ଉଚ୍ଚ ଶକ୍ତି MOSFET ଡ୍ରାଇଭିଂ ସର୍କିଟ୍ର ଉତ୍ପାଦନ ପଦ୍ଧତି |

ଦୁଇଟି ମୁଖ୍ୟ ସମାଧାନ ଅଛି:

ଗୋଟିଏ ହେଉଛି MOSFET ଚଳାଇବା ପାଇଁ ଏକ ଉତ୍ସର୍ଗୀକୃତ ଡ୍ରାଇଭର ଚିପ୍ ବ୍ୟବହାର କରିବା, କିମ୍ବା ଦ୍ରୁତ ଫଟୋଗ୍ରାଫ୍ ବ୍ୟବହାର, ଟ୍ରାନଜିଷ୍ଟର୍ MOSFET ଚଳାଇବା ପାଇଁ ଏକ ସର୍କିଟ୍ ଗଠନ କରେ, କିନ୍ତୁ ପ୍ରଥମ ପ୍ରକାରର ଉପାୟ ଏକ ସ୍ independent ାଧୀନ ବିଦ୍ୟୁତ୍ ଯୋଗାଣ ଆବଶ୍ୟକ କରେ; MOSFET ଚଳାଇବା ପାଇଁ ଅନ୍ୟ ପ୍ରକାରର ପଲ୍ସ ଟ୍ରାନ୍ସଫର୍ମର, ଏବଂ ପଲ୍ସ ଡ୍ରାଇଭ ସର୍କିଟରେ, ଡ୍ରାଇଭିଂ କ୍ଷମତାକୁ ବ to ାଇବା ପାଇଁ ଡ୍ରାଇଭ ସର୍କିଟ୍ର ସୁଇଚିଂ ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସିକୁ କିପରି ଉନ୍ନତ କରାଯାଇପାରିବ, ଯଥାସମ୍ଭବ ଉପାଦାନ ସଂଖ୍ୟା ହ୍ରାସ କରିବା ହେଉଛି ଜରୁରୀ ଆବଶ୍ୟକତା | ସମାଧାନ କରିବାକୁସାମ୍ପ୍ରତିକ ସମସ୍ୟାଗୁଡିକ |.

ପ୍ରଥମ ପ୍ରକାରର ଡ୍ରାଇଭ୍ ସ୍କିମ୍, ଅଧା ବ୍ରିଜ୍ ଦୁଇଟି ସ୍ independent ାଧୀନ ବିଦ୍ୟୁତ୍ ଯୋଗାଣ ଆବଶ୍ୟକ କରେ; ଫୁଲ୍ ବ୍ରିଜ୍ ତିନୋଟି ସ୍ independent ାଧୀନ ବିଦ୍ୟୁତ୍ ଯୋଗାଣ ଆବଶ୍ୟକ କରେ, ଉଭୟ ଅଧା ବ୍ରିଜ୍ ଏବଂ ଫୁଲ୍ ବ୍ରିଜ୍, ଅତ୍ୟଧିକ ଉପାଦାନ, ମୂଲ୍ୟ ହ୍ରାସ ପାଇଁ ଅନୁକୂଳ ନୁହେଁ |

ଦ୍ୱିତୀୟ ପ୍ରକାରର ଡ୍ରାଇଭିଂ ପ୍ରୋଗ୍ରାମ, ଏବଂ ପେଟେଣ୍ଟ ହେଉଛି ଏକ ଉଚ୍ଚ-ଶକ୍ତି ଉଦ୍ଭାବନ ନାମ ପାଇଁ ନିକଟତମ ପୂର୍ବ କଳା |MOSFET ଡ୍ରାଇଭ୍ ସର୍କିଟ୍ "ପେଟେଣ୍ଟ୍ (ପ୍ରୟୋଗ ସଂଖ୍ୟା 200720309534। 8), ପେଟେଣ୍ଟ କେବଳ ଉଚ୍ଚ-ଶକ୍ତି MOSFET ଚାର୍ଜର ଗେଟ୍ ଉତ୍ସକୁ ମୁକ୍ତ କରିବା ପାଇଁ ଏକ ଡିସଚାର୍ଜ ପ୍ରତିରୋଧକ ଯୋଗ କରିଥାଏ, ବନ୍ଦ କରିବାର ଉଦ୍ଦେଶ୍ୟ ହାସଲ କରିବା ପାଇଁ, PWM ସଙ୍କେତର ପତନ ବଡ଼ ଅଟେ | PWM ସଙ୍କେତର ପତନ ଧାର ବଡ଼, ଯାହା MOSFET ର ଧୀର ବନ୍ଦକୁ ନେଇଯିବ, ବିଦ୍ୟୁତ୍ କ୍ଷତି ବହୁତ ବଡ;

ଏହା ସହିତ, ପେଟେଣ୍ଟ୍ ପ୍ରୋଗ୍ରାମ୍ MOSFET କାର୍ଯ୍ୟ ବାଧାପ୍ରାପ୍ତ ହେବାର ସମ୍ଭାବନା ଥାଏ, ଏବଂ PWM କଣ୍ଟ୍ରୋଲ୍ ଚିପ୍ ର ଏକ ବୃହତ ଆଉଟପୁଟ୍ ଶକ୍ତି ରହିବା ଆବଶ୍ୟକ, ଯାହା ଚିପ୍ ର ତାପମାତ୍ରା ଅଧିକ, ଚିପ୍ ର ସେବା ଜୀବନ ଉପରେ ପ୍ରଭାବ ପକାଇଥାଏ | ଉଦ୍ଭାବନର ବିଷୟବସ୍ତୁ ଏହି ଉପଯୋଗିତା ମଡେଲର ଉଦ୍ଦେଶ୍ୟ ହେଉଛି ଏକ ଉଚ୍ଚ-ଶକ୍ତି MOSFET ଡ୍ରାଇଭ ସର୍କିଟ ଯୋଗାଇବା, ଏହି ୟୁଟିଲିଟି ମଡେଲ ଉଦ୍ଭାବନ ବ technical ଷୟିକ ସମାଧାନର ଉଦ୍ଦେଶ୍ୟ ହାସଲ କରିବା ପାଇଁ ଅଧିକ ସ୍ଥିର ଏବଂ ଶୂନ୍ୟ କାର୍ଯ୍ୟ କରିବା - ଏକ ଉଚ୍ଚ-ଶକ୍ତି MOSFET ଡ୍ରାଇଭ ସର୍କିଟ, ସିଗନାଲ ଆଉଟପୁଟ୍ PWM କଣ୍ଟ୍ରୋଲ୍ ଚିପ୍ ପ୍ରାଥମିକ ନାଡ ଟ୍ରାନ୍ସଫର୍ମର ସହିତ ସଂଯୁକ୍ତ | ପ୍ରଥମ ଆଉଟପୁଟ୍ of ସେକେଣ୍ଡାରୀ ପଲ୍ସ ଟ୍ରାନ୍ସଫର୍ମର ପ୍ରଥମ MOSFET ଗେଟ୍ ସହିତ ସଂଯୁକ୍ତ, ସେକେଣ୍ଡାରୀ ପଲ୍ସ ଟ୍ରାନ୍ସଫର୍ମରର ଦ୍ୱିତୀୟ ଆଉଟପୁଟ୍ ପ୍ରଥମ MOSFET ଗେଟ୍ ସହିତ ସଂଯୁକ୍ତ, ସେକେଣ୍ଡାରୀ ପଲ୍ସ ଟ୍ରାନ୍ସଫର୍ମରର ଦ୍ୱିତୀୟ ଆଉଟପୁଟ୍ ପ୍ରଥମ MOSFET ଗେଟ୍ ସହିତ ସଂଯୁକ୍ତ | ପଲ୍ସ ଟ୍ରାନ୍ସଫର୍ମର ସେକେଣ୍ଡାରୀର ପ୍ରଥମ ଆଉଟପୁଟ୍ ପ୍ରଥମ MOSFET ର ଗେଟ୍ ସହିତ ସଂଯୁକ୍ତ, ପଲ୍ସ ଟ୍ରାନ୍ସଫର୍ମର ସେକେଣ୍ଡାରୀର ଦ୍ୱିତୀୟ ଆଉଟପୁଟ୍ ଦ୍ୱିତୀୟ MOSFET ର ଗେଟ୍ ସହିତ ସଂଯୁକ୍ତ, ଏଥିରେ ବର୍ଣ୍ଣିତ ଯେ ପଲ୍ସ ଟ୍ରାନ୍ସଫର୍ମର ସେକେଣ୍ଡାରୀର ପ୍ରଥମ ଆଉଟପୁଟ୍ ମଧ୍ୟ ସଂଯୁକ୍ତ | ପ୍ରଥମ ଡିସଚାର୍ଜ ଟ୍ରାନଜିଷ୍ଟରକୁ, ଏବଂ ପଲ୍ସ ଟ୍ରାନ୍ସଫର୍ମର ସେକେଣ୍ଡାରୀର ଦ୍ୱିତୀୟ ଆଉଟପୁଟ୍ ମଧ୍ୟ ଦ୍ୱିତୀୟ ଡିସଚାର୍ଜ ଟ୍ରାନଜିଷ୍ଟର ସହିତ ସଂଯୁକ୍ତ | ପଲ୍ସ ଟ୍ରାନ୍ସଫର୍ମରର ପ୍ରାଥମିକ ପାର୍ଶ୍ୱ ମଧ୍ୟ ଏକ ଶକ୍ତି ସଂରକ୍ଷଣ ଏବଂ ରିଲିଜ୍ ସର୍କିଟ ସହିତ ସଂଯୁକ୍ତ |

ଶକ୍ତି ସଂରକ୍ଷଣ ରିଲିଜ୍ ସର୍କିଟରେ ଏକ ପ୍ରତିରୋଧକ, ଏକ କ୍ୟାପେସିଟର ଏବଂ ଏକ ଡାୟୋଡ୍ ଅନ୍ତର୍ଭୁକ୍ତ, ରେଜିଷ୍ଟର ଏବଂ କ୍ୟାପେସିଟର ସମାନ୍ତରାଳ ଭାବରେ ସଂଯୁକ୍ତ, ଏବଂ ଉପରୋକ୍ତ ସମାନ୍ତରାଳ ସର୍କିଟ୍ ଡାୟୋଡ୍ ସହିତ କ୍ରମରେ ସଂଯୁକ୍ତ | ୟୁଟିଲିଟି ମଡେଲର ଏକ ଲାଭଦାୟକ ପ୍ରଭାବ ରହିଛି ୟୁଟିଲିଟି ମଡେଲରେ ଟ୍ରାନ୍ସଫର୍ମର ସେକେଣ୍ଡାରୀର ପ୍ରଥମ ଆଉଟପୁଟ୍ ସହିତ ସଂଯୁକ୍ତ ପ୍ରଥମ ଡିସଚାର୍ଜ ଟ୍ରାନଜିଷ୍ଟର ଏବଂ ପଲ୍ସ ଟ୍ରାନ୍ସଫର୍ମରର ଦ୍ୱିତୀୟ ଆଉଟପୁଟ୍ ସହିତ ସଂଯୁକ୍ତ ଦ୍ୱିତୀୟ ଡିସଚାର୍ଜ ଟ୍ରାନଜିଷ୍ଟର ଅଛି, ଯାହାଫଳରେ ଯେତେବେଳେ ନାଡ ଟ୍ରାନ୍ସଫର୍ମର କମ୍ ଉତ୍ପାଦନ କରେ | ସ୍ତର, ପ୍ରଥମ MOSFET ଏବଂ ଦ୍ୱିତୀୟ MOSFET MOSFET ର ବନ୍ଦ ଗତିକୁ ଉନ୍ନତ କରିବା ପାଇଁ ଏବଂ MOSFET କ୍ଷତି ହ୍ରାସ କରିବା ପାଇଁ ଶୀଘ୍ର ଡିସଚାର୍ଜ ହୋଇପାରିବ | PWM କଣ୍ଟ୍ରୋଲ୍ ଚିପ୍ ର ସଙ୍କେତ ସହିତ ସଂଯୁକ୍ତ | ପ୍ରାଥମିକ ଆଉଟପୁଟ୍ ଏବଂ ପଲ୍ସ ଟ୍ରାନ୍ସଫର୍ମର ପ୍ରାଥମିକ ମଧ୍ୟରେ ସିଗନାଲ୍ ଆମ୍ପ୍ଲାଇଫେସନ୍ MOSFET, ଯାହା ସିଗ୍ନାଲ୍ ଆମ୍ପ୍ଲାଇଫେସନ୍ ପାଇଁ ବ୍ୟବହୃତ ହୋଇପାରେ | PWM କଣ୍ଟ୍ରୋଲ୍ ଚିପ୍ ଏବଂ ପ୍ରାଥମିକ ପଲ୍ସ ଟ୍ରାନ୍ସଫର୍ମରର ସିଗନାଲ୍ ଆଉଟପୁଟ୍ ସିଗ୍ନାଲ୍ ଆମ୍ପ୍ଲାଇଫେସନ୍ ପାଇଁ ଏକ MOSFET ସହିତ ସଂଯୁକ୍ତ, ଯାହା PWM ସଙ୍କେତର ଚାଳନା କ୍ଷମତାକୁ ଆହୁରି ଉନ୍ନତ କରିପାରିବ |

ପ୍ରାଥମିକ ପଲ୍ସ ଟ୍ରାନ୍ସଫର୍ମର ମଧ୍ୟ ଏକ ଶକ୍ତି ଷ୍ଟୋରେଜ୍ ରିଲିଜ୍ ସର୍କିଟ ସହିତ ସଂଯୁକ୍ତ, ଯେତେବେଳେ PWM ସଙ୍କେତ କମ୍ ସ୍ତରରେ ଥାଏ, ଶକ୍ତି ସଂରକ୍ଷଣ ରିଲିଜ୍ ସର୍କିଟ୍ ପଲ୍ସ ଟ୍ରାନ୍ସଫର୍ମରରେ ସଂରକ୍ଷିତ ଶକ୍ତି ମୁକ୍ତ କରିଥାଏ ଯେତେବେଳେ PWM ଏକ ଉଚ୍ଚ ସ୍ତରରେ ଥାଏ, ଗେଟ୍ ସୁନିଶ୍ଚିତ କରେ | ପ୍ରଥମ MOSFET ର ଉତ୍ସ ଏବଂ ଦ୍ୱିତୀୟ MOSFET ଅତ୍ୟନ୍ତ କମ୍, ଯାହା ବାଧାକୁ ରୋକିବାରେ ଏକ ଭୂମିକା ଗ୍ରହଣ କରିଥାଏ |

ଏକ ନିର୍ଦ୍ଦିଷ୍ଟ କାର୍ଯ୍ୟାନ୍ୱୟନରେ, ସିଗ୍ନାଲ୍ ଆମ୍ପ୍ଲାଇଫେସନ୍ ପାଇଁ ଏକ ସ୍ୱଳ୍ପ ଶକ୍ତି MOSFET Q1 PWM କଣ୍ଟ୍ରୋଲ୍ ଚିପ୍ ର ସିଗନାଲ୍ ଆଉଟପୁଟ୍ ଟର୍ମିନାଲ୍ ଏବଂ ପଲ୍ସ ଟ୍ରାନ୍ସଫର୍ମର Tl ର ପ୍ରାଥମିକ ମଧ୍ୟରେ ସଂଯୁକ୍ତ, ନାଡ ଟ୍ରାନ୍ସଫର୍ମରର ଦ୍ୱିତୀୟ ଆଉଟପୁଟ୍ ଟର୍ମିନାଲ୍ ସହିତ ସଂଯୁକ୍ତ | ଡାୟୋଡ୍ D1 ଏବଂ ଡ୍ରାଇଭିଂ ରେଜିଷ୍ଟର Rl ମାଧ୍ୟମରେ ପ୍ରଥମ MOSFET Q4 ର ଗେଟ୍, ନାଡ ଟ୍ରାନ୍ସଫର୍ମରର ଦ୍ୱିତୀୟ ଆଉଟପୁଟ୍ ଟର୍ମିନାଲ୍ ଦ୍ M ିତୀୟ MOSFET Q5 ର ଗେଟ୍ ସହିତ ସଂଯୁକ୍ତ | ଡାୟୋଡ୍ D2 ଏବଂ ଡ୍ରାଇଭିଂ ରେଜିଷ୍ଟର R2, ଏବଂ ନାଡ ଟ୍ରାନ୍ସଫର୍ମରର ଦ୍ secondary ିତୀୟର ପ୍ରଥମ ଆଉଟପୁଟ୍ ଟର୍ମିନାଲ୍ ମଧ୍ୟ ପ୍ରଥମ ଡ୍ରେନ୍ ଟ୍ରାଇଡ୍ Q2 ସହିତ ସଂଯୁକ୍ତ ଏବଂ ଦ୍ୱିତୀୟ ଡ୍ରେନ୍ ଟ୍ରାଇଡ୍ Q3 ମଧ୍ୟ ଦ୍ୱିତୀୟ ଡ୍ରେନ୍ ଟ୍ରାଇଡ୍ Q3 ସହିତ ସଂଯୁକ୍ତ | MOSFET Q5, ପଲ୍ସ ଟ୍ରାନ୍ସଫର୍ମର ସେକେଣ୍ଡାରୀର ପ୍ରଥମ ଆଉଟପୁଟ୍ ଟର୍ମିନାଲ୍ ମଧ୍ୟ ପ୍ରଥମ ଡ୍ରେନ୍ ଟ୍ରାନଜିଷ୍ଟର Q2 ସହିତ ସଂଯୁକ୍ତ ଏବଂ ପଲ୍ସ ଟ୍ରାନ୍ସଫର୍ମର ସେକେଣ୍ଡାରୀର ଦ୍ୱିତୀୟ ଆଉଟପୁଟ୍ ଟର୍ମିନାଲ୍ ମଧ୍ୟ ଦ୍ୱିତୀୟ ଡ୍ରେନ୍ ଟ୍ରାନଜିଷ୍ଟର Q3 ସହିତ ସଂଯୁକ୍ତ |

ପ୍ରଥମ MOSFET Q4 ର ଗେଟ୍ ଏକ ଡ୍ରେନ୍ ପ୍ରତିରୋଧକ R3 ସହିତ ସଂଯୁକ୍ତ, ଏବଂ ଦ୍ୱିତୀୟ MOSFET Q5 ର ଗେଟ୍ ଏକ ଡ୍ରେନ୍ ପ୍ରତିରୋଧକ R4 ସହିତ ସଂଯୁକ୍ତ | ପଲ୍ସ ଟ୍ରାନ୍ସଫର୍ମର Tl ର ପ୍ରାଥମିକ ମଧ୍ୟ ଏକ ଶକ୍ତି ସଂରକ୍ଷଣ ଏବଂ ରିଲିଜ୍ ସର୍କିଟ ସହିତ ସଂଯୁକ୍ତ, ଏବଂ ଶକ୍ତି ସଂରକ୍ଷଣ ଏବଂ ରିଲିଜ୍ ସର୍କିଟରେ ଏକ ପ୍ରତିରୋଧକ R5, ଏକ କ୍ୟାପେସିଟର Cl, ଏବଂ ଏକ ଡାୟୋଡ୍ D3 ଅନ୍ତର୍ଭୁକ୍ତ, ଏବଂ ରେଜିଷ୍ଟର R5 ଏବଂ କ୍ୟାପେସିଟର Cl ସଂଯୁକ୍ତ | ସମାନ୍ତରାଳ, ଏବଂ ଉପରୋକ୍ତ ସମାନ୍ତରାଳ ସର୍କିଟ୍ ଡାୟୋଡ୍ D3 ସହିତ କ୍ରମରେ ସଂଯୁକ୍ତ | PWM କଣ୍ଟ୍ରୋଲ୍ ଚିପରୁ PWM ସିଗନାଲ୍ ଆଉଟପୁଟ୍ ସ୍ୱଳ୍ପ ଶକ୍ତି MOSFET Q2 ସହିତ ସଂଯୁକ୍ତ, ଏବଂ ସ୍ୱଳ୍ପ ଶକ୍ତି MOSFET Q2 ନାଡ ଟ୍ରାନ୍ସଫର୍ମରର ଦ୍ secondary ିତୀୟ ସହିତ ସଂଯୁକ୍ତ | ସ୍ୱଳ୍ପ ଶକ୍ତି MOSFET Ql ଏବଂ ପଲ୍ସ ଟ୍ରାନ୍ସଫର୍ମର Tl ର ପ୍ରାଥମିକକୁ ଆଉଟପୁଟ୍ ଦ୍ୱାରା ବୃଦ୍ଧି କରାଯାଇଛି | ଯେତେବେଳେ PWM ସଙ୍କେତ ଅଧିକ, ପ୍ରଥମ MOSFET Q4 ଏବଂ ଦ୍ୱିତୀୟ MOSFET Q5 ଚଳାଇବା ପାଇଁ ପଲ୍ସ ଟ୍ରାନ୍ସଫର୍ମର Tl ଆଉଟପୁଟ୍ ଉଚ୍ଚ ସ୍ତରୀୟ ସଙ୍କେତଗୁଡ଼ିକର ଦ୍ୱିତୀୟ ଆଉଟପୁଟ୍ ଟର୍ମିନାଲ୍ ଏବଂ ଦ୍ୱିତୀୟ ଆଉଟପୁଟ୍ ଟର୍ମିନାଲ୍ |

ଯେତେବେଳେ PWM ସଙ୍କେତ କମ୍, ପ୍ରଥମ ଆଉଟପୁଟ୍ ଏବଂ ପଲ୍ସ ଟ୍ରାନ୍ସଫର୍ମର Tl ସେକେଣ୍ଡାରୀ ଆଉଟପୁଟ୍ ନିମ୍ନ ସ୍ତରର ସିଗନାଲ୍, ପ୍ରଥମ ଡ୍ରେନ୍ ଟ୍ରାନଜିଷ୍ଟର Q2 ଏବଂ ଦ୍ୱିତୀୟ ଡ୍ରେନ୍ ଟ୍ରାନଜିଷ୍ଟର Q3 କଣ୍ଡକ୍ଟେସନ୍, ଡ୍ରେନ୍ ରେଜିଷ୍ଟର R3 ମାଧ୍ୟମରେ ପ୍ରଥମ MOSFETQ4 ଗେଟ୍ ଉତ୍ସ କ୍ୟାପିଟାନ୍ସ, ଡିସଚାର୍ଜ ପାଇଁ ପ୍ରଥମ ଡ୍ରେନ୍ ଟ୍ରାନଜିଷ୍ଟର Q2, ଦ୍ୱିତୀୟ MOSFETQ5 ଗେଟ୍ ଉତ୍ସ ଉତ୍ସ କ୍ଷମତା ଡ୍ରେନ୍ ପ୍ରତିରୋଧକ R4 ମାଧ୍ୟମରେ, ଦ୍ୱିତୀୟ ଡ୍ରେନ୍ ଟ୍ରାନଜିଷ୍ଟର Q3, ଡିସଚାର୍ଜ ପାଇଁ | ଡ୍ରେନ୍ ରେଜିଷ୍ଟର R4 ମାଧ୍ୟମରେ MOSFETQ5 ଗେଟ୍ ଉତ୍ସ କ୍ୟାପିଟାନ୍ସ, ଡିସଚାର୍ଜ ପାଇଁ ଦ୍ୱିତୀୟ ଡ୍ରେନ୍ ଟ୍ରାନଜିଷ୍ଟର Q3, ଡ୍ରେନ୍ ରେଜିଷ୍ଟର R4 ମାଧ୍ୟମରେ ଦ୍ୱିତୀୟ MOSFETQ5 ଗେଟ୍ ଉତ୍ସ ଉତ୍ସ କ୍ଷମତା, ଦ୍ୱିତୀୟ ଡ୍ରେନ୍ ଟ୍ରାନଜିଷ୍ଟର Q3 | ଦ୍ୱିତୀୟ MOSFETQ5 ଗେଟ୍ ଉତ୍ସ ଉତ୍ସ କ୍ଷମତା ଡ୍ରେନ୍ ପ୍ରତିରୋଧକ R4 ଏବଂ ଦ୍ୱିତୀୟ ଡ୍ରେନ୍ ଟ୍ରାନଜିଷ୍ଟର Q3 ମାଧ୍ୟମରେ ଡିସଚାର୍ଜ ହୁଏ, ଯାହା ଦ୍ first ାରା ପ୍ରଥମ MOSFET Q4 ଏବଂ ଦ୍ୱିତୀୟ MOSFET Q5 ଶୀଘ୍ର ବନ୍ଦ ହୋଇପାରିବ ଏବଂ ବିଦ୍ୟୁତ୍ କ୍ଷତି ହ୍ରାସ ହୋଇପାରିବ |

ଯେତେବେଳେ PWM ସଙ୍କେତ କମ୍ ଥାଏ, ପ୍ରତିରୋଧକ R5, କ୍ୟାପେସ୍ଟର Cl ଏବଂ ଡାୟୋଡ୍ D3 ଗଠିତ ଗଚ୍ଛିତ ଶକ୍ତି ରିଲିଜ୍ ସର୍କିଟ୍ ପଲ୍ସ ଟ୍ରାନ୍ସଫର୍ମରରେ ସଂରକ୍ଷିତ ଶକ୍ତି ମୁକ୍ତ କରିଥାଏ, ଯେତେବେଳେ PWM ଅଧିକ ଥାଏ, ପ୍ରଥମ MOSFET Q4 ଏବଂ ଦ୍ୱିତୀୟ MOSFET ର ଗେଟ୍ ଉତ୍ସ ନିଶ୍ଚିତ କରେ | Q5 ଅତ୍ୟନ୍ତ କମ୍, ଯାହା ଆଣ୍ଟି-ହସ୍ତକ୍ଷେପର ଉଦ୍ଦେଶ୍ୟକୁ ସେବା କରେ | ଡାୟୋଡ୍ Dl ଏବଂ ଡାୟୋଡ୍ D2 ଆଉଟପୁଟ୍ କରେଣ୍ଟକୁ ଏକତରଫା ଭାବରେ ପରିଚାଳନା କରେ, ଏହିପରି PWM ତରଙ୍ଗଫର୍ମର ଗୁଣବତ୍ତା ସୁନିଶ୍ଚିତ କରେ ଏବଂ ସେହି ସମୟରେ ଏହା ମଧ୍ୟ ଏକ ନିର୍ଦ୍ଦିଷ୍ଟ ପରିମାଣରେ ଆଣ୍ଟି-ଇଣ୍ଟରଫେର୍ସର ଭୂମିକା ଗ୍ରହଣ କରେ |