(1) ID ଏବଂ ଚ୍ୟାନେଲ ଉପରେ vGS ର ନିୟନ୍ତ୍ରଣ ପ୍ରଭାବ |
V vGS = 0 ର ମାମଲା |
ଏହା ଦେଖାଯାଇପାରେ ଯେ ଡ୍ରେନ୍ d ଏବଂ ଉନ୍ନତି-ମୋଡ୍ ର ଉତ୍ସ s ମଧ୍ୟରେ ଦୁଇଟି ବ୍ୟାକ୍-ଟୁ-ବ୍ୟାକ୍ PN ଜଙ୍କସନ ଅଛି |MOSFET.
ଯେତେବେଳେ ଗେଟ୍-ଉତ୍ସ ଭୋଲଟେଜ୍ vGS = 0, ଯଦିଓ ଡ୍ରେନ୍-ଉତ୍ସ ଭୋଲଟେଜ୍ vDS ଯୋଡା ଯାଇଥାଏ, ଏବଂ vDS ର ପୋଲାରାଇଟି ନିର୍ବିଶେଷରେ, ଓଲଟା ଦ୍ୱିପାକ୍ଷିକ ଅବସ୍ଥାରେ ସର୍ବଦା ଏକ PN ଜଙ୍କସନ ଥାଏ | ଡ୍ରେନ୍ ଏବଂ ଉତ୍ସ ମଧ୍ୟରେ କ conduct ଣସି କଣ୍ଡକ୍ଟିଭ୍ ଚ୍ୟାନେଲ୍ ନାହିଁ, ତେଣୁ ଏହି ସମୟରେ ଡ୍ରେନ୍ କରେଣ୍ଟ୍ ID≈0 |
VGS> 0 ର ମାମଲା |
ଯଦି vGS> 0, ଗେଟ୍ ଏବଂ ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ମଧ୍ୟରେ ଥିବା SiO2 ଇନସୁଲେଟିଂ ସ୍ତରରେ ଏକ ବ electric ଦୁତିକ କ୍ଷେତ୍ର ସୃଷ୍ଟି ହୁଏ | ବ electric ଦୁତିକ କ୍ଷେତ୍ରର ଦିଗ ଗେଟ୍ ଠାରୁ ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ପୃଷ୍ଠରେ ଥିବା ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ପର୍ଯ୍ୟନ୍ତ ନିର୍ଦ୍ଦେଶିତ ବ electric ଦ୍ୟୁତିକ କ୍ଷେତ୍ର ସହିତ p ର୍ଦ୍ଧ୍ୱ ଅଟେ | ଏହି ବ electric ଦ୍ୟୁତିକ କ୍ଷେତ୍ର ଛିଦ୍ରଗୁଡିକୁ ଘଉଡାଇଥାଏ ଏବଂ ଇଲେକ୍ଟ୍ରନ୍ଗୁଡ଼ିକୁ ଆକର୍ଷିତ କରିଥାଏ | ଛିଦ୍ରଗୁଡିକ ପୁନ elling ପ୍ରତ୍ୟାବର୍ତ୍ତନ: ଗେଟ୍ ନିକଟରେ ଥିବା ପି-ପ୍ରକାରର ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ର ଛିଦ୍ରଗୁଡିକ ପୁନର୍ବାର ପ୍ରତ୍ୟାବର୍ତ୍ତନ କରାଯାଏ, ଯାହା ଅସ୍ଥାୟୀ ଗ୍ରହଣକାରୀ ଆୟନ (ନକାରାତ୍ମକ ଆୟନ) ଛାଡି ଏକ ହ୍ରାସ ସ୍ତର ସୃଷ୍ଟି କରେ | ଇଲେକ୍ଟ୍ରନ୍ଗୁଡ଼ିକୁ ଆକର୍ଷିତ କରନ୍ତୁ: ପି-ପ୍ରକାର ସବଷ୍ଟ୍ରେଟରେ ଥିବା ଇଲେକ୍ଟ୍ରନ୍ (ସଂଖ୍ୟାଲଘୁ ବାହକ) ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ପୃଷ୍ଠକୁ ଆକର୍ଷିତ ହୁଅନ୍ତି |
(୨) କଣ୍ଡକ୍ଟିଭ୍ ଚ୍ୟାନେଲ୍ ଗଠନ:
ଯେତେବେଳେ vGS ମୂଲ୍ୟ ଛୋଟ ଏବଂ ଇଲେକ୍ଟ୍ରନ୍ ଆକର୍ଷିତ କରିବାର କ୍ଷମତା ଶକ୍ତିଶାଳୀ ନୁହେଁ, ଡ୍ରେନ୍ ଏବଂ ଉତ୍ସ ମଧ୍ୟରେ ଏପର୍ଯ୍ୟନ୍ତ କ conduct ଣସି କଣ୍ଡକ୍ଟିଭ୍ ଚ୍ୟାନେଲ୍ ନାହିଁ | ଯେହେତୁ vGS ବ increases େ, P ସବଷ୍ଟ୍ରେଟର ଭୂପୃଷ୍ଠ ସ୍ତର ପ୍ରତି ଅଧିକ ଇଲେକ୍ଟ୍ରନ୍ ଆକର୍ଷିତ ହୁଏ | ଯେତେବେଳେ vGS ଏକ ନିର୍ଦ୍ଦିଷ୍ଟ ମୂଲ୍ୟରେ ପହଞ୍ଚେ, ଏହି ଇଲେକ୍ଟ୍ରନ୍ ଗୁଡିକ ଗେଟ୍ ନିକଟରେ ଥିବା P ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ପୃଷ୍ଠରେ ଏକ N- ପ୍ରକାରର ପତଳା ସ୍ତର ସୃଷ୍ଟି କରନ୍ତି ଏବଂ ଦୁଇଟି N + ଅଞ୍ଚଳ ସହିତ ସଂଯୁକ୍ତ ହୋଇ ଡ୍ରେନ୍ ଏବଂ ଉତ୍ସ ମଧ୍ୟରେ ଏକ N- ପ୍ରକାର କଣ୍ଡକ୍ଟିଭ୍ ଚ୍ୟାନେଲ୍ ଗଠନ କରନ୍ତି | ଏହାର କଣ୍ଡକ୍ଟିଭିଟି ପ୍ରକାର P ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ବିପରୀତ, ତେଣୁ ଏହାକୁ ଏକ ବିପରୀତ ସ୍ତର ମଧ୍ୟ କୁହାଯାଏ | ବୃହତ vGS ହେଉଛି, ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ପୃଷ୍ଠରେ କାର୍ଯ୍ୟ କରୁଥିବା ବ electric ଦ୍ୟୁତିକ କ୍ଷେତ୍ର ଯେତେ ଶକ୍ତିଶାଳୀ, P ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ପୃଷ୍ଠରେ ଅଧିକ ଇଲେକ୍ଟ୍ରନ୍ ଆକର୍ଷିତ ହୁଏ, କଣ୍ଡକ୍ଟିଭ୍ ଚ୍ୟାନେଲ୍ ମୋଟା ଏବଂ ଚ୍ୟାନେଲର ପ୍ରତିରୋଧ କମ୍ | ଯେତେବେଳେ ଚ୍ୟାନେଲ ଗଠନ ହେବାକୁ ଆରମ୍ଭ କରେ, ସେତେବେଳେ ଗେଟ୍-ଉତ୍ସ ଭୋଲଟେଜ୍ କୁ VT ଦ୍ୱାରା ପ୍ରତିନିଧିତ୍ turn କରାଯାଏ |
TheN- ଚ୍ୟାନେଲ୍ | MOSFETvGS <VT, ଏବଂ ଟ୍ୟୁବ୍ କଟ୍ ଅଫ୍ ଅବସ୍ଥାରେ ଥିବାବେଳେ ଉପରୋକ୍ତ ଆଲୋଚନା ଏକ କଣ୍ଡକ୍ଟିଭ୍ ଚ୍ୟାନେଲ୍ ଗଠନ କରିପାରିବ ନାହିଁ | ଯେତେବେଳେ vGS≥VT ଏକ ଚ୍ୟାନେଲ ଗଠନ ହୋଇପାରିବ | ଏହି ପ୍ରକାରMOSFETଯେତେବେଳେ vGS≥VT କୁ ଏକ ଉନ୍ନତି-ମୋଡ୍ କୁହାଯାଏ, ତାହା ନିଶ୍ଚିତ ଭାବରେ ଏକ କଣ୍ଡକ୍ଟିଭ୍ ଚ୍ୟାନେଲ୍ ଗଠନ କରିବ |MOSFET। ଚ୍ୟାନେଲ ଗଠନ ହେବା ପରେ, ଡ୍ରେନ୍ ଏବଂ ଉତ୍ସ ମଧ୍ୟରେ ଏକ ଫରୱାର୍ଡ ଭୋଲଟେଜ୍ vDS ପ୍ରୟୋଗ ହେଲେ ଏକ ଡ୍ରେନ୍ କରେଣ୍ଟ ସୃଷ୍ଟି ହୁଏ | ID ଉପରେ vDS ର ପ୍ରଭାବ, ଯେତେବେଳେ vGS> VT ଏବଂ ଏହା ଏକ ନିର୍ଦ୍ଦିଷ୍ଟ ମୂଲ୍ୟ, କଣ୍ଡକ୍ଟିଭ୍ ଚ୍ୟାନେଲ୍ ଏବଂ ସାମ୍ପ୍ରତିକ ID ଉପରେ ଡ୍ରେନ୍-ସୋର୍ସ ଭୋଲଟେଜ୍ vDS ର ପ୍ରଭାବ ଜଙ୍କସନ ଫିଲ୍ଡ ଇଫେକ୍ଟ ଟ୍ରାନଜିଷ୍ଟରର ସମାନ | ଚ୍ୟାନେଲରେ ଥିବା ଡ୍ରେନ୍ କରେଣ୍ଟ୍ ଆଇଡି ଦ୍ୱାରା ଉତ୍ପନ୍ନ ଭୋଲଟେଜ୍ ଡ୍ରପ୍ ଚ୍ୟାନେଲର ପ୍ରତ୍ୟେକ ବିନ୍ଦୁ ଏବଂ ଗେଟ୍ ମଧ୍ୟରେ ଭୋଲ୍ଟେଜ୍ ସମାନ କରେ ନାହିଁ | ଉତ୍ସର ନିକଟସ୍ଥ ଭୋଲଟେଜ୍ ସବୁଠାରୁ ବଡ, ଯେଉଁଠାରେ ଚ୍ୟାନେଲ ମୋଟା | ଡ୍ରେନ୍ ଶେଷରେ ଥିବା ଭୋଲଟେଜ୍ ସବୁଠାରୁ ଛୋଟ ଏବଂ ଏହାର ମୂଲ୍ୟ ହେଉଛି VGD = vGS-vDS, ତେଣୁ ଚ୍ୟାନେଲ୍ ଏଠାରେ ସବୁଠାରୁ ପତଳା | କିନ୍ତୁ ଯେତେବେଳେ vDS ଛୋଟ (vDS) |
ପୋଷ୍ଟ ସମୟ: ନଭେମ୍ବର -12-2023 |
