ଛୋଟ ପ୍ୟାକେଜ୍ MOSFETs

ଯେତେବେଳେ MOSFET ବସ୍ ଏବଂ ଲୋଡ୍ ଗ୍ରାଉଣ୍ଡ ସହିତ ସଂଯୁକ୍ତ, ଏକ ହାଇ ଭୋଲଟେଜ୍ ସାଇଡ୍ ସୁଇଚ୍ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ | ପ୍ରାୟତ P P- ଚ୍ୟାନେଲ୍ |MOSFETs |ପୁନର୍ବାର ଭୋଲଟେଜ୍ ଡ୍ରାଇଭ୍ ବିଚାର ପାଇଁ ଏହି ଟପୋଲୋଜିରେ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ | ସାମ୍ପ୍ରତିକ ମୂଲ୍ୟାୟନ ନିର୍ଣ୍ଣୟ କରିବା ଦ୍ୱିତୀୟ ପଦକ୍ଷେପ ହେଉଛି MOSFET ର ସାମ୍ପ୍ରତିକ ମୂଲ୍ୟାୟନ ଚୟନ କରିବା | ସର୍କିଟ ଗଠନ ଉପରେ ନିର୍ଭର କରି, ଏହି ସାମ୍ପ୍ରତିକ ମୂଲ୍ୟାୟନ ସର୍ବାଧିକ କରେଣ୍ଟ ହେବା ଉଚିତ ଯାହା ଭାର ସମସ୍ତ ପରିସ୍ଥିତିରେ ସହ୍ୟ କରିପାରିବ |

ଭୋଲଟେଜ୍ ପରି, ଡିଜାଇନର୍ ନିଶ୍ଚିତ ହେବା ଆବଶ୍ୟକ ଯେ ମନୋନୀତ |MOSFETସିଷ୍ଟମ୍ ସ୍ପାଇକ୍ କରେଣ୍ଟ ସୃଷ୍ଟି କରୁଥିବାବେଳେ ମଧ୍ୟ ଏହି ସାମ୍ପ୍ରତିକ ମୂଲ୍ୟାୟନକୁ ସହ୍ୟ କରିପାରିବ | ବିବେଚନା କରାଯାଉଥିବା ଦୁଇଟି ସାମ୍ପ୍ରତିକ ମାମଲା ହେଉଛି କ୍ରମାଗତ ମୋଡ୍ ଏବଂ ନାଡ ସ୍ପାଇକ୍ | ଏହି ପାରାମିଟରକୁ FDN304P DATASHEET ଦ୍ୱାରା ସୂଚିତ କରାଯାଇଛି, ଯେଉଁଠାରେ MOSFET କ୍ରମାଗତ ଚାଳନା ମୋଡରେ ସ୍ଥିର ଅବସ୍ଥାରେ ଅଛି, ଯେତେବେଳେ ଉପକରଣଟି କ୍ରମାଗତ ଭାବରେ ପ୍ରବାହିତ ହେଉଛି |

ପଲ୍ସ ସ୍ପାଇକ୍ ଗୁଡିକ ଯେତେବେଳେ ଡିଭାଇସ୍ ମାଧ୍ୟମରେ ପ୍ରବାହିତ ଏକ ବୃହତ ବୃଦ୍ଧି (କିମ୍ବା ସ୍ପାଇକ୍) ଥାଏ | ଥରେ ଏହି ସର୍ତ୍ତଗୁଡିକରେ ସର୍ବାଧିକ କରେଣ୍ଟ ସ୍ଥିର ହୋଇଗଲେ, ଏହା କେବଳ ଏକ ଉପକରଣ ବାଛିବା ଯାହାକି ଏହି ସର୍ବାଧିକ କରେଣ୍ଟକୁ ସହ୍ୟ କରିପାରିବ |

ରେଟେଡ୍ କରେଣ୍ଟ୍ ଚୟନ କରିବା ପରେ, ଚାଳନା କ୍ଷତି ମଧ୍ୟ ଗଣନା କରାଯିବା ଆବଶ୍ୟକ | ଅଭ୍ୟାସରେ, MOSFET ଗୁଡିକ ଆଦର୍ଶ ଉପକରଣ ନୁହେଁ କାରଣ କଣ୍ଡକ୍ଟିଭ୍ ପ୍ରକ୍ରିୟା ସମୟରେ ଶକ୍ତି କ୍ଷୟ ହୋଇଥାଏ, ଯାହାକୁ କଣ୍ଡକ୍ଟେସନ୍ କ୍ଷତି କୁହାଯାଏ |

MOSFET ଏକ ପରିବର୍ତ୍ତନଶୀଳ ପ୍ରତିରୋଧକ ଭାବରେ କାର୍ଯ୍ୟ କରେ ଯେତେବେଳେ ଏହା “ଅନ୍” ଥାଏ, ଯେପରି ଉପକରଣର RDS (ON) ଦ୍ determined ାରା ନିର୍ଣ୍ଣୟ କରାଯାଇଥାଏ ଏବଂ ତାପମାତ୍ରା ସହିତ ଯଥେଷ୍ଟ ଭିନ୍ନ ହୋଇଥାଏ | ଡିଭାଇସ୍ ର ଶକ୍ତି ବିସ୍ତାର Iload2 x RDS (ON) ରୁ ଗଣନା କରାଯାଇପାରେ, ଏବଂ ଅନ୍-ପ୍ରତିରୋଧକ ତାପମାତ୍ରା ସହିତ ଭିନ୍ନ ହୋଇଥିବାରୁ ଶକ୍ତି ବିସ୍ତାର ଆନୁପାତିକ ଭାବରେ ଭିନ୍ନ ହୋଇଥାଏ | MOSFET ରେ ପ୍ରୟୋଗ ହୋଇଥିବା ଭୋଲଟେଜ୍ VGS ଯେତେ ଅଧିକ, RDS (ON) ଛୋଟ ହେବ; ଅପରପକ୍ଷେ, RDS (ON) ଅଧିକ ହେବ | ସିଷ୍ଟମ୍ ଡିଜାଇନର୍ ପାଇଁ, ସିଷ୍ଟମ୍ ଭୋଲଟେଜ୍ ଉପରେ ନିର୍ଭର କରି ଟ୍ରେଡ୍ ଅଫ୍ ଖେଳାଯାଏ | ପୋର୍ଟେବଲ୍ ଡିଜାଇନ୍ ପାଇଁ, ଲୋ ଭୋଲଟେଜ୍ ବ୍ୟବହାର କରିବା ସହଜ (ଏବଂ ଅଧିକ ସାଧାରଣ) ହୋଇଥିବାବେଳେ ଶିଳ୍ପ ଡିଜାଇନ୍ ପାଇଁ ଉଚ୍ଚ ଭୋଲ୍ଟେଜ୍ ବ୍ୟବହାର କରାଯାଇପାରିବ |

ଧ୍ୟାନ ଦିଅନ୍ତୁ ଯେ RDS (ON) ପ୍ରତିରୋଧ କରେଣ୍ଟ ସହିତ ସାମାନ୍ୟ ବ ises େ | RDS (ON) ରେଜେଷ୍ଟରର ବିଭିନ୍ନ ବ electrical ଦ୍ୟୁତିକ ପାରାମିଟରଗୁଡ଼ିକ ଉପରେ ପରିବର୍ତ୍ତନଗୁଡ଼ିକ ନିର୍ମାତା ଦ୍ୱାରା ପ୍ରଦତ୍ତ ବ technical ଷୟିକ ତଥ୍ୟ ସିଟ୍ରେ ମିଳିପାରିବ |

ତାପଜ ଆବଶ୍ୟକତା ନିର୍ଣ୍ଣୟ କରିବା MOSFET ବାଛିବାରେ ପରବର୍ତ୍ତୀ ପଦକ୍ଷେପ ହେଉଛି ସିଷ୍ଟମର ତାପଜ ଆବଶ୍ୟକତା ଗଣନା କରିବା | ଡିଜାଇନର୍ ନିଶ୍ଚିତ ଭାବରେ ଦୁଇଟି ଭିନ୍ନ ପରିସ୍ଥିତି, ଖରାପ ମାମଲା ଏବଂ ପ୍ରକୃତ ମାମଲା ବିଷୟରେ ବିଚାର କରିବା ଆବଶ୍ୟକ | ଖରାପ ପରିସ୍ଥିତି ପାଇଁ ଗଣନାକୁ ବ୍ୟବହାର କରିବାକୁ ପରାମର୍ଶ ଦିଆଯାଇଛି, କାରଣ ଏହି ଫଳାଫଳ ନିରାପତ୍ତାର ଏକ ବୃହତ ମାର୍ଜିନ ଯୋଗାଇଥାଏ ଏବଂ ସିଷ୍ଟମ ବିଫଳ ହେବ ନାହିଁ ବୋଲି ସୁନିଶ୍ଚିତ କରେ |

ଏହା ଉପରେ ସଚେତନ ହେବା ପାଇଁ କିଛି ମାପ ମଧ୍ୟ ଅଛି |MOSFETଡାଟାସିଟ୍; ଯେପରିକି ପ୍ୟାକେଜ୍ ଉପକରଣର ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ଜଙ୍କସନ ଏବଂ ପରିବେଶ ପରିବେଶ ମଧ୍ୟରେ ତାପଜ ପ୍ରତିରୋଧ, ଏବଂ ସର୍ବାଧିକ ଜଙ୍କସନ ତାପମାତ୍ରା | ଡିଭାଇସର ଜଙ୍କସନ ତାପମାତ୍ରା ସର୍ବାଧିକ ପରିବେଶ ତାପମାତ୍ରା ସହିତ ତାପଜ ପ୍ରତିରୋଧ ଏବଂ ଶକ୍ତି ବିସ୍ତାରର ଉତ୍ପାଦ ସହିତ ସମାନ (ଜଙ୍କସନ ତାପମାତ୍ରା = ସର୍ବାଧିକ ପରିବେଶ ତାପମାତ୍ରା + [ତାପଜ ପ୍ରତିରୋଧ x ଶକ୍ତି ବିସ୍ତାର]) | ଏହି ସମୀକରଣରୁ ସିଷ୍ଟମର ସର୍ବାଧିକ ଶକ୍ତି ବିସ୍ତାର ସମାଧାନ ହୋଇପାରିବ, ଯାହା I2 x RDS (ON) ସହିତ ସମାନ ପରିଭାଷା ଅଟେ |

ଯେହେତୁ ଡିଜାଇନର୍ ସର୍ବାଧିକ କରେଣ୍ଟ ନିର୍ଣ୍ଣୟ କରିଛି ଯାହା ଡିଭାଇସ୍ ଦେଇ ଯିବ, ବିଭିନ୍ନ ତାପମାତ୍ରା ପାଇଁ RDS (ON) ଗଣନା କରାଯାଇପାରିବ | ଏହା ଧ୍ୟାନ ଦେବା ଜରୁରୀ ଯେ ସରଳ ତାପଜ ମଡେଲ ସହିତ କାରବାର କରିବାବେଳେ, ଡିଜାଇନର୍ ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ଜଙ୍କସନ / ଡିଭାଇସ୍ ଏନକ୍ଲୋଜର ଏବଂ ଏନକ୍ଲୋଜର / ପରିବେଶର ଉତ୍ତାପ କ୍ଷମତାକୁ ମଧ୍ୟ ବିଚାର କରିବା ଆବଶ୍ୟକ; ଅର୍ଥାତ୍, ମୁଦ୍ରିତ ସର୍କିଟ୍ ବୋର୍ଡ ଏବଂ ପ୍ୟାକେଜ୍ ତୁରନ୍ତ ଗରମ ନହେବା ଆବଶ୍ୟକ |

ସାଧାରଣତ ,, ଏକ PMOSFET, ସେଠାରେ ଏକ ପରଜୀବୀ ଡାୟୋଡ୍ ଉପସ୍ଥିତ ରହିବ, ଉତ୍ସ-ଡ୍ରେନ୍ ଓଲଟା ସଂଯୋଗକୁ ରୋକିବା ପାଇଁ ଡାୟୋଡର କାର୍ଯ୍ୟ ହେଉଛି, PMOS ପାଇଁ, NMOS ଉପରେ ଏହାର ଲାଭ ହେଉଛି ଯେ ଏହାର ଟର୍ନ୍ ଅନ୍ ଭୋଲଟେଜ୍ 0 ହୋଇପାରେ, ଏବଂ ଭୋଲ୍ଟେଜ୍ ପାର୍ଥକ୍ୟ | ଡିଏସ୍ ଭୋଲଟେଜ୍ ଅଧିକ ନୁହେଁ, ଯେତେବେଳେ ସ୍ଥିତିରେ NMOS ଆବଶ୍ୟକ କରେ VGS ସୀମାଠାରୁ ଅଧିକ, ଯାହା କଣ୍ଟ୍ରୋଲ୍ ଭୋଲଟେଜ୍ ଆବଶ୍ୟକ ଭୋଲଟେଜ୍ ଠାରୁ ଅବଶ୍ୟ ଅଧିକ ହେବ ଏବଂ ଅନାବଶ୍ୟକ ଅସୁବିଧା ହେବ | PMOS କୁ କଣ୍ଟ୍ରୋଲ୍ ସୁଇଚ୍ ଭାବରେ ଚୟନ କରାଯାଇଛି, ସେଠାରେ ନିମ୍ନଲିଖିତ ଦୁଇଟି ପ୍ରୟୋଗ ଅଛି: ପ୍ରଥମ ପ୍ରୟୋଗ, ଭୋଲ୍ଟେଜ୍ ଚୟନ କରିବାକୁ PMOS, ଯେତେବେଳେ V8V ବିଦ୍ୟମାନ ଥାଏ, ସେତେବେଳେ ଭୋଲଟେଜ୍ ସବୁ V8V ଦ୍ୱାରା ପ୍ରଦାନ କରାଯାଇଥାଏ, PMOS ବନ୍ଦ ହୋଇଯିବ, VBAT | VSIN କୁ ଭୋଲଟେଜ୍ ପ୍ରଦାନ କରେ ନାହିଁ, ଏବଂ ଯେତେବେଳେ V8V କମ୍ ଥାଏ, VSIN 8V ଦ୍ୱାରା ଚାଳିତ | R120 ର ଗ୍ରାଉଣ୍ଡିଂକୁ ଧ୍ୟାନ ଦିଅନ୍ତୁ, ଏକ ପ୍ରତିରୋଧକ ଯାହା ସଠିକ୍ PMOS ଟର୍ନ୍ ଅନ୍ ସୁନିଶ୍ଚିତ କରିବା ପାଇଁ ଗେଟ୍ ଭୋଲଟେଜ୍କୁ କ୍ରମାଗତ ଭାବରେ ଟାଣିଥାଏ, ଏହା ପୂର୍ବରୁ ବର୍ଣ୍ଣିତ ଉଚ୍ଚ ଗେଟ୍ ପ୍ରତିରୋଧ ସହିତ ଜଡିତ ଏକ ରାଜ୍ୟ ବିପଦ |

D9 ଏବଂ D10 ର କାର୍ଯ୍ୟଗୁଡ଼ିକ ହେଉଛି ଭୋଲଟେଜ୍ ବ୍ୟାକ୍ ଅପ୍ ରୋକିବା, ଏବଂ D9 କୁ ଛାଡି ଦିଆଯାଇପାରେ | ଏହା ମନେ ରଖିବା ଉଚିତ୍ ଯେ ସର୍କିଟ୍ର DS ପ୍ରକୃତରେ ଓଲଟା ହୋଇଛି, ଯାହା ଦ୍ the ାରା ସଂଲଗ୍ନ ଡାୟୋଡ୍ ଦ୍ୱାରା ସୁଇଚ୍ ଟ୍ୟୁବ୍ ର କାର୍ଯ୍ୟ ହାସଲ ହୋଇପାରିବ ନାହିଁ, ଯାହା ବ୍ୟବହାରିକ ପ୍ରୟୋଗରେ ଉଲ୍ଲେଖ କରାଯିବା ଉଚିତ | ଏହି ସର୍କିଟରେ, V4.2 P_GPRS କୁ ଶକ୍ତି ଯୋଗାଏ କି ନାହିଁ ନିୟନ୍ତ୍ରଣ ସିଗନାଲ PGC ନିୟନ୍ତ୍ରଣ କରେ | ଏହି ସର୍କିଟ୍, ଉତ୍ସ ଏବଂ ଡ୍ରେନ୍ ଟର୍ମିନାଲ୍ ବିପରୀତ ସହିତ ସଂଯୁକ୍ତ ନୁହେଁ, R110 ଏବଂ R113 ଏହି ଅର୍ଥରେ ବିଦ୍ୟମାନ ଅଛି ଯେ R110 କଣ୍ଟ୍ରୋଲ୍ ଗେଟ୍ କରେଣ୍ଟ୍ ବହୁତ ବଡ ନୁହେଁ, R113 କଣ୍ଟ୍ରୋଲ୍ ଗେଟ୍ ସ୍ ity ାଭାବିକତା, PMOS ପରି ଉଚ୍ଚ ପାଇଁ R113 ପଲ୍ ଅପ୍, କିନ୍ତୁ ଏହା ମଧ୍ୟ | କଣ୍ଟ୍ରୋଲ୍ ସିଗନାଲ୍ ଉପରେ ଏକ ପଲ୍ ଅପ୍ ଭାବରେ ଦେଖାଯାଇପାରେ, ଯେତେବେଳେ MCU ଆଭ୍ୟନ୍ତରୀଣ ପିନ ଏବଂ ପଲ୍ ଅପ୍, ଅର୍ଥାତ୍ ଯେତେବେଳେ ଓପନ୍ ଡ୍ରେନ୍ ର ଆଉଟପୁଟ୍ ଯେତେବେଳେ PMOS କୁ ଡ୍ରାଇଭ୍ କରେ ନାହିଁ, ଏହି ସମୟରେ, ଏହା ହେବ | ଆବଶ୍ୟକତା ପଲ୍-ଅପ୍ ଦେବା ପାଇଁ ଏକ ବାହ୍ୟ ଭୋଲଟେଜ୍, ତେଣୁ ପ୍ରତିରୋଧକ R113 ଦୁଇଟି ଭୂମିକା ଗ୍ରହଣ କରେ | r110 ଛୋଟ ହୋଇପାରେ, 100 ଓହମ୍ ହୋଇପାରେ |