MOSFET ର କାର୍ଯ୍ୟ ନୀତିକୁ ବୁନ୍ତୁ ଏବଂ ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ ଉପାଦାନଗୁଡ଼ିକୁ ଅଧିକ ଦକ୍ଷତାର ସହିତ ପ୍ରୟୋଗ କରନ୍ତୁ |

ଯେତେବେଳେ MOSFET ର ଗେଟ୍-ସୋର୍ସ ଭୋଲଟେଜ୍ (VGS) ଶୂନ୍ୟ, ଡ୍ରେନ୍-ସୋର୍ସ ଭୋଲଟେଜ୍ (VDS) ର ପ୍ରୟୋଗ ସହିତ, ସର୍ବଦା ଓଲଟା ଦ୍ୱିପାକ୍ଷିକରେ ଏକ PN ଜଙ୍କସନ ଥାଏ, ଫଳସ୍ୱରୂପ କ conduct ଣସି କଣ୍ଡକ୍ଟିଭ୍ ଚ୍ୟାନେଲ୍ (ଏବଂ କ current ଣସି କରେଣ୍ଟ୍) ନଥାଏ | MOSFET ର ଡ୍ରେନ୍ ଏବଂ ଉତ୍ସ | ଏହି ଅବସ୍ଥାରେ, MOSFET ର ଡ୍ରେନ୍ କରେଣ୍ଟ୍ (ID) ଶୂନ୍ୟ | ଗେଟ୍ ଏବଂ ଉତ୍ସ (VGS> 0) ମଧ୍ୟରେ ଏକ ସକରାତ୍ମକ ଭୋଲଟେଜ୍ ପ୍ରୟୋଗ କରିବା ଦ୍ M ାରା MOSFET ର ଗେଟ୍ ଏବଂ ସିଲିକନ୍ ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ମଧ୍ୟରେ ଥିବା SiO2 ଇନସୁଲେଟିଂ ସ୍ତରରେ ଏକ ବ electric ଦ୍ୟୁତିକ କ୍ଷେତ୍ର ସୃଷ୍ଟି ହୁଏ, ଯାହା ଫାଟକରୁ P- ପ୍ରକାର ସିଲିକନ୍ ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ଆଡକୁ ନିର୍ଦ୍ଦେଶିତ | ଅକ୍ସାଇଡ୍ ସ୍ତର ଇନସୁଲେଟିଂ ଦିଆଯାଉଛି, ଗେଟ୍ ଉପରେ ପ୍ରୟୋଗ ହୋଇଥିବା ଭୋଲଟେଜ୍, VGS, MOSFET ରେ ଏକ କରେଣ୍ଟ ସୃଷ୍ଟି କରିପାରିବ ନାହିଁ | ଏହା ପରିବର୍ତ୍ତେ, ଏହା ଅକ୍ସାଇଡ୍ ସ୍ତରରେ ଏକ କ୍ୟାପେସିଟର୍ ଗଠନ କରେ |

ଯେହେତୁ VGS ଧୀରେ ଧୀରେ ବ increases େ, କ୍ୟାପେସିଟର୍ ଚାର୍ଜ ହୁଏ, ଏକ ବ electric ଦ୍ୟୁତିକ କ୍ଷେତ୍ର ସୃଷ୍ଟି କରେ | ଗେଟରେ ପଜିଟିଭ୍ ଭୋଲଟେଜ୍ ଦ୍ୱାରା ଆକର୍ଷିତ ହୋଇ, ଅନେକ ଇଲେକ୍ଟ୍ରନ୍ କ୍ୟାପେସିଟରର ଅନ୍ୟ ପାର୍ଶ୍ୱରେ ଜମା ହୋଇ ଡ୍ରେନ୍ ଠାରୁ MOSFET ର ଉତ୍ସ ପର୍ଯ୍ୟନ୍ତ ଏକ N- ପ୍ରକାର କଣ୍ଡକ୍ଟିଭ୍ ଚ୍ୟାନେଲ୍ ଗଠନ କରନ୍ତି | ଯେତେବେଳେ VGS ଥ୍ରେସହୋଲ୍ଡ ଭୋଲଟେଜ୍ VT (ସାଧାରଣତ 2 2V) ଅତିକ୍ରମ କରେ, MOSFET ର N- ଚ୍ୟାନେଲ୍, ଡ୍ରେନ୍ କରେଣ୍ଟ୍ ID ର ପ୍ରବାହ ଆରମ୍ଭ କରେ | ଯେଉଁ ଗେଟ୍-ଉତ୍ସ ଭୋଲଟେଜ୍ ଯେଉଁଠାରେ ଚ୍ୟାନେଲ୍ ଗଠନ ହେବାକୁ ଆରମ୍ଭ କରେ, ତାହାକୁ ଥ୍ରେସହୋଲ୍ଡ ଭୋଲଟେଜ୍ VT କୁହାଯାଏ | VGS ର ପରିମାଣକୁ ନିୟନ୍ତ୍ରଣ କରି, ଏବଂ ଫଳସ୍ୱରୂପ ବ electric ଦ୍ୟୁତିକ କ୍ଷେତ୍ର, MOSFET ରେ ଥିବା ଡ୍ରେନ୍ କରେଣ୍ଟ୍ ID ର ଆକାରକୁ ମଡ୍ୟୁଲେଟ୍ କରାଯାଇପାରିବ |