ଏକ ବଡି ଡାୟୋଡ୍ ଏବଂ MOSFET ମଧ୍ୟରେ ପାର୍ଥକ୍ୟ |

ଏକ ବଡି ଡାୟୋଡ୍ ଏବଂ MOSFET ମଧ୍ୟରେ ପାର୍ଥକ୍ୟ |

ପୋଷ୍ଟ ସମୟ: ସେପ୍ଟେମ୍ବର -20-2024 |

ବଡି ଡାୟୋଡ୍ (ଯାହା ପ୍ରାୟତ simply ଏକ ନିୟମିତ ଡାୟୋଡ୍ ଭାବରେ ଶବ୍ଦ ଭାବରେ କୁହାଯାଏ |ଶରୀର ଡାୟୋଡ୍ |ସାଧାରଣତ regular ନିୟମିତ ପ୍ରସଙ୍ଗରେ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ ନାହିଁ ଏବଂ ଡାୟୋଡ୍ ର ଏକ ଚରିତ୍ରଗତ କିମ୍ବା ଗଠନକୁ ସୂଚାଇପାରେ | ତଥାପି, ଏହି ଉଦ୍ଦେଶ୍ୟ ପାଇଁ, ଆମେ ଅନୁମାନ କରୁ ଏହା ଏକ ମାନକ ଡାୟୋଡ୍ କୁ ସୂଚିତ କରେ) ଏବଂ MOSFET (ମେଟାଲ୍ ଅକ୍ସାଇଡ୍ ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ଫିଲ୍ଡ ଇଫେକ୍ଟ ଟ୍ରାନଜିଷ୍ଟର) ବିଭିନ୍ନ ଦିଗରେ ଯଥେଷ୍ଟ ଭିନ୍ନ | ନିମ୍ନରେ ସେମାନଙ୍କର ପାର୍ଥକ୍ୟର ବିସ୍ତୃତ ବିଶ୍ଳେଷଣ ଦିଆଯାଇଛି:

ଏକ ବଡି ଡାୟୋଡ୍ ଏବଂ MOSFET ମଧ୍ୟରେ ପାର୍ଥକ୍ୟ |

ମ Basic ଳିକ ସଂଜ୍ଞା ଏବଂ ଗଠନ

 

- ଡାୟୋଡ୍: ଏକ ଡାୟୋଡ୍ ହେଉଛି ଦୁଇଟି ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋଡ୍ ସହିତ ଏକ ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ଉପକରଣ, ଯାହା P- ପ୍ରକାର ଏବଂ N- ପ୍ରକାର ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ଦ୍ୱାରା ଗଠିତ, ଏକ PN ଜଙ୍କସନ ଗଠନ କରେ | ଓଲଟା ପ୍ରବାହକୁ (ଓଲଟା ଦ୍ୱିପାକ୍ଷିକ) ଅବରୋଧ କରୁଥିବାବେଳେ ଏହା କେବଳ ସକାରାତ୍ମକରୁ ନକାରାତ୍ମକ ଦିଗକୁ (ଫରୱାର୍ଡ ଦ୍ୱିପାକ୍ଷିକ) ପ୍ରବାହକୁ ଅନୁମତି ଦିଏ |

- MOSFET: ଏକ MOSFET ହେଉଛି ଏକ ତିନି-ଟର୍ମିନାଲ୍ ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ଉପକରଣ ଯାହା କରେଣ୍ଟକୁ ନିୟନ୍ତ୍ରଣ କରିବା ପାଇଁ ବ electric ଦ୍ୟୁତିକ କ୍ଷେତ୍ର ପ୍ରଭାବ ବ୍ୟବହାର କରେ | ଏଥିରେ ଏକ ଗେଟ୍ (G), ଉତ୍ସ (S), ଏବଂ ଡ୍ରେନ୍ (D) ଥାଏ | ଉତ୍ସ ଏବଂ ଡ୍ରେନ୍ ମଧ୍ୟରେ କରେଣ୍ଟ ଗେଟ୍ ଭୋଲଟେଜ୍ ଦ୍ୱାରା ନିୟନ୍ତ୍ରିତ |

 

କାର୍ଯ୍ୟ ନୀତି

 

- ଡାୟୋଡ୍: PN ଜଙ୍କସନର ଏକତରୀୟ କଣ୍ଡକ୍ଟିଭିଟି ଉପରେ ଏକ ଡାୟୋଡ୍ ର କାର୍ଯ୍ୟ ନୀତି | ଅଗ୍ରଗାମୀ ଦ୍ as ାରା, ବାହକ (ଛିଦ୍ର ଏବଂ ଇଲେକ୍ଟ୍ରନ୍) ଏକ କରେଣ୍ଟ ଗଠନ ପାଇଁ PN ଜଙ୍କସନ ମଧ୍ୟରେ ବିସ୍ତାର ହୁଏ; ଓଲଟା ପକ୍ଷପାତରେ, ସାମ୍ପ୍ରତିକ ପ୍ରବାହକୁ ରୋକିବା ପାଇଁ ଏକ ସମ୍ଭାବ୍ୟ ପ୍ରତିବନ୍ଧକ ସୃଷ୍ଟି ହୁଏ |

 

- MOSFET: ଏକ MOSFET ର କାର୍ଯ୍ୟ ନୀତି ବ electric ଦ୍ୟୁତିକ କ୍ଷେତ୍ର ପ୍ରଭାବ ଉପରେ ଆଧାରିତ | ଯେତେବେଳେ ଗେଟ୍ ଭୋଲଟେଜ୍ ପରିବର୍ତ୍ତନ ହୁଏ, ଏହା ଉତ୍ସ ଏବଂ ଡ୍ରେନ୍ ମଧ୍ୟରେ କରେଣ୍ଟକୁ ନିୟନ୍ତ୍ରଣ କରି ଗେଟ୍ ତଳେ ଥିବା ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ପୃଷ୍ଠରେ ଏକ କଣ୍ଡକ୍ଟିଭ୍ ଚ୍ୟାନେଲ୍ (N- ଚ୍ୟାନେଲ୍ କିମ୍ବା ପି-ଚ୍ୟାନେଲ୍) ସୃଷ୍ଟି କରେ | ଇନପୁଟ୍ ଭୋଲଟେଜ୍ ଉପରେ ନିର୍ଭର କରି ଆଉଟପୁଟ୍ କରେଣ୍ଟ୍ ସହିତ MOSFET ଗୁଡିକ ଭୋଲଟେଜ୍ ନିୟନ୍ତ୍ରିତ ଉପକରଣ |

 

3। କାର୍ଯ୍ୟଦକ୍ଷତା ଗୁଣ

 

- ଡାୟୋଡ୍:

- ଉଚ୍ଚ-ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସି ଏବଂ ସ୍ୱଳ୍ପ ଶକ୍ତି ପ୍ରୟୋଗ ପାଇଁ ଉପଯୁକ୍ତ |

- ଏକତରୀୟ କଣ୍ଡକ୍ଟିଭିଟି ଅଛି, ଏହାକୁ ସଂଶୋଧନ, ଚିହ୍ନଟ, ଏବଂ ଭୋଲଟେଜ୍ ରେଗୁଲେସନ ସର୍କିଟରେ ଏକ ପ୍ରମୁଖ ଉପାଦାନ କରିଥାଏ |

- ରିଭର୍ସ ବ୍ରେକଡାଉନ୍ ଭୋଲଟେଜ୍ ଏକ ଗୁରୁତ୍ୱପୂର୍ଣ୍ଣ ପାରାମିଟର ଏବଂ ଓଲଟା ବ୍ରେକଡାଉନ୍ ସମସ୍ୟାକୁ ଏଡାଇବା ପାଇଁ ଡିଜାଇନ୍ରେ ବିଚାର କରାଯିବା ଆବଶ୍ୟକ |

 

- MOSFET:

- ଉଚ୍ଚ ଇନପୁଟ୍ ପ୍ରତିରୋଧ, କମ୍ ଶବ୍ଦ, କମ୍ ଶକ୍ତି ବ୍ୟବହାର ଏବଂ ଭଲ ତାପଜ ସ୍ଥିରତା ଅଛି |

- ବଡ଼ ଆକାରର ଇଣ୍ଟିଗ୍ରେଟେଡ୍ ସର୍କିଟ୍ ଏବଂ ପାୱାର ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ସ ପାଇଁ ଉପଯୁକ୍ତ |

- MOSFET ଗୁଡିକ N- ଚ୍ୟାନେଲ ଏବଂ ପି-ଚ୍ୟାନେଲ ପ୍ରକାରରେ ବିଭକ୍ତ, ଯାହାର ପ୍ରତ୍ୟେକଟି ଉନ୍ନତି-ମୋଡ୍ ଏବଂ ହ୍ରାସ-ମୋଡ୍ କିସମରେ ଆସେ |

- ସାଚୁଚରେସନ୍ ଅଞ୍ଚଳରେ ବର୍ତ୍ତମାନର ସ୍ଥିର ସହିତ ଭଲ ସ୍ଥିର ସାମ୍ପ୍ରତିକ ବ characteristics ଶିଷ୍ଟ୍ୟଗୁଡିକ ପ୍ରଦର୍ଶିତ କରେ |

 

4। ପ୍ରୟୋଗ କ୍ଷେତ୍ରଗୁଡିକ |

 

- ଡାୟୋଡ୍: ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ସ, ଯୋଗାଯୋଗ ଏବଂ ବିଦ୍ୟୁତ୍ ଯୋଗାଣ କ୍ଷେତ୍ରରେ ବ୍ୟାପକ ଭାବରେ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ ଯେପରିକି ରେକ୍ଟିଫିକେସନ୍ ସର୍କିଟ୍, ଭୋଲଟେଜ୍ ରେଗୁଲେସନ ସର୍କିଟ୍ ଏବଂ ଚିହ୍ନଟ ସର୍କିଟ୍ |

 

- ମୋସଫେଟ୍: ଇଣ୍ଟିଗ୍ରେଟେଡ୍ ସର୍କିଟ୍, ପାୱାର୍ ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ସ, କମ୍ପ୍ୟୁଟର ଏବଂ ଯୋଗାଯୋଗରେ ଏକ ଗୁରୁତ୍ୱପୂର୍ଣ୍ଣ ଭୂମିକା ଗ୍ରହଣ କରିଥାଏ, ଯାହାକି ସୁଇଚ୍ ଉପାଦାନ, ବର୍ଦ୍ଧିତ ଉପାଦାନ ଏବଂ ଡ୍ରାଇଭିଂ ଉପାଦାନ ଭାବରେ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ |

 

ସିଦ୍ଧାନ୍ତ

 

ଡାୟୋଡ୍ ଏବଂ MOSFET ଗୁଡିକ ସେମାନଙ୍କର ମ basic ଳିକ ସଂଜ୍ଞା, ସଂରଚନା, କାର୍ଯ୍ୟ ନୀତି, କାର୍ଯ୍ୟଦକ୍ଷତା, ଏବଂ ପ୍ରୟୋଗ କ୍ଷେତ୍ରରେ ଭିନ୍ନ | ସେମାନଙ୍କର ଏକତରୀୟ କଣ୍ଡକ୍ଟିଭିଟି ହେତୁ ସଂଶୋଧନ ଏବଂ ଭୋଲଟେଜ୍ ନିୟନ୍ତ୍ରଣରେ ଡାୟୋଡ୍ ଏକ ପ୍ରମୁଖ ଭୂମିକା ଗ୍ରହଣ କରିଥାଏ, ଯେତେବେଳେ MOSFET ଗୁଡିକ ଇଣ୍ଟିଗ୍ରେଟେଡ୍ ସର୍କିଟ୍ ଏବଂ ପାୱାର ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ସରେ ଅଧିକ ଇନପୁଟ୍ ପ୍ରତିରୋଧ, କମ୍ ଶବ୍ଦ ଏବଂ ସ୍ୱଳ୍ପ ଶକ୍ତି ବ୍ୟବହାର ହେତୁ ବହୁଳ ଭାବରେ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ | ଆଧୁନିକ ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ ଟେକ୍ନୋଲୋଜି ପାଇଁ ଉଭୟ ଉପାଦାନ ମ fundamental ଳିକ, ପ୍ରତ୍ୟେକ ନିଜ ନିଜର ସୁବିଧା ପ୍ରଦାନ କରନ୍ତି |


ସମ୍ବନ୍ଧିତବିଷୟବସ୍ତୁ