MOSFETs (ମେଟାଲ୍ ଅକ୍ସାଇଡ୍ ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ଫିଲ୍ଡ ଇଫେକ୍ଟ ଟ୍ରାନଜିଷ୍ଟର) କୁ ଭୋଲଟେଜ୍ ନିୟନ୍ତ୍ରିତ ଉପକରଣ କୁହାଯାଏ କାରଣ ଏହାର କାର୍ଯ୍ୟ ନୀତି ମୁଖ୍ୟତ the ଡ୍ରେନ୍ କରେଣ୍ଟ (Id) ଉପରେ ଗେଟ୍ ଭୋଲଟେଜ୍ (Vgs) ଉପରେ ନିୟନ୍ତ୍ରଣ ଉପରେ ନିର୍ଭର କରେ, ଯେପରି ଏହାକୁ ନିୟନ୍ତ୍ରଣ କରିବା ପାଇଁ କରେଣ୍ଟ ଉପରେ ନିର୍ଭର କରେ | ଦ୍ୱିପାକ୍ଷିକ ଟ୍ରାନଜିଷ୍ଟର୍ (ଯେପରିକି BJT) ସହିତ | ନିମ୍ନଲିଖିତ ହେଉଛି ଏକ ଭୋଲଟେଜ୍ ନିୟନ୍ତ୍ରିତ ଉପକରଣ ଭାବରେ MOSFET ର ଏକ ବିସ୍ତୃତ ବ୍ୟାଖ୍ୟା:
କାର୍ଯ୍ୟ ନୀତି
ଗେଟ୍ ଭୋଲଟେଜ୍ ନିୟନ୍ତ୍ରଣ:ଏକ MOSFET ର ହୃଦୟ ଏହାର ଗେଟ୍, ଉତ୍ସ ଏବଂ ଡ୍ରେନ୍ ଏବଂ ଗେଟ୍ ତଳେ ଏକ ଇନସୁଲେଟିଂ ସ୍ତର (ସାଧାରଣତ sil ସିଲିକନ୍ ଡାଇଅକ୍ସାଇଡ୍) ମଧ୍ୟରେ ଥିବା ସଂରଚନାରେ ଅବସ୍ଥିତ | ଯେତେବେଳେ ଗେଟ୍ ଉପରେ ଏକ ଭୋଲଟେଜ୍ ପ୍ରୟୋଗ କରାଯାଏ, ଇନସୁଲେଟିଂ ସ୍ତର ତଳେ ଏକ ବ electric ଦ୍ୟୁତିକ କ୍ଷେତ୍ର ସୃଷ୍ଟି ହୁଏ, ଏବଂ ଏହି କ୍ଷେତ୍ର ଉତ୍ସ ଏବଂ ଡ୍ରେନ୍ ମଧ୍ୟରେ ଅଞ୍ଚଳର କଣ୍ଡକ୍ଟିଭିଟି ପରିବର୍ତ୍ତନ କରେ |
କଣ୍ଡକ୍ଟିଭ୍ ଚ୍ୟାନେଲ୍ ଗଠନ:N- ଚ୍ୟାନେଲ MOSFET ପାଇଁ, ଯେତେବେଳେ ଗେଟ୍ ଭୋଲଟେଜ୍ Vgs ଯଥେଷ୍ଟ ଅଧିକ (ଥ୍ରେସହୋଲ୍ଡ ଭୋଲଟେଜ୍ Vt ନାମକ ଏକ ନିର୍ଦ୍ଦିଷ୍ଟ ମୂଲ୍ୟଠାରୁ ଅଧିକ), ଗେଟ୍ ତଳେ ଥିବା ପି-ଟାଇପ୍ ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ରେ ଥିବା ଇଲେକ୍ଟ୍ରନ୍ ଗୁଡିକ ଇନସୁଲେଟିଂ ସ୍ତରର ତଳଭାଗକୁ ଆକର୍ଷିତ ହୋଇ ଏକ N- ଗଠନ କରନ୍ତି | କଣ୍ଡକ୍ଟିଭ୍ ଚ୍ୟାନେଲ୍ ଟାଇପ୍ କରନ୍ତୁ ଯାହା ଉତ୍ସ ଏବଂ ଡ୍ରେନ୍ ମଧ୍ୟରେ କଣ୍ଡକ୍ଟିଭିଟି ଅନୁମତି ଦିଏ | ଅପରପକ୍ଷେ, ଯଦି Vgs Vt ଠାରୁ କମ୍, କଣ୍ଡକ୍ଟିଙ୍ଗ୍ ଚ୍ୟାନେଲ୍ ଗଠନ ହୁଏ ନାହିଁ ଏବଂ MOSFET କଟଅଫ୍ ରେ ଅଛି |
ସାମ୍ପ୍ରତିକ ନିୟନ୍ତ୍ରଣକୁ ନିଷ୍କାସନ କରନ୍ତୁ:ଡ୍ରେନ୍ କରେଣ୍ଟ୍ Id ର ଆକାର ମୁଖ୍ୟତ the ଗେଟ୍ ଭୋଲଟେଜ୍ Vgs ଦ୍ୱାରା ନିୟନ୍ତ୍ରିତ | Vgs ଯେତେ ଉଚ୍ଚ, ଚାଳନା ଚ୍ୟାନେଲ୍ ବିସ୍ତୃତ ହେବ ଏବଂ ଡ୍ରେନ୍ କରେଣ୍ଟ୍ ଆଇଡି ଅଧିକ ହେବ | ଏହି ସମ୍ପର୍କ MOSFET କୁ ଏକ ଭୋଲଟେଜ୍ ନିୟନ୍ତ୍ରିତ ସାମ୍ପ୍ରତିକ ଉପକରଣ ଭାବରେ କାର୍ଯ୍ୟ କରିବାକୁ ଅନୁମତି ଦିଏ |
ପାଇଜୋ ଚରିତ୍ରକରଣ ସୁବିଧା |
ଉଚ୍ଚ ଇନପୁଟ୍ ଇମ୍ପେଡାନ୍ସ:ଏକ ଇନସୁଲେଟିଂ ସ୍ତର ଦ୍ the ାରା ଗେଟ୍ ଏବଂ ଉତ୍ସ-ଡ୍ରେନ୍ ଅଞ୍ଚଳର ବିଚ୍ଛିନ୍ନତା ହେତୁ MOSFET ର ଇନପୁଟ୍ ପ୍ରତିରୋଧ ବହୁତ ଅଧିକ, ଏବଂ ଗେଟ୍ କରେଣ୍ଟ୍ ପ୍ରାୟ ଶୂନ୍ୟ, ଯାହା ସର୍କିଟ୍ରେ ଉପଯୋଗୀ କରିଥାଏ ଯେଉଁଠାରେ ଉଚ୍ଚ ଇନପୁଟ୍ ପ୍ରତିରୋଧ ଆବଶ୍ୟକ |
ନିମ୍ନ ଶବ୍ଦ:ଅପରେସନ୍ ସମୟରେ MOSFET ଗୁଡିକ ଅପେକ୍ଷାକୃତ କମ୍ ଶବ୍ଦ ସୃଷ୍ଟି କରନ୍ତି, ମୁଖ୍ୟତ their ସେମାନଙ୍କର ଉଚ୍ଚ ଇନପୁଟ୍ ପ୍ରତିରୋଧ ଏବଂ ୟୁନିପୋଲାର୍ ବାହକ ଚାଳନା ପ୍ରଣାଳୀ |
ଦ୍ରୁତ ସୁଇଚ୍ ଗତି:ଯେହେତୁ MOSFET ଗୁଡିକ ଭୋଲଟେଜ୍ ନିୟନ୍ତ୍ରିତ ଉପକରଣ, ତେଣୁ ସେମାନଙ୍କର ସୁଇଚ୍ ସ୍ପିଡ୍ ସାଧାରଣତ bip ଦ୍ୱିପାକ୍ଷିକ ଟ୍ରାନଜିଷ୍ଟର ତୁଳନାରେ ଦ୍ରୁତ ଅଟେ, ଯାହାକି ସୁଇଚ୍ ସମୟରେ ଚାର୍ଜ ଷ୍ଟୋରେଜ୍ ଏବଂ ରିଲିଜ୍ ପ୍ରକ୍ରିୟା ଦେଇ ଗତି କରିବାକୁ ପଡିବ |
କମ୍ ଶକ୍ତି ବ୍ୟବହାର:ରାଜ୍ୟରେ, MOSFET ର ଡ୍ରେନ୍-ଉତ୍ସ ପ୍ରତିରୋଧ (RDS (on)) ଅପେକ୍ଷାକୃତ କମ୍, ଯାହା ବିଦ୍ୟୁତ୍ ଉପଯୋଗକୁ ହ୍ରାସ କରିବାରେ ସାହାଯ୍ୟ କରେ | ଆହୁରି ମଧ୍ୟ, କଟଅଫ୍ ଅବସ୍ଥାରେ, ଷ୍ଟାଟିକ୍ ପାୱାର୍ ବ୍ୟବହାର ବହୁତ କମ୍ କାରଣ ଗେଟ୍ କରେଣ୍ଟ୍ ପ୍ରାୟ ଶୂନ୍ୟ |
ସଂକ୍ଷେପରେ, MOSFET ଗୁଡ଼ିକୁ ଭୋଲଟେଜ୍ ନିୟନ୍ତ୍ରିତ ଉପକରଣ କୁହାଯାଏ କାରଣ ସେମାନଙ୍କର ଅପରେଟିଂ ନୀତି ଗେଟ୍ ଭୋଲଟେଜ୍ ଦ୍ୱାରା ଡ୍ରେନ୍ କରେଣ୍ଟ୍ର ନିୟନ୍ତ୍ରଣ ଉପରେ ଅଧିକ ନିର୍ଭର କରେ | ଏହି ଭୋଲଟେଜ୍ ନିୟନ୍ତ୍ରିତ ବ character ଶିଷ୍ଟ୍ୟ MOSFET ଗୁଡ଼ିକୁ ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ ସର୍କିଟ୍ରେ ବିଭିନ୍ନ ପ୍ରକାରର ପ୍ରୟୋଗ ପାଇଁ ପ୍ରତିଶୃତି ଦେଇଥାଏ, ବିଶେଷତ where ଯେଉଁଠାରେ ଉଚ୍ଚ ଇନପୁଟ୍ ପ୍ରତିରୋଧ, କମ୍ ଶବ୍ଦ, ଦ୍ରୁତ ସୁଇଚ୍ ସ୍ପିଡ୍ ଏବଂ ସ୍ୱଳ୍ପ ଶକ୍ତି ବ୍ୟବହାର ଆବଶ୍ୟକ |
ପୋଷ୍ଟ ସମୟ: ସେପ୍ଟେମ୍ବର -16-2024 |
