହାଯାଏ) |

Ucs "Ucs (th) (ଟର୍ନ୍ ଅନ୍ ଭୋଲଟେଜ୍), uDs" UGs-Ucs (th), ଚ୍ୟାନେଲ ଟର୍ନ୍ ହୋଇଥିବା ଚିତ୍ରରେ ପୂର୍ବ ଚିହ୍ନିତ ବାମର ଅଞ୍ଚଳ ଅଟେ | ଏହି ଅଞ୍ଚଳରେ UD ର ମୂଲ୍ୟ ଛୋଟ, ଏବଂ ଚ୍ୟାନେଲର ପ୍ରତିରୋଧ ମୂଳତ only କେବଳ UG ଦ୍ୱାରା ନିୟନ୍ତ୍ରିତ | ଯେତେବେଳେ uG ଗୁଡିକ ନିଶ୍ଚିତ, ip ଏବଂ uD ଗୁଡିକ ଏକ ର ar ଖ୍ୟ ସଂପର୍କରେ, ଏହି ଅଞ୍ଚଳଟି ସିଧା ଲାଇନର ସେଟ୍ ଭାବରେ ଆନୁମାନିକ ହୁଏ | ଏହି ସମୟରେ, ଏକ ଭୋଲ୍ଟେଜ୍ UGS ର ସମାନତା ମଧ୍ୟରେ ଫିଲ୍ଡ ଇଫେକ୍ଟ ଟ୍ୟୁବ୍ D, S |

ଭୋଲଟେଜ୍ UGS ଭେରିଏବଲ୍ ପ୍ରତିରୋଧ ଦ୍ୱାରା ନିୟନ୍ତ୍ରିତ |

(୨) କ୍ରମାଗତ ସାମ୍ପ୍ରତିକ ଅଞ୍ଚଳ (ସାଚୁଚରେସନ୍ ଅଞ୍ଚଳ, ଏମ୍ପ୍ଲାଇଫେସନ୍ ଅଞ୍ଚଳ, ସକ୍ରିୟ ଅଞ୍ଚଳ ଭାବରେ ମଧ୍ୟ ଜଣାଶୁଣା) |

ପ୍ରି-ପିଚ୍ ଅଫ୍ ଟ୍ରାକର ଡାହାଣ ପାର୍ଶ୍ figure ର ଚିତ୍ର ପାଇଁ Ucs ≥ Ucs (h) ଏବଂ Ubs ≥ UcsUssth), କିନ୍ତୁ ଏପର୍ଯ୍ୟନ୍ତ ଏହି ଅଞ୍ଚଳରେ ଭାଙ୍ଗି ନାହିଁ, ଏହି ଅଞ୍ଚଳରେ, ଯେତେବେଳେ uG ଗୁଡିକ ହେବା ଆବଶ୍ୟକ, ib ପ୍ରାୟ ହୁଏ ନାହିଁ | UD ସହିତ ପରିବର୍ତ୍ତନ, ଏକ ସ୍ଥିର-ସାମ୍ପ୍ରତିକ ବ characteristics ଶିଷ୍ଟ୍ୟ | ମୁଁ କେବଳ UG ଦ୍ୱାରା ନିୟନ୍ତ୍ରିତ, ତାପରେ MOSFETD, S ସାମ୍ପ୍ରତିକ ଉତ୍ସର ଏକ ଭୋଲ୍ଟେଜ୍ uGs ନିୟନ୍ତ୍ରଣ ସହିତ ସମାନ | MOSFET ଆମ୍ପ୍ଲାଇଫେସନ୍ ସର୍କିଟ୍ରେ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ, ସାଧାରଣତ the MOSFET D ର କାର୍ଯ୍ୟରେ, S ଏକ ଭୋଲ୍ଟେଜ୍ uG ନିୟନ୍ତ୍ରଣ କରେଣ୍ଟ ଉତ୍ସ ସହିତ ସମାନ | ଆମ୍ପ୍ଲାଇଫେସନ୍ ସର୍କିଟ୍ରେ ବ୍ୟବହୃତ MOSFET, ସାଧାରଣତ the ଏହି ଅଞ୍ଚଳରେ କାମ କରେ, ଯାହାକୁ ଏମ୍ପ୍ଲାଇଫେସନ୍ ଏରିଆ ମଧ୍ୟ କୁହାଯାଏ |

()) କ୍ଲିପ୍ ଅଫ୍ ଏରିଆ (କଟ୍ ଅଫ୍ ଏରିଆ ମଧ୍ୟ କୁହାଯାଏ) |

ଏହି ଅଞ୍ଚଳର ଭୂସମାନ୍ତର ଅକ୍ଷରେ ଥିବା ଚିତ୍ର ପାଇଁ ucs "Ues (th) କୁ ଭେଟିବା ପାଇଁ କ୍ଲିପ୍ ଅଫ୍ କ୍ଷେତ୍ର (କଟ୍ ଅଫ୍ ଏରିଆ ଭାବରେ ମଧ୍ୟ ଜଣାଶୁଣା), ଚ୍ୟାନେଲଟି ବନ୍ଦ ହୋଇଯାଇଥିଲା, ଯାହା ସମ୍ପୂର୍ଣ୍ଣ କ୍ଲିପ୍ ଅଫ୍ ଭାବରେ ଜଣାଶୁଣା, io = 0 , ଟ୍ୟୁବ୍ କାମ କରୁନାହିଁ |

(4) ବ୍ରେକଡାଉନ୍ ଜୋନ୍ ଅବସ୍ଥାନ |

ବ୍ରେକଡାଉନ୍ ଅଞ୍ଚଳ ଚିତ୍ରର ଡାହାଣ ପାର୍ଶ୍ୱରେ ଅବସ୍ଥିତ | ବ U ୁଥିବା UD ସହିତ, PN ଜଙ୍କସନ ଅତ୍ୟଧିକ ଓଲଟା ଭୋଲଟେଜ୍ ଏବଂ ବ୍ରେକଡାଉନ୍ ର ଶିକାର ହୁଏ, ip ତୀବ୍ର ଭାବରେ ବ increases େ | ବ୍ରେକଡାଉନ୍ ଅଞ୍ଚଳରେ କାର୍ଯ୍ୟ ନକରିବା ପାଇଁ ଟ୍ୟୁବ୍ ଚଲାଇବା ଉଚିତ୍ | ସ୍ଥାନାନ୍ତର ଚରିତ୍ରିକ ବକ୍ର ଆଉଟପୁଟ୍ ଚରିତ୍ରିକ ବକ୍ରରୁ ଉତ୍ପନ୍ନ ହୋଇପାରେ | ଖୋଜିବା ପାଇଁ ଏକ ଗ୍ରାଫ୍ ଭାବରେ ବ୍ୟବହୃତ ପଦ୍ଧତି ଉପରେ | ଉଦାହରଣ ସ୍ୱରୂପ, Ubs = 6V ଭୂଲମ୍ବ ରେଖା ପାଇଁ ଚିତ୍ର 3 (କ) ରେ, i ସହିତ ଅନୁରୂପ ବିଭିନ୍ନ ବକ୍ର ସହିତ ଏହାର ଛକ, ବକ୍ର ସହିତ ସଂଯୁକ୍ତ ib- Uss ସଂଯୋଜନାରେ ଆମର ମୂଲ୍ୟ, ଅର୍ଥାତ୍ ସ୍ଥାନାନ୍ତର ଚରିତ୍ରିକ ବକ୍ର ପାଇବା ପାଇଁ |

ପାରାମିଟରଗୁଡିକMOSFET

ଡିସି ପାରାମିଟର, ଏସି ପାରାମିଟର ଏବଂ ସୀମା ପାରାମିଟର ଅନ୍ତର୍ଭୂକ୍ତ କରି MOSFET ର ଅନେକ ପାରାମିଟର ଅଛି, କିନ୍ତୁ ସାଧାରଣ ବ୍ୟବହାରରେ କେବଳ ନିମ୍ନଲିଖିତ ମୁଖ୍ୟ ପାରାମିଟରଗୁଡିକ ଚିନ୍ତା କରିବା ଆବଶ୍ୟକ: ସାଚୁରେଟେଡ୍ ଡ୍ରେନ୍-ଉତ୍ସ କରେଣ୍ଟ୍ IDSS ପିଚ୍ ଅଫ୍ ଭୋଲଟେଜ୍ ଅପ୍, (ଜଙ୍କସନ-ପ୍ରକାର ଟ୍ୟୁବ୍ ଏବଂ ହ୍ରାସ) | -ପ୍ରକାର ଇନସୁଲେଟେଡ୍-ଗେଟ୍ ଟ୍ୟୁବ୍, କିମ୍ବା ଟର୍ନ୍ ଅନ୍ ଭୋଲଟେଜ୍ UT (ସଶକ୍ତ ଇନସୁଲେଟେଡ୍-ଗେଟ୍ ଟ୍ୟୁବ୍), ଟ୍ରାନ୍ସ-କଣ୍ଡକ୍ଟାନ୍ସ ଜିଏମ୍, ଲିକେଜ୍-ଉତ୍ସ ବ୍ରେକଡାଉନ୍ ଭୋଲଟେଜ୍ BUDS, ସର୍ବାଧିକ ବିସ୍ତୃତ ଶକ୍ତି PDSM, ଏବଂ ସର୍ବାଧିକ ଡ୍ରେନ୍-ଉତ୍ସ ସାମ୍ପ୍ରତିକ IDSM |

(1) ସାଚୁରେଟେଡ୍ ଡ୍ରେନ୍ କରେଣ୍ଟ୍ |

ସାଚୁରେଟେଡ୍ ଡ୍ରେନ୍ କରେଣ୍ଟ୍ IDSS ହେଉଛି ଏକ ଜଙ୍କସନ୍ କିମ୍ବା ହ୍ରାସ ପ୍ରକାର ଇନସୁଲେଟେଡ୍ ଗେଟ୍ MOSFET ର ଡ୍ରେନ୍ କରେଣ୍ଟ ଯେତେବେଳେ ଗେଟ୍ ଭୋଲଟେଜ୍ UGS = 0 |

(୨) କ୍ଲିପ୍ ଅଫ୍ ଭୋଲଟେଜ୍ |

ପିଚ୍ ଅଫ୍ ଭୋଲଟେଜ୍ ୟୁପି ହେଉଛି ଏକ ଜଙ୍କସନ୍-ଟାଇପ୍ କିମ୍ବା ହ୍ରାସ-ପ୍ରକାର ଇନସୁଲେଟେଡ୍-ଗେଟ୍ MOSFET ର ଗେଟ୍ ଭୋଲଟେଜ୍ ଯାହା କେବଳ ଡ୍ରେନ୍ ଏବଂ ଉତ୍ସ ମଧ୍ୟରେ କଟିଯାଏ | N- ଚ୍ୟାନେଲ୍ ଟ୍ୟୁବ୍ UGS ପାଇଁ ଏକ ID ବକ୍ର ପାଇଁ 4-25 ରେ ଦେଖାଯାଇଥିବା ପରି, IDSS ଏବଂ UP ର ମହତ୍ତ୍ୱ ଦେଖିବାକୁ ବୁ understood ିହେବ |

MOSFET ଚାରୋଟି ଅଞ୍ଚଳ |

(3) ଟର୍ନ୍ ଅନ୍ ଭୋଲଟେଜ୍ |

ଟର୍ନ୍ ଅନ୍ ଭୋଲଟେଜ୍ UT ହେଉଛି ଏକ ସଶକ୍ତ ଇନସୁଲେଟ୍-ଗେଟ୍ MOSFET ରେ ଗେଟ୍ ଭୋଲଟେଜ୍ ଯାହା ଆନ୍ତ - ଡ୍ରେନ୍-ଉତ୍ସକୁ କେବଳ କଣ୍ଡକ୍ଟିଭ୍ କରିଥାଏ |

(4) ଟ୍ରାନ୍ସକଣ୍ଡକ୍ଟାନ୍ସ |

ଟ୍ରାନ୍ସକଣ୍ଡକ୍ଟାନ୍ସ ଜିଏମ୍ ହେଉଛି ଡ୍ରେନ୍ କରେଣ୍ଟ୍ ଆଇଡି ଉପରେ ଗେଟ୍ ଉତ୍ସ ଭୋଲଟେଜ୍ UGS ର ନିୟନ୍ତ୍ରଣ କ୍ଷମତା, ଅର୍ଥାତ୍ ଡ୍ରେନ୍ କରେଣ୍ଟ୍ ଆଇଡିରେ ପରିବର୍ତ୍ତନର ଅନୁପାତ ଗେଟ୍ ଉତ୍ସ ଭୋଲଟେଜ୍ UGS ର ପରିବର୍ତ୍ତନ | 9m ହେଉଛି ଏକ ଗୁରୁତ୍ୱପୂର୍ଣ୍ଣ ପାରାମିଟର ଯାହାକି ଏହାର ବର୍ଦ୍ଧିତ କ୍ଷମତାକୁ ଓଜନ କରେ |MOSFET.

(5) ଡ୍ରେନ୍ ଉତ୍ସ ବ୍ରେକଡାଉନ୍ ଭୋଲଟେଜ୍ |

ଡ୍ରେନ୍ ଉତ୍ସ ବ୍ରେକଡାଉନ୍ ଭୋଲଟେଜ୍ BUDS ଗେଟ୍ ଉତ୍ସ ଭୋଲଟେଜ୍ UGS କୁ ସୂଚିତ କରେ, MOSFET ସାଧାରଣ କାର୍ଯ୍ୟ ସର୍ବାଧିକ ଡ୍ରେନ୍ ଉତ୍ସ ଭୋଲଟେଜ୍ ଗ୍ରହଣ କରିପାରିବ | ଏହା ଏକ ସୀମା ପାରାମିଟର, MOSFET ଅପରେଟିଂ ଭୋଲଟେଜରେ BUDS ଠାରୁ କମ୍ ହେବା ଜରୁରୀ |

(6) ସର୍ବାଧିକ ଶକ୍ତି ବିସ୍ତାର |

ସର୍ବାଧିକ ଶକ୍ତି ବିତରଣ PDSM ମଧ୍ୟ ଏକ ସୀମା ପାରାମିଟର ଅଟେ,MOSFETସର୍ବାଧିକ ଅନୁମତିପ୍ରାପ୍ତ ଲିକେଜ୍ ଉତ୍ସ ଶକ୍ତି ବିସ୍ତାର ହେଲେ କାର୍ଯ୍ୟଦକ୍ଷତା ଖରାପ ହୁଏ ନାହିଁ | MOSFET ବ୍ୟବହାରିକ ଶକ୍ତି ବ୍ୟବହାର PDSM ଠାରୁ କମ୍ ହେବା ଉଚିତ ଏବଂ ଏକ ନିର୍ଦ୍ଦିଷ୍ଟ ମାର୍ଜିନ୍ ଛାଡିବା |

(7) ସର୍ବାଧିକ ଡ୍ରେନ୍ କରେଣ୍ଟ୍ |

ସର୍ବାଧିକ ଲିକେଜ୍ ସାମ୍ପ୍ରତିକ IDSM ହେଉଛି ଅନ୍ୟ ଏକ ସୀମା ପାରାମିଟର, MOSFET ର ସାଧାରଣ କାର୍ଯ୍ୟକୁ ବୁ refers ାଏ, MOSFET ର ଅପରେଟିଂ କରେଣ୍ଟ ଦେଇ ଯିବାକୁ ଅନୁମତି ପ୍ରାପ୍ତ ସର୍ବାଧିକ କରେଣ୍ଟ୍ର ଲିକେଜ୍ ଉତ୍ସ IDSM ଅତିକ୍ରମ କରିବା ଉଚିତ୍ ନୁହେଁ |

MOSFET ଅପରେଟିଂ ପ୍ରିନ୍ସିପାଲ୍ |

MOSFET ର ଅପରେଟିଂ ସିଦ୍ଧାନ୍ତ (N- ଚ୍ୟାନେଲ ଉନ୍ନତି MOSFET) ହେଉଛି “ଇନକ୍ଟକ୍ଟିଭ୍ ଚାର୍ଜ” ର ପରିମାଣକୁ ନିୟନ୍ତ୍ରଣ କରିବା ପାଇଁ, VGS କୁ ବ୍ୟବହାର କରିବା, ଏହି “ଇଣ୍ଡକ୍ଟିଭ୍ ଚାର୍ଜ” ଦ୍ୱାରା ଗଠିତ କଣ୍ଡକ୍ଟିଭ୍ ଚ୍ୟାନେଲର ଅବସ୍ଥାକୁ ପରିବର୍ତ୍ତନ କରିବା, ଏବଂ ତାପରେ ଉଦ୍ଦେଶ୍ୟ ହାସଲ କରିବା | ଡ୍ରେନ୍ କରେଣ୍ଟକୁ ନିୟନ୍ତ୍ରଣ କରିବା | ଉଦ୍ଦେଶ୍ୟ ହେଉଛି ଡ୍ରେନ୍ କରେଣ୍ଟକୁ ନିୟନ୍ତ୍ରଣ କରିବା | ଟ୍ୟୁବ୍ ଉତ୍ପାଦନରେ, ଇନସୁଲେଟିଂ ସ୍ତରରେ ବହୁ ସଂଖ୍ୟକ ପଜିଟିଭ୍ ଆୟନ ତିଆରି ପ୍ରକ୍ରିୟା ମାଧ୍ୟମରେ, ତେଣୁ ଇଣ୍ଟରଫେସର ଅନ୍ୟ ପାର୍ଶ୍ୱରେ ଅଧିକ ନକାରାତ୍ମକ ଚାର୍ଜ ସୃଷ୍ଟି ହୋଇପାରେ, ଏହି ନକାରାତ୍ମକ ଚାର୍ଜଗୁଡ଼ିକ ପ୍ରବର୍ତ୍ତାଯାଇପାରେ |

ଯେତେବେଳେ ଗେଟ୍ ଭୋଲଟେଜ୍ ବଦଳିଯାଏ, ଚ୍ୟାନେଲରେ ପ୍ରବର୍ତ୍ତିତ ଚାର୍ଜର ପରିମାଣ ମଧ୍ୟ ବଦଳିଯାଏ, କଣ୍ଡକ୍ଟିଭ୍ ଚ୍ୟାନେଲର ମୋଟେଇ ମଧ୍ୟ ବଦଳିଯାଏ, ଏବଂ ଏହିପରି ଗେଟ୍ ଭୋଲଟେଜ୍ ସହିତ ଡ୍ରେନ୍ କରେଣ୍ଟ୍ ID ପରିବର୍ତ୍ତନ ହୁଏ |

MOSFET ଭୂମିକା |

I. MOSFET ବୃଦ୍ଧି ପାଇଁ ପ୍ରୟୋଗ କରାଯାଇପାରିବ | MOSFET ଏମ୍ପ୍ଲିଫାୟର୍ ର ଉଚ୍ଚ ଇନପୁଟ୍ ପ୍ରତିରୋଧକତା ହେତୁ, ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋଲାଇଟିକ୍ କ୍ୟାପେସିଟର ବ୍ୟବହାର ନକରି କପଲିଂ କ୍ୟାପେସିଟର ଛୋଟ କ୍ଷମତା ହୋଇପାରେ |

ଦ୍ୱିତୀୟତ M, MOSFET ର ଉଚ୍ଚ ଇନପୁଟ୍ ପ୍ରତିବନ୍ଧକ ପ୍ରତିରୋଧ ରୂପାନ୍ତର ପାଇଁ ଅତ୍ୟନ୍ତ ଉପଯୁକ୍ତ | ଇମ୍ପେଡାନ୍ସ ରୂପାନ୍ତର ପାଇଁ ସାଧାରଣତ multi ମଲ୍ଟି-ଷ୍ଟେଜ୍ ଏମ୍ପ୍ଲିଫାୟର୍ ଇନପୁଟ୍ ପର୍ଯ୍ୟାୟରେ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ |

MOSFET ଏକ ପରିବର୍ତ୍ତନଶୀଳ ପ୍ରତିରୋଧକ ଭାବରେ ବ୍ୟବହୃତ ହୋଇପାରେ |

ଚତୁର୍ଥ, MOSFET କୁ ଏକ ସ୍ଥିର ସାମ୍ପ୍ରତିକ ଉତ୍ସ ଭାବରେ ସହଜରେ ବ୍ୟବହାର କରାଯାଇପାରିବ |

ପଞ୍ଚମ, MOSFET କୁ ଏକ ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ ସୁଇଚ୍ ଭାବରେ ବ୍ୟବହାର କରାଯାଇପାରିବ |