ଇନସୁଲେଟେଡ୍ ଲେୟାର୍ ଗେଟ୍ MOSFET ଗୁଡ଼ିକର ସ୍ୱୀକୃତି |

ଇନସୁଲେସନ୍ ଲେୟାର ଗେଟ୍ ପ୍ରକାର MOSFET ଛଦ୍ମନାମ |MOSFET (ପରବର୍ତ୍ତୀ ସମୟରେ MOSFET କୁହାଯାଏ), ଯେଉଁଥିରେ ଗେଟ୍ ଭୋଲଟେଜ୍ ଏବଂ ଉତ୍ସ ଡ୍ରେନ୍ ମ sil ିରେ ସିଲିକନ୍ ଡାଇଅକ୍ସାଇଡ୍ର ଏକ କେବୁଲ୍ ସିଟ୍ ଅଛି |

MOSFET ମଧ୍ୟ ଅଛି |N- ଚ୍ୟାନେଲ୍ | ଏବଂ ପି-ଚ୍ୟାନେଲ୍ ଦୁଇଟି ବର୍ଗ, କିନ୍ତୁ ପ୍ରତ୍ୟେକ ବର୍ଗକୁ ଉନ୍ନତି ଏବଂ ହାଲୁକା ହ୍ରାସ ପ୍ରକାରରେ ବିଭକ୍ତ କରାଯାଇଛି, ତେଣୁ ସମୁଦାୟ ଚାରୋଟି ପ୍ରକାର ଅଛି:N- ଚ୍ୟାନେଲ ଉନ୍ନତି |, ପି-ଚ୍ୟାନେଲ ବୃଦ୍ଧି, ଏନ-ଚ୍ୟାନେଲ ଆଲୋକ ହ୍ରାସ, ପି-ଚ୍ୟାନେଲ ଆଲୋକ ହ୍ରାସ ପ୍ରକାର | କିନ୍ତୁ ଯେଉଁଠାରେ ଗେଟ୍ ଉତ୍ସ ଭୋଲଟେଜ୍ ଶୂନ୍ୟ, ଡ୍ରେନ୍ କରେଣ୍ଟ୍ ମଧ୍ୟ ପାଇପ୍ ର ଶୂନ୍ୟ ଅଟେ | ଅବଶ୍ୟ, ଯେଉଁଠାରେ ଗେଟ୍ ଉତ୍ସ ଭୋଲଟେଜ୍ ଶୂନ୍ୟ, ଡ୍ରେନ୍ କରେଣ୍ଟ୍ ଶୂନ୍ୟ ନୁହେଁ, ହାଲୁକା ବ୍ୟବହାରକାରୀ ଟ୍ୟୁବ୍ ଭାବରେ ବର୍ଗୀକୃତ ହୋଇଛି |
ଉନ୍ନତ MOSFET ନୀତି:

ଗେଟ୍ ଉତ୍ସର ମ working ିରେ କାମ କରିବା ସମୟରେ ଭୋଲଟେଜ୍ ବ୍ୟବହାର ହୁଏ ନାହିଁ, ଡ୍ରେନ୍ ଉତ୍ସ PN ଜଙ୍କସନର ମଧ୍ୟଭାଗ ବିପରୀତ ଦିଗରେ ଥାଏ, ତେଣୁ କ conduct ଣସି କଣ୍ଡକ୍ଟିଭ୍ ଚ୍ୟାନେଲ୍ ରହିବ ନାହିଁ, ଯଦିଓ ଡ୍ରେନ୍ ଉତ୍ସର ମଧ୍ୟଭାଗ ଏକ ଭୋଲଟେଜ୍ ସହିତ, କଣ୍ଡକ୍ଟିଭ୍ ଟ୍ରେଞ୍ଚ ବିଦ୍ୟୁତ୍ ବନ୍ଦ ଅଛି, ଅନୁଯାୟୀ କାର୍ଯ୍ୟ କରେଣ୍ଟ ରହିବା ସମ୍ଭବ ନୁହେଁ | ଯେତେବେଳେ ଗେଟ୍ ଉତ୍ସର ମଧ୍ୟଭାଗ ଏବଂ ଏକ ନିର୍ଦ୍ଦିଷ୍ଟ ମୂଲ୍ୟରେ ସକରାତ୍ମକ ଦିଗ ଭୋଲଟେଜ୍, ଡ୍ରେନ୍ ଉତ୍ସର ମ a ିରେ ଏକ କଣ୍ଡକ୍ଟିଭ୍ ସୁରକ୍ଷା ଚ୍ୟାନେଲ୍ ଉତ୍ପାଦନ କରିବ, ଯାହା ଦ୍ this ାରା ଏହି ଗେଟ୍ ଉତ୍ସ ଭୋଲଟେଜ୍ ଦ୍ୱାରା ଉତ୍ପାଦିତ କଣ୍ଡକ୍ଟିଭ୍ ଟ୍ରେଞ୍ଚକୁ ଖୋଲା ଭୋଲଟେଜ୍ VGS କୁହାଯାଏ, ଗେଟ୍ ଉତ୍ସ ଭୋଲଟେଜ୍ ମ middle ିରେ ବଡ, କଣ୍ଡକ୍ଟିଭ୍ ଟ୍ରେଞ୍ଚ ବ୍ୟାପକ ଅଟେ, ଯାହା ପରବର୍ତ୍ତୀ ସମୟରେ ଅଧିକ ବିଦ୍ୟୁତ୍ ପ୍ରବାହ କରିଥାଏ |

ହାଲୁକା ବିଭାଜିତ MOSFET ର ନୀତି:

କାର୍ଯ୍ୟରେ, ଗେଟ୍ ଉତ୍ସର ମ no ିରେ କ vol ଣସି ଭୋଲଟେଜ୍ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ ନାହିଁ, ବର୍ଦ୍ଧିତ ପ୍ରକାର MOSFET ପରି, ଏବଂ ଡ୍ରେନ୍ ଉତ୍ସ ମ a ିରେ ଏକ କଣ୍ଡକ୍ଟିଭ୍ ଚ୍ୟାନେଲ୍ ବିଦ୍ୟମାନ ଅଛି, ତେଣୁ ଡ୍ରେନ୍ ଉତ୍ସର ମଧ୍ୟଭାଗରେ କେବଳ ଏକ ସକରାତ୍ମକ ଭୋଲଟେଜ୍ ଯୋଡା ଯାଇଥାଏ | ଏକ ଡ୍ରେନ୍ କରେଣ୍ଟ୍ ପ୍ରବାହର ଫଳାଫଳ | ଅଧିକନ୍ତୁ, ଭୋଲ୍ଟେଜ୍ ର ସକାରାତ୍ମକ ଦିଗ, କଣ୍ଡକ୍ଟିଭ୍ ଚ୍ୟାନେଲ୍ ବିସ୍ତାର, ଗେଟ୍ ଉତ୍ସ, ଭୋଲ୍ଟେଜ୍ ର ବିପରୀତ ଦିଗକୁ ଯୋଡିଥାଏ, କଣ୍ଡକ୍ଟିଭ୍ ଚ୍ୟାନେଲ୍ ସଙ୍କୁଚିତ ହୁଏ, ବିଦ୍ୟୁତ୍ ପ୍ରବାହ ମାଧ୍ୟମରେ ଛୋଟ ହେବ, MOSFET ତୁଳନାତ୍ମକ ବୃଦ୍ଧି ସହିତ, ଏହା ମଧ୍ୟ କଣ୍ଡକ୍ଟିଭ୍ ଚ୍ୟାନେଲ ମଧ୍ୟରେ ଏକ ନିର୍ଦ୍ଦିଷ୍ଟ ସଂଖ୍ୟକ ଅଞ୍ଚଳର ସକରାତ୍ମକ ଏବଂ ନକାରାତ୍ମକ ସଂଖ୍ୟାରେ ହୋଇପାରେ |

MOSFET କାର୍ଯ୍ୟକାରିତା:

ପ୍ରଥମେ, MOSFET ଗୁଡିକ ବୃଦ୍ଧି କରିବାକୁ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ | କାରଣ MOSFET ଆମ୍ପ୍ଲିଫାୟର୍ ର ଇନପୁଟ୍ ପ୍ରତିରୋଧ ବହୁତ ଅଧିକ, ତେଣୁ ଫିଲ୍ଟର କ୍ୟାପେସିଟର ଛୋଟ ହୋଇପାରେ, ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋଲାଇଟିକ୍ କ୍ୟାପେସିଟର ପ୍ରୟୋଗ କରିବାର ଆବଶ୍ୟକତା ବିନା |

ଦ୍ୱିତୀୟତ M, MOSFET ଅତ୍ୟଧିକ ଉଚ୍ଚ ଇନପୁଟ୍ ପ୍ରତିରୋଧକ ଚରିତ୍ରଗତ ପ୍ରତିରୋଧ ରୂପାନ୍ତର ପାଇଁ ବିଶେଷ ଉପଯୁକ୍ତ | ସାଧାରଣତ character ଚରିତ୍ରଗତ ପ୍ରତିରୋଧ ରୂପାନ୍ତର ପାଇଁ ମଲ୍ଟି ଲେଭଲ୍ ଆମ୍ପ୍ଲିଫାୟର୍ ଇନପୁଟ୍ ପର୍ଯ୍ୟାୟରେ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ |

MOSFET କୁ ନିୟନ୍ତ୍ରିତ ପ୍ରତିରୋଧକ ଭାବରେ ବ୍ୟବହାର କରାଯାଇପାରିବ |

ଚତୁର୍ଥ, MOSFET ଏକ DC ବିଦ୍ୟୁତ୍ ଯୋଗାଣ ଭାବରେ ସୁବିଧାଜନକ ହୋଇପାରେ |

V. MOSFET ଏକ ସୁଇଚ୍ ଉପାଦାନ ଭାବରେ ବ୍ୟବହୃତ ହୋଇପାରେ |