(1) ID ଏବଂ ଚ୍ୟାନେଲ ଉପରେ vGS ର ନିୟନ୍ତ୍ରଣ ପ୍ରଭାବ |
V vGS = 0 ର ମାମଲା |
ଏହା ଦେଖାଯାଇପାରେ ଯେ ଡ୍ରେନ୍ d ଏବଂ ଉନ୍ନତି-ମୋଡ୍ ର ଉତ୍ସ s ମଧ୍ୟରେ ଦୁଇଟି ବ୍ୟାକ୍-ଟୁ-ବ୍ୟାକ୍ PN ଜଙ୍କସନ ଅଛି |MOSFET.
ଯେତେବେଳେ ଗେଟ୍-ଉତ୍ସ ଭୋଲଟେଜ୍ vGS = 0, ଯଦିଓ ଡ୍ରେନ୍-ସୋର୍ସ ଭୋଲଟେଜ୍ vDS ଯୋଡା ଯାଇଥାଏ, ଏବଂ vDS ର ପୋଲାରିଟି ନିର୍ବିଶେଷରେ, ଓଲଟା ଦ୍ୱିପାକ୍ଷିକ ଅବସ୍ଥାରେ ସର୍ବଦା PN ଜଙ୍କସନ ଥାଏ |ଡ୍ରେନ୍ ଏବଂ ଉତ୍ସ ମଧ୍ୟରେ କ conduct ଣସି କଣ୍ଡକ୍ଟିଭ୍ ଚ୍ୟାନେଲ୍ ନାହିଁ, ତେଣୁ ଏହି ସମୟରେ ଡ୍ରେନ୍ କରେଣ୍ଟ୍ ID≈0 |
VGS> 0 ର ମାମଲା |
ଯଦି vGS> 0, ଗେଟ୍ ଏବଂ ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ମଧ୍ୟରେ ଥିବା SiO2 ଇନସୁଲେଟିଂ ସ୍ତରରେ ଏକ ବ electric ଦୁତିକ କ୍ଷେତ୍ର ସୃଷ୍ଟି ହୁଏ |ବ electric ଦୁତିକ କ୍ଷେତ୍ରର ଦିଗ ଗେଟ୍ ଠାରୁ ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ପୃଷ୍ଠରେ ଥିବା ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ପର୍ଯ୍ୟନ୍ତ ନିର୍ଦ୍ଦେଶିତ ବ electric ଦ୍ୟୁତିକ କ୍ଷେତ୍ର ସହିତ p ର୍ଦ୍ଧ୍ୱ ଅଟେ |ଏହି ବ electric ଦ୍ୟୁତିକ କ୍ଷେତ୍ର ଛିଦ୍ରଗୁଡିକୁ ଘଉଡାଇଥାଏ ଏବଂ ଇଲେକ୍ଟ୍ରନ୍ଗୁଡ଼ିକୁ ଆକର୍ଷିତ କରିଥାଏ |ଗାତକୁ ଘଉଡାଇବା: ଫାଟକ ନିକଟରେ ଥିବା ପି-ପ୍ରକାରର ସବଷ୍ଟ୍ରେଟର ଛିଦ୍ରଗୁଡିକ ପୁନର୍ବାର ପ୍ରତ୍ୟାବର୍ତ୍ତନ କରାଯାଏ, ଯାହା ଅସ୍ଥାୟୀ ଗ୍ରହଣକାରୀ ଆୟନ (ନକାରାତ୍ମକ ଆୟନ) ଛାଡି ଏକ ହ୍ରାସ ସ୍ତର ସୃଷ୍ଟି କରେ |ଇଲେକ୍ଟ୍ରନ୍ଗୁଡ଼ିକୁ ଆକର୍ଷିତ କରନ୍ତୁ: ପି-ପ୍ରକାର ସବଷ୍ଟ୍ରେଟରେ ଥିବା ଇଲେକ୍ଟ୍ରନ୍ (ସଂଖ୍ୟାଲଘୁ ବାହକ) ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ପୃଷ୍ଠକୁ ଆକର୍ଷିତ ହୁଅନ୍ତି |
(୨) କଣ୍ଡକ୍ଟିଭ୍ ଚ୍ୟାନେଲ୍ ଗଠନ:
ଯେତେବେଳେ vGS ମୂଲ୍ୟ ଛୋଟ ଏବଂ ଇଲେକ୍ଟ୍ରନ୍ ଆକର୍ଷିତ କରିବାର କ୍ଷମତା ଶକ୍ତିଶାଳୀ ନୁହେଁ, ଡ୍ରେନ୍ ଏବଂ ଉତ୍ସ ମଧ୍ୟରେ ଏପର୍ଯ୍ୟନ୍ତ କ conduct ଣସି କଣ୍ଡକ୍ଟିଭ୍ ଚ୍ୟାନେଲ୍ ନାହିଁ |ଯେହେତୁ vGS ବ increases େ, P ସବଷ୍ଟ୍ରେଟର ଭୂପୃଷ୍ଠ ସ୍ତର ପ୍ରତି ଅଧିକ ଇଲେକ୍ଟ୍ରନ୍ ଆକର୍ଷିତ ହୁଏ |ଯେତେବେଳେ vGS ଏକ ନିର୍ଦ୍ଦିଷ୍ଟ ମୂଲ୍ୟରେ ପହଞ୍ଚେ, ଏହି ଇଲେକ୍ଟ୍ରନ୍ ଗୁଡିକ ଗେଟ୍ ନିକଟରେ ଥିବା P ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ପୃଷ୍ଠରେ ଏକ N- ପ୍ରକାର ପତଳା ସ୍ତର ସୃଷ୍ଟି କରନ୍ତି ଏବଂ ଦୁଇଟି N + ଅଞ୍ଚଳ ସହିତ ସଂଯୁକ୍ତ ହୋଇ ଡ୍ରେନ୍ ଏବଂ ଉତ୍ସ ମଧ୍ୟରେ ଏକ N- ପ୍ରକାର କଣ୍ଡକ୍ଟିଭ୍ ଚ୍ୟାନେଲ୍ ଗଠନ କରନ୍ତି |ଏହାର କଣ୍ଡକ୍ଟିଭିଟି ପ୍ରକାର P ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ବିପରୀତ, ତେଣୁ ଏହାକୁ ଏକ ବିପରୀତ ସ୍ତର ମଧ୍ୟ କୁହାଯାଏ |ବୃହତ vGS ହେଉଛି, ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ପୃଷ୍ଠରେ କାର୍ଯ୍ୟ କରୁଥିବା ବ electric ଦ୍ୟୁତିକ କ୍ଷେତ୍ର ଯେତେ ଶକ୍ତିଶାଳୀ, P ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ପୃଷ୍ଠରେ ଅଧିକ ଇଲେକ୍ଟ୍ରନ୍ ଆକର୍ଷିତ ହୁଏ, କଣ୍ଡକ୍ଟିଭ୍ ଚ୍ୟାନେଲ୍ ମୋଟା ଏବଂ ଚ୍ୟାନେଲର ପ୍ରତିରୋଧ ଯେତେ ଛୋଟ |ଯେତେବେଳେ ଚ୍ୟାନେଲ ଗଠନ ହେବାକୁ ଆରମ୍ଭ କରେ, ସେତେବେଳେ ଗେଟ୍-ଉତ୍ସ ଭୋଲଟେଜ୍ କୁ VT ଦ୍ୱାରା ପ୍ରତିନିଧିତ୍ turn କରାଯାଏ |
![MOSFET](http://www.olukey.com/uploads/图片-13.jpg)
TheN- ଚ୍ୟାନେଲ୍ | MOSFETvGS
ପୋଷ୍ଟ ସମୟ: ନଭେମ୍ବର -12-2023 |