ଏକ ଇନଭର୍ଟରର MOSFET ରେ ଉତ୍ତାପର କାରଣ କ’ଣ?

ଇନଭର୍ଟରMOSFETs |ଏକ ସୁଇଚିଂ ଅବସ୍ଥାରେ କାର୍ଯ୍ୟ କରନ୍ତୁ ଏବଂ ଟ୍ୟୁବ୍ ଦେଇ ପ୍ରବାହିତ କରେଣ୍ଟ ବହୁତ ଅଧିକ | ଯଦି ଟ୍ୟୁବ୍ ସଠିକ୍ ଭାବରେ ମନୋନୀତ ହୋଇନଥାଏ, ଡ୍ରାଇଭିଂ ଭୋଲଟେଜ୍ ପ୍ରଶସ୍ତତା ଯଥେଷ୍ଟ ବଡ଼ ନୁହେଁ କିମ୍ବା ସର୍କିଟ୍ ଉତ୍ତାପ ବିସ୍ତାର ଭଲ ନୁହେଁ, ଏହା MOSFET କୁ ଗରମ କରିପାରେ |

1, ଇନଭର୍ଟର MOSFET ଗରମ ଗମ୍ଭୀର, MOSFET ଚୟନ ଉପରେ ଧ୍ୟାନ ଦେବା ଉଚିତ |

ସୁଇଚିଂ ଅବସ୍ଥାରେ ଥିବା ଇନଭର୍ଟରରେ MOSFET, ସାଧାରଣତ its ଏହାର ଡ୍ରେନ୍ କରେଣ୍ଟକୁ ଯଥାସମ୍ଭବ ଆବଶ୍ୟକ କରେ, ଅନ୍-ପ୍ରତିରୋଧକୁ ଯଥା ସମ୍ଭବ ଛୋଟ, ଯାହା ଟ୍ୟୁବ୍ ର ସାଚୁଚରେସନ୍ ଭୋଲଟେଜ୍ ଡ୍ରପ୍ ହ୍ରାସ କରିପାରେ, ଯାହାଦ୍ୱାରା ବ୍ୟବହାର ପରେ ଟ୍ୟୁବ୍ ହ୍ରାସ ହୁଏ, ଉତ୍ତାପ କମିଯାଏ |

MOSFET ମାନୁଆଲକୁ ଯା Check ୍ଚ କର, ଆମେ ପାଇବୁ ଯେ MOSFET ର ପ୍ରତିରୋଧକ ଭୋଲଟେଜ୍ ମୂଲ୍ୟ ଯେତେ ଅଧିକ, ଏହାର ଅନ୍-ପ୍ରତିରୋଧକତା, ଏବଂ ଟ୍ୟୁବ୍ ର ଉଚ୍ଚ ଡ୍ରେନ୍ କରେଣ୍ଟ୍ ଏବଂ କମ୍ ପ୍ରତିରୋଧକ ଭୋଲଟେଜ୍ ମୂଲ୍ୟ ଥିବା ବ୍ୟକ୍ତି, ଏହାର ଅନ୍-ପ୍ରତିରୋଧ ସାଧାରଣତ ten ଦଶରୁ କମ୍ ଅଟେ | ମିଲିଅମ୍

5A ର ଏକ ଲୋଡ୍ କରେଣ୍ଟ୍ ଅନୁମାନ କରି, ଆମେ ସାଧାରଣତ used ବ୍ୟବହୃତ MOSFET RU75N08R ଏବଂ 500V 840 ର ଭୋଲ୍ଟେଜ୍ ପ୍ରତିରୋଧ ମୂଲ୍ୟ ଚୟନ କରିପାରିବା, ସେମାନଙ୍କର ଡ୍ରେନ୍ କରେଣ୍ଟ୍ 5A କିମ୍ବା ଅଧିକ, କିନ୍ତୁ ଦୁଇଟି ଟ୍ୟୁବ୍ ର ପ୍ରତିରୋଧ ଭିନ୍ନ, ସମାନ କରେଣ୍ଟ୍ ଚଲାନ୍ତୁ | , ସେମାନଙ୍କର ଉତ୍ତାପ ପାର୍ଥକ୍ୟ ବହୁତ ବଡ | 75N08R ଅନ୍-ପ୍ରତିରୋଧ କେବଳ 0.008Ω ହୋଇଥିବାବେଳେ, 840 ର ଅନ୍-ପ୍ରତିରୋଧ 0.85Ω, ଯେତେବେଳେ ଟ୍ୟୁବ୍ ଦେଇ ପ୍ରବାହିତ ଲୋଡ୍ କରେଣ୍ଟ୍ 5A, 75N08R ଟ୍ୟୁବ୍ ଭୋଲଟେଜ୍ ଡ୍ରପ୍ ମାତ୍ର 0.04V, ଏହି ସମୟରେ, MOSFET ଟ୍ୟୁବ୍ ବ୍ୟବହାର ହେଉଛି | କେବଳ 0.2W, ଯେତେବେଳେ 840 ଟ୍ୟୁବ୍ ଭୋଲଟେଜ୍ ଡ୍ରପ୍ 4.25W ପର୍ଯ୍ୟନ୍ତ ହୋଇପାରେ, ଟ୍ୟୁବ୍ ବ୍ୟବହାର 21.25W ପର୍ଯ୍ୟନ୍ତ ଅଧିକ | ଏଥିରୁ ଏହା ଦେଖାଯାଇପାରେ, ଇନଭର୍ଟରର MOSFET ର ଅନ୍-ପ୍ରତିରୋଧ ଯେତେ ଭଲ, ଟ୍ୟୁବ୍ ର ପ୍ରତିରୋଧକତା ବଡ଼, ଉଚ୍ଚ କରେଣ୍ଟ ତଳେ ଟ୍ୟୁବ୍ ବ୍ୟବହାର ଇନଭର୍ଟରର MOSFET ର ପ୍ରତିରୋଧ ଯେତେ ଛୋଟ | ଯଥାସମ୍ଭବ

2, ଡ୍ରାଇଭିଂ ଭୋଲଟେଜ୍ ଏମ୍ପିଲିଟ୍ୟୁଡ୍ ର ଡ୍ରାଇଭିଂ ସର୍କିଟ୍ ଯଥେଷ୍ଟ ବଡ଼ ନୁହେଁ |

MOSFET ହେଉଛି ଏକ ଭୋଲଟେଜ୍ କଣ୍ଟ୍ରୋଲ୍ ଡିଭାଇସ୍, ଯଦି ଆପଣ ଟ୍ୟୁବ୍ ବ୍ୟବହାରକୁ ହ୍ରାସ କରିବାକୁ ଚାହୁଁଛନ୍ତି, ଉତ୍ତାପକୁ ହ୍ରାସ କରନ୍ତୁ,MOSFETଗେଟ୍ ଡ୍ରାଇଭ୍ ଭୋଲଟେଜ୍ ପ୍ରଶସ୍ତତା ନାଡିର ଧାରକୁ ଖାଲ ଏବଂ ସିଧା ହେବା ପାଇଁ ଯଥେଷ୍ଟ ବଡ଼ ହେବା ଉଚିତ, ଆପଣ ଟ୍ୟୁବ୍ ଭୋଲଟେଜ୍ ଡ୍ରପ୍ ହ୍ରାସ କରିପାରିବେ, ଟ୍ୟୁବ୍ ବ୍ୟବହାରକୁ ହ୍ରାସ କରିପାରିବେ |

3, MOSFET ଉତ୍ତାପ ବିସ୍ତାର ଭଲ କାରଣ ନୁହେଁ |

ଇନଭର୍ଟରMOSFETଗରମ ଗମ୍ଭୀର ଅଟେ | ଯେହେତୁ ଇନଭର୍ଟର MOSFET ଶକ୍ତି ବ୍ୟବହାର ବୃହତ ଅଟେ, କାର୍ଯ୍ୟ ସାଧାରଣତ the ହେଟ୍ସିଙ୍କ୍ର ଏକ ବୃହତ ବାହ୍ୟ କ୍ଷେତ୍ର ଆବଶ୍ୟକ କରେ, ଏବଂ ହିଟ୍ସିଙ୍କ ମଧ୍ୟରେ ବାହ୍ୟ ହିଟ୍ସିଙ୍କ୍ ଏବଂ MOSFET ନିଜେ ଘନିଷ୍ଠ ସମ୍ପର୍କରେ ରହିବା ଉଚିତ୍ (ସାଧାରଣତ the ଥର୍ମାଲି କଣ୍ଡକ୍ଟିଭ୍ ସିଲିକନ୍ ଗ୍ରୀସ୍ ସହିତ ଆବୃତ ହେବା ଆବଶ୍ୟକ | ), ଯଦି ବାହ୍ୟ ହିଟ୍ସିଙ୍କ୍ ଛୋଟ, କିମ୍ବା MOSFET ର ନିଜସ୍ୱ ହିଟ୍ସିଙ୍କ ସହିତ ଯୋଗାଯୋଗ ଯଥେଷ୍ଟ ନିକଟତର ନହୁଏ, ତେବେ ଟ୍ୟୁବ୍ ଗରମ ହୋଇପାରେ |

ଇନଭର୍ଟର MOSFET ଗରମ ଗମ୍ଭୀରତା ସାରାଂଶ ପାଇଁ ଚାରୋଟି କାରଣ ଅଛି |

MOSFET ସାମାନ୍ୟ ଗରମ କରିବା ଏକ ସାଧାରଣ ଘଟଣା, କିନ୍ତୁ ଗମ୍ଭୀର ଉତ୍ତାପ, ଏପରିକି ଟ୍ୟୁବ୍ କୁ ଜଳିଯାଏ, ନିମ୍ନଲିଖିତ ଚାରୋଟି କାରଣ ଅଛି:

1, ସର୍କିଟ୍ ଡିଜାଇନ୍ ର ସମସ୍ୟା |

ସୁଇଚ୍ ସର୍କିଟ୍ ସ୍ଥିତି ଅପେକ୍ଷା MOSFET କୁ ଏକ ର ar ଖ୍ୟ ଅପରେଟିଂ ଅବସ୍ଥାରେ କାମ କରିବାକୁ ଦିଅ | ଏହା ମଧ୍ୟ MOSFET ଉତ୍ତାପର ଅନ୍ୟତମ କାରଣ | ଯଦି N-MOS ସୁଇଚିଂ କରୁଛି, ଜି-ଲେଭଲ୍ ଭୋଲଟେଜ୍ ବିଦ୍ୟୁତ୍ ଯୋଗାଣ ଠାରୁ କିଛି V ଅଧିକ ହେବା ଆବଶ୍ୟକ, ଯେତେବେଳେ କି P-MOS ବିପରୀତ ଅଟେ | ସଂପୂର୍ଣ୍ଣ ଭାବେ ଖୋଲା ନାହିଁ ଏବଂ ବିଦ୍ୟୁତ୍ ବ୍ୟବହାରରେ ଭୋଲଟେଜ୍ ଡ୍ରପ୍ ବହୁତ ବଡ ଅଟେ, ସମାନ ଡିସି ପ୍ରତିରୋଧ ଅଧିକ, ଭୋଲଟେଜ୍ ଡ୍ରପ୍ ବ increases େ, ତେଣୁ U * I ମଧ୍ୟ ବ increases େ, କ୍ଷତିର ଅର୍ଥ ହେଉଛି ଉତ୍ତାପ | ସର୍କିଟ୍ ର ଡିଜାଇନ୍ରେ ଏହା ହେଉଛି ସବୁଠାରୁ ଅଧିକ ତ୍ରୁଟି |

2, ଅତ୍ୟଧିକ ଉଚ୍ଚତା |

ଏହାର ମୁଖ୍ୟ କାରଣ ହେଉଛି ବେଳେବେଳେ ଭଲ୍ୟୁମର ଅତ୍ୟଧିକ ଅନୁସରଣ, ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସି ବ increased ିଥାଏ, MOSFET ବୃହତ ଉପରେ କ୍ଷତି ହୁଏ, ତେଣୁ ଉତ୍ତାପ ମଧ୍ୟ ବୃଦ୍ଧି ପାଇଥାଏ |

3, ପର୍ଯ୍ୟାପ୍ତ ତାପଜ ଡିଜାଇନ୍ ନୁହେଁ |

ଯଦି କରେଣ୍ଟ୍ ଅତ୍ୟଧିକ ଅଧିକ, MOSFET ର ନାମିକ ସାମ୍ପ୍ରତିକ ମୂଲ୍ୟ, ସାଧାରଣତ achieve ହାସଲ କରିବାକୁ ଭଲ ଉତ୍ତାପ ବିସ୍ତାର ଆବଶ୍ୟକ କରେ | ତେଣୁ ID ସର୍ବାଧିକ କରେଣ୍ଟ ଠାରୁ କମ୍, ଏହା ମଧ୍ୟ ଖରାପ ଗରମ ହୋଇପାରେ, ଯଥେଷ୍ଟ ସହାୟକ ଉତ୍ତାପ ସିଙ୍କ ଆବଶ୍ୟକ କରେ |

4, MOSFET ଚୟନ ଭୁଲ ଅଟେ |

ଶକ୍ତିର ଭୁଲ ବିଚାର, MOSFET ଆଭ୍ୟନ୍ତରୀଣ ପ୍ରତିରୋଧକୁ ସମ୍ପୂର୍ଣ୍ଣ ଭାବରେ ବିବେଚନା କରାଯାଏ ନାହିଁ, ଫଳସ୍ୱରୂପ ସୁଇଚିଙ୍ଗ୍ ପ୍ରତିରୋଧ ବୃଦ୍ଧି ପାଇଲା |