ସେଠାରେ ଅନେକ ପ୍ରକାରର ଅଛି |MOSFETs |, ମୁଖ୍ୟତ j ଜଙ୍କସନ୍ MOSFET ଏବଂ ଇନସୁଲେଟେଡ୍ ଗେଟ୍ MOSFETs ଦୁଇଟି ଶ୍ରେଣୀରେ ବିଭକ୍ତ, ଏବଂ ସମସ୍ତଙ୍କର N- ଚ୍ୟାନେଲ୍ ଏବଂ ପି-ଚ୍ୟାନେଲ୍ ପଏଣ୍ଟ ଅଛି |
ମେଟାଲ୍-ଅକ୍ସାଇଡ୍-ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ଫିଲ୍ଡ-ଇଫେକ୍ଟ ଟ୍ରାନଜିଷ୍ଟର, ଯାହାକୁ MOSFET କୁହାଯାଏ, ହ୍ରାସ ପ୍ରକାର MOSFET ଏବଂ ବର୍ଦ୍ଧିତ ପ୍ରକାର MOSFET ରେ ବିଭକ୍ତ |
MOSFET ଗୁଡିକ ମଧ୍ୟ ଏକକ ଗେଟ୍ ଏବଂ ଡୁଆଲ୍ ଗେଟ୍ ଟ୍ୟୁବରେ ବିଭକ୍ତ | ଡୁଆଲ୍ ଗେଟ୍ MOSFET ର ଦୁଇଟି ସ୍ independent ାଧୀନ ଗେଟ୍ G1 ଏବଂ G2 ଅଛି, କ୍ରମରେ ସଂଯୁକ୍ତ ଦୁଇଟି ସିଙ୍ଗଲ୍ ଗେଟ୍ MOSFET ର ସମାନ ନିର୍ମାଣ ଠାରୁ, ଏବଂ ଦୁଇଟି ଗେଟ୍ ଭୋଲଟେଜ୍ ନିୟନ୍ତ୍ରଣ ଦ୍ୱାରା ଏହାର ଆଉଟପୁଟ୍ କରେଣ୍ଟ୍ ପରିବର୍ତ୍ତନ | ଡୁଆଲ୍-ଗେଟ୍ MOSFET ଗୁଡ଼ିକର ଏହି ଚରିତ୍ରଟି ଯେତେବେଳେ ଉଚ୍ଚ-ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସି ଆମ୍ପ୍ଲାଇଫର୍ ଭାବରେ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ, କଣ୍ଟ୍ରୋଲ୍ ଆମ୍ପ୍ଲିଫାୟର୍, ମିକ୍ସର୍ସ ଏବଂ ଡେମୋଡ୍ୟୁଲେଟର ଲାଭ କରେ |
1, MOSFETପ୍ରକାର ଏବଂ ଗଠନ
MOSFET ହେଉଛି ଏକ ପ୍ରକାର FET (ଅନ୍ୟ ଏକ ପ୍ରକାର ହେଉଛି JFET), ବର୍ଦ୍ଧିତ କିମ୍ବା ହ୍ରାସ ପ୍ରକାର, ପି-ଚ୍ୟାନେଲ କିମ୍ବା N- ଚ୍ୟାନେଲରେ ସମୁଦାୟ ଚାରି ପ୍ରକାରର ଉତ୍ପାଦିତ ହୋଇପାରିବ, କିନ୍ତୁ କେବଳ ବର୍ଦ୍ଧିତ N- ଚ୍ୟାନେଲ MOSFET ଏବଂ ବର୍ଦ୍ଧିତ P- ର ତତ୍ତ୍ୱିକ ପ୍ରୟୋଗ | ଚ୍ୟାନେଲ MOSFET, ତେଣୁ ସାଧାରଣତ N NMOS, କିମ୍ବା PMOS ଏହି ଦୁଇ ପ୍ରକାରକୁ ସୂଚିତ କରେ | କାହିଁକି ହ୍ରାସ ପ୍ରକାର MOSFET ବ୍ୟବହାର କରୁନାହାଁନ୍ତି, ମୂଳ କାରଣ ପାଇଁ ସନ୍ଧାନ କରିବାକୁ ପରାମର୍ଶ ଦିଅନ୍ତୁ ନାହିଁ | ଦୁଇଟି ବର୍ଦ୍ଧିତ MOSFET ବିଷୟରେ, ସାଧାରଣତ N NMOS ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ, ଏହାର କାରଣ ହେଉଛି ଅନ-ପ୍ରତିରୋଧ ଛୋଟ ଏବଂ ଉତ୍ପାଦନ ସହଜ | ତେଣୁ ବିଦ୍ୟୁତ୍ ଯୋଗାଣ ଏବଂ ମୋଟର ଡ୍ରାଇଭ୍ ପ୍ରୟୋଗଗୁଡ଼ିକୁ ସୁଇଚ୍ କରିବା, ସାଧାରଣତ N NMOS ବ୍ୟବହାର କରନ୍ତୁ | ନିମ୍ନଲିଖିତ ଉଦ୍ଧୃତି, କିନ୍ତୁ ଅଧିକ NMOS- ଆଧାରିତ | ତିନୋଟି ପିନ ମଧ୍ୟରେ MOSFET ପରଜୀବୀ କ୍ୟାପିଟାନ୍ସର ତିନୋଟି ପିନ ବିଦ୍ୟମାନ ଅଛି, ଯାହା ଆମର ଆବଶ୍ୟକତା ନୁହେଁ, କିନ୍ତୁ ଉତ୍ପାଦନ ପ୍ରକ୍ରିୟା ସୀମିତତା ହେତୁ | କିଛି ସମୟ ବଞ୍ଚାଇବା ପାଇଁ ଡ୍ରାଇଭ୍ ସର୍କିଟ୍ ର ଡିଜାଇନ୍ କିମ୍ବା ଚୟନରେ ପରଜୀବୀ କ୍ୟାପିଟାନ୍ସର ଅସ୍ତିତ୍ୱ, କିନ୍ତୁ ଏଡାଇବାକୁ କ way ଣସି ଉପାୟ ନାହିଁ, ଏବଂ ତା’ପରେ ବିସ୍ତୃତ ପରିଚୟ | MOSFET ସ୍କିମେଟିକ୍ ଚିତ୍ରରେ, ପରଜୀବୀ ଡାୟୋଡ୍ ମଧ୍ୟରେ ଡ୍ରେନ୍ ଏବଂ ଉତ୍ସ ଦେଖିବାକୁ ମିଳେ | ଏହାକୁ ବଡି ଡାୟୋଡ୍ କୁହାଯାଏ, ଯୁକ୍ତିଯୁକ୍ତ ଭାର ଚଲାଇବାରେ, ଏହି ଡାୟୋଡ୍ ବହୁତ ଗୁରୁତ୍ୱପୂର୍ଣ୍ଣ | ବାସ୍ତବରେ, ବଡି ଡାୟୋଡ୍ କେବଳ ଗୋଟିଏ MOSFET ରେ ବିଦ୍ୟମାନ ଅଛି, ସାଧାରଣତ the ଇଣ୍ଟିଗ୍ରେଟେଡ୍ ସର୍କିଟ୍ ଚିପ୍ ଭିତରେ ନୁହେଁ |
2, MOSFET ଚାଳନା ବ characteristics ଶିଷ୍ଟ୍ୟଗୁଡିକ |
ଚାଳନା ର ମହତ୍ତ୍ a ଏକ ସୁଇଚ୍ ଭାବରେ, ଏକ ସୁଇଚ୍ ବନ୍ଦ ସହିତ ସମାନ | NMOS ବ characteristics ଶିଷ୍ଟ୍ୟଗୁଡିକ, ଏକ ନିର୍ଦ୍ଦିଷ୍ଟ ମୂଲ୍ୟଠାରୁ ଅଧିକ Vgs ପରିଚାଳନା କରିବ, ଯେତେବେଳେ ଉତ୍ସ ଗ୍ରାଉଣ୍ଡ୍ (ଲୋ-ଏଣ୍ଡ୍ ଡ୍ରାଇଭ୍), ବ୍ୟବହାର ପାଇଁ ଉପଯୁକ୍ତ, କେବଳ ଗେଟ୍ ଭୋଲଟେଜ୍ ଆସେ | 4V କିମ୍ବା 10V।
ଅବଶ୍ୟ, ନିଶ୍ଚିତ ଭାବରେ, PMOS ଏକ ହାଇ-ଏଣ୍ଡ୍ ଡ୍ରାଇଭର ଭାବରେ ବ୍ୟବହାର କରିବା ଅତି ସହଜ ହୋଇପାରେ, କିନ୍ତୁ ଅନ୍-ପ୍ରତିରୋଧ, ମହଙ୍ଗା, କମ୍ ପ୍ରକାରର ଏକ୍ସଚେଞ୍ଜ୍ ଏବଂ ଅନ୍ୟାନ୍ୟ କାରଣରୁ, ହାଇ-ଏଣ୍ଡ ଡ୍ରାଇଭରରେ ସାଧାରଣତ still NMOS ବ୍ୟବହାର କରନ୍ତି |
3, MOSFETକ୍ଷତି ପରିବର୍ତ୍ତନ
ଅନ୍-ପ୍ରତିରୋଧ ବିଦ୍ୟମାନ ହେବା ପରେ ଏହା NMOS କିମ୍ବା PMOS ହେଉ, ଯାହା ଦ୍ current ାରା କରେଣ୍ଟ ଏହି ପ୍ରତିରୋଧରେ ଶକ୍ତି ଖର୍ଚ୍ଚ କରିବ, ଖର୍ଚ୍ଚ ହୋଇଥିବା ଶକ୍ତିର ଏହି ଅଂଶକୁ ପ୍ରତିରୋଧ ପ୍ରତିରୋଧ କ୍ଷତି କୁହାଯାଏ | ଏକ ଛୋଟ ଅନ୍-ପ୍ରତିରୋଧ ସହିତ ଏକ MOSFET ଚୟନ କରିବା ଦ୍ resistance ାରା ପ୍ରତିରୋଧ କ୍ଷତି ହ୍ରାସ ପାଇବ | ସାଧାରଣ ନିମ୍ନ-ଶକ୍ତି MOSFET ଅନ୍-ପ୍ରତିରୋଧ ସାଧାରଣତ the ଦଶ ମିଲିଅହମ୍, ସେଠାରେ କିଛି ମିଲିଅହମ୍ | ଅନ୍-ଟାଇମ୍ ଏବଂ କଟ୍-ଅଫ୍ ରେ MOS, MOS ଉପରେ ଥିବା ଭୋଲଟେଜ୍ ର ତତକ୍ଷଣାତ୍ ସମାପ୍ତି ହେବା ଉଚିତ୍ ନୁହେଁ ସେଠାରେ ପଡ଼ିବାର ଏକ ପ୍ରକ୍ରିୟା ଅଛି, ବ rising ଼ିବା ପ୍ରକ୍ରିୟା ମାଧ୍ୟମରେ ପ୍ରବାହିତ ହେଉଛି, ଏହି ସମୟ ମଧ୍ୟରେ, MOSFET ର କ୍ଷତି ହେଉଛି | ଭୋଲଟେଜ୍ ଏବଂ କରେଣ୍ଟ୍ର ଉତ୍ପାଦକୁ ସୁଇଚ୍ କ୍ଷତି କୁହାଯାଏ | ସାଧାରଣତ the ସୁଇଚ୍ କ୍ଷତି କଣ୍ଡକ୍ଟେସନ୍ କ୍ଷତି ଠାରୁ ବହୁତ ବଡ ଅଟେ, ଏବଂ ସୁଇଚ୍ ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସି ଯେତେ ଶୀଘ୍ର ହୁଏ, କ୍ଷତି ମଧ୍ୟ ସେତିକି ବଡ | ଚାଳନା କ୍ଷଣରେ ଭୋଲଟେଜ୍ ଏବଂ କରେଣ୍ଟ୍ର ଏକ ବୃହତ ଉତ୍ପାଦ ଏକ ବଡ଼ କ୍ଷତି ସୃଷ୍ଟି କରେ | ସୁଇଚ୍ ସମୟକୁ ଛୋଟ କରିବା ପ୍ରତ୍ୟେକ ଚାଳନାରେ କ୍ଷତି ହ୍ରାସ କରେ | ସୁଇଚ୍ ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସି ହ୍ରାସ କରିବା ଦ୍ୱାରା ୟୁନିଟ୍ ସମୟ ପ୍ରତି ସୁଇଚ୍ ସଂଖ୍ୟା କମିଯାଏ | ଉଭୟ ପଦ୍ଧତି ସୁଇଚ୍ କ୍ଷତି ହ୍ରାସ କରିପାରିବ |
4, MOSFET ଡ୍ରାଇଭ୍ |
ଦ୍ୱିପାକ୍ଷିକ ଟ୍ରାନଜିଷ୍ଟର୍ ତୁଳନାରେ, ସାଧାରଣତ ass ଅନୁମାନ କରାଯାଏ ଯେ MOSFET ଆଚରଣ କରିବା ପାଇଁ କ current ଣସି କରେଣ୍ଟ୍ ଆବଶ୍ୟକ ନାହିଁ, କେବଳ ଜିଏସ୍ ଭୋଲଟେଜ୍ ଏକ ନିର୍ଦ୍ଦିଷ୍ଟ ମୂଲ୍ୟଠାରୁ ଅଧିକ | ଏହା କରିବା ସହଜ, ତଥାପି, ଆମକୁ ମଧ୍ୟ ଗତି ଆବଶ୍ୟକ | MOSFET ର ସଂରଚନାରେ ଆପଣ ଦେଖିପାରିବେ ଯେ GS, GD ମଧ୍ୟରେ ପରଜୀବୀ କ୍ୟାପିଟାନ୍ସ ଅଛି, ଏବଂ MOSFET ର ଡ୍ରାଇଭିଂ ହେଉଛି, ତତ୍ତ୍ in ଅନୁଯାୟୀ, କ୍ୟାପିଟାନ୍ସର ଚାର୍ଜିଂ ଏବଂ ଡିସଚାର୍ଜ | କ୍ୟାପେସିଟର ଚାର୍ଜ କରିବା ପାଇଁ ଏକ କରେଣ୍ଟ ଆବଶ୍ୟକ ହୁଏ, ଏବଂ ଯେହେତୁ ତୁରନ୍ତ କ୍ୟାପେସିଟର ଚାର୍ଜ କରିବା ଏକ ସର୍ଟ ସର୍କିଟ ଭାବରେ ଦେଖାଯାଇପାରେ, ତତକ୍ଷଣାତ୍ କରେଣ୍ଟ ଅଧିକ ହେବ | MOSFET ଡ୍ରାଇଭ୍ର ଚୟନ / ଡିଜାଇନ୍ ପ୍ରଥମେ ଧ୍ୟାନ ଦେବା ହେଉଛି ତତକ୍ଷଣାତ୍ ସର୍ଟ ସର୍କିଟ୍ କରେଣ୍ଟ୍ର ଆକାର ପ୍ରଦାନ କରାଯାଇପାରିବ | ଧ୍ୟାନ ଦେବାର ଦ୍ୱିତୀୟ ବିଷୟ ହେଉଛି, ସାଧାରଣତ high ହାଇ-ଏଣ୍ଡ ଡ୍ରାଇଭ NMOS ରେ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ, ଚାହିଦା ଅନୁଯାୟୀ ଗେଟ୍ ଭୋଲଟେଜ୍ ଉତ୍ସ ଭୋଲଟେଜ୍ ଠାରୁ ଅଧିକ | ହାଇ-ଏଣ୍ଡ୍ ଡ୍ରାଇଭ୍ MOS ଟ୍ୟୁବ୍ କଣ୍ଡକ୍ଟେସନ୍ ଉତ୍ସ ଭୋଲଟେଜ୍ ଏବଂ ଡ୍ରେନ୍ ଭୋଲଟେଜ୍ (VCC) ସମାନ, ତେଣୁ VCC 4V କିମ୍ବା 10V ଅପେକ୍ଷା ଗେଟ୍ ଭୋଲଟେଜ୍ | ସମାନ ସିଷ୍ଟମରେ, VCC ଅପେକ୍ଷା ଏକ ବଡ଼ ଭୋଲଟେଜ୍ ପାଇବା ପାଇଁ, ଆମକୁ ଏକ ସ୍ୱତନ୍ତ୍ର ବୁଷ୍ଟ୍ ସର୍କିଟ୍ ଦରକାର | ଅନେକ ମୋଟର ଡ୍ରାଇଭର ଇଣ୍ଟିଗ୍ରେଟେଡ୍ ଚାର୍ଜ ପମ୍ପ, ଧ୍ୟାନ ଦେବା ପାଇଁ ଉପଯୁକ୍ତ ବାହ୍ୟ କ୍ୟାପେସିଟର ବାଛିବା ଉଚିତ, MOSFET ଚଳାଇବା ପାଇଁ ପର୍ଯ୍ୟାପ୍ତ ସର୍ଟ ସର୍କିଟ କରେଣ୍ଟ ପାଇବାକୁ | ଉପରୋକ୍ତ 4V କିମ୍ବା 10V ସାଧାରଣତ vol ଭୋଲ୍ଟେଜ୍ ଉପରେ MOSFET ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ, ଅବଶ୍ୟ ଡିଜାଇନ୍, ଏକ ନିର୍ଦ୍ଦିଷ୍ଟ ମାର୍ଜିନର ଆବଶ୍ୟକତା | ଭୋଲଟେଜ୍ ଯେତେ ଅଧିକ, ଅନ୍-ଷ୍ଟେଟ୍ ସ୍ପିଡ୍ ଏବଂ ଅନ୍-ଷ୍ଟେଟ୍ ପ୍ରତିରୋଧ କମ୍ | ସାଧାରଣତ different ବିଭିନ୍ନ ବର୍ଗରେ ବ୍ୟବହୃତ ଛୋଟ ଅନ୍-ଷ୍ଟେଟ୍ ଭୋଲଟେଜ୍ MOSFET ଗୁଡିକ ମଧ୍ୟ ଥାଏ, କିନ୍ତୁ 12V ଅଟୋମୋବାଇଲ୍ ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ସ ସିଷ୍ଟମରେ ସାଧାରଣ 4V ଅନ୍-ଷ୍ଟେଟ୍ ଯଥେଷ୍ଟ |
MOSFET ର ମୁଖ୍ୟ ପାରାମିଟରଗୁଡିକ ନିମ୍ନଲିଖିତ ଅଟେ:
1. ଗେଟ୍ ଉତ୍ସ ବ୍ରେକଡାଉନ୍ ଭୋଲଟେଜ୍ BVGS - ଗେଟ୍ ଉତ୍ସ ଭୋଲଟେଜ୍ ବୃଦ୍ଧି ପ୍ରକ୍ରିୟାରେ, ଯାହା ଦ୍ V ାରା VGS ରେ ତୀବ୍ର ବୃଦ୍ଧି ଆରମ୍ଭ କରିବାକୁ ଶୂନରୁ ଗେଟ୍ କରେଣ୍ଟ୍ ଆଇଜି, ଯାହା ଗେଟ୍ ଉତ୍ସ ବ୍ରେକଡାଉନ୍ ଭୋଲଟେଜ୍ BVGS ଭାବରେ ଜଣାଶୁଣା |
2. ଟର୍ନ୍ ଅନ୍ ଭୋଲଟେଜ୍ VT - ଟର୍ନ୍ ଅନ୍ ଭୋଲଟେଜ୍ (ଥ୍ରେସହୋଲ୍ଡ ଭୋଲଟେଜ୍ ଭାବରେ ମଧ୍ୟ ଜଣାଶୁଣା): କଣ୍ଡକ୍ଟିଭ୍ ଚ୍ୟାନେଲର ଆରମ୍ଭ ମଧ୍ୟରେ ଉତ୍ସ S ଏବଂ ଡ୍ରେନ୍ D ଆବଶ୍ୟକ ଗେଟ୍ ଭୋଲଟେଜ୍ ଗଠନ କରେ | - ମାନକ N- ଚ୍ୟାନେଲ MOSFET, VT ପ୍ରାୟ 3 ~ 6V; - ଉନ୍ନତି ପ୍ରକ୍ରିୟା ପରେ, MOSFET VT ମୂଲ୍ୟକୁ 2 ~ 3V ପର୍ଯ୍ୟନ୍ତ କରିପାରେ |
3. ଡ୍ରେନ୍ ବ୍ରେକଡାଉନ୍ ଭୋଲଟେଜ୍ BVDS - VGS = 0 (ସଶକ୍ତ) ଅବସ୍ଥାରେ, ଡ୍ରେନ୍ ଭୋଲଟେଜ୍ ବୃଦ୍ଧି ପ୍ରକ୍ରିୟାରେ ଯାହା ଦ୍ the ାରା ID ନାଟକୀୟ ଭାବରେ ବ to ିବାକୁ ଲାଗେ ଯେତେବେଳେ VDS କୁ ଡ୍ରେନ୍ ବ୍ରେକଡାଉନ୍ ଭୋଲଟେଜ୍ BVDS - ID ନାଟକୀୟ ଭାବରେ ବୃଦ୍ଧି ପାଇଲା | ନିମ୍ନଲିଖିତ ଦୁଇଟି ଦିଗ:
(1) ଡ୍ରେନ୍ ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋଡ୍ ନିକଟରେ ହ୍ରାସ ସ୍ତରର ବାଘ ଭାଙ୍ଗିବା |
| , ଯାହାଫଳରେ ଚ୍ୟାନେଲର ଦ length ର୍ଘ୍ୟ ଶୂନ୍ୟ, ଅର୍ଥାତ୍ ଡ୍ରେନ୍-ଉତ୍ସ ଅନୁପ୍ରବେଶ, ଅନୁପ୍ରବେଶ, ଅଧିକାଂଶ ବାହକଙ୍କର ଉତ୍ସ ଅଞ୍ଚଳ, ଉତ୍ସ ଅଞ୍ଚଳ, ବ electric ଦ୍ୟୁତିକ କ୍ଷେତ୍ରର ଅବଶୋଷଣ ସ୍ତରକୁ ପ୍ରତିହତ କରିବାକୁ ସିଧା ହେବ, ଲିକେଜ୍ ଅଞ୍ଚଳରେ ପହଞ୍ଚିବା ପାଇଁ, ଏକ ବଡ଼ ID ଫଳାଫଳ |
4. ଡିସି ଇନପୁଟ୍ ପ୍ରତିରୋଧ RGS- ଅର୍ଥାତ୍, ଗେଟ୍ ଉତ୍ସ ଏବଂ ଗେଟ୍ କରେଣ୍ଟ ମଧ୍ୟରେ ଯୋଡି ହୋଇଥିବା ଭୋଲଟେଜ୍ ଅନୁପାତ, ଏହି ଚରିତ୍ରଟି ବେଳେବେଳେ ଗେଟ୍ MOSFET ର RGS ଦେଇ ପ୍ରବାହିତ ଗେଟ୍ କରେଣ୍ଟ୍ ଅନୁଯାୟୀ ପ୍ରକାଶ କରାଯାଇଥାଏ | 5
5. ସ୍ଥିତିର ସ୍ଥିର ମୂଲ୍ୟ ପାଇଁ VDS ରେ ଲୋ-ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସି ଟ୍ରାନ୍ସକଣ୍ଡକ୍ଟାନ୍ସ ଜିଏମ୍, ଡ୍ରେନ୍ କରେଣ୍ଟ୍ର ମାଇକ୍ରୋଭାରିଆନ୍ସ ଏବଂ ଏହି ପରିବର୍ତ୍ତନ ଦ୍ caused ାରା ସୃଷ୍ଟି ହୋଇଥିବା ଗେଟ୍ ଉତ୍ସ ଭୋଲଟେଜ୍ ମାଇକ୍ରୋଭାରିଆନ୍ସକୁ ଟ୍ରାନ୍ସକଣ୍ଡକ୍ଟାନ୍ସ ଜିଏମ୍ କୁହାଯାଏ, ଯାହା ଗେଟ୍ ଉତ୍ସ ଭୋଲଟେଜ୍ର ନିୟନ୍ତ୍ରଣକୁ ପ୍ରତିଫଳିତ କରିଥାଏ | ଡ୍ରେନ୍ କରେଣ୍ଟ୍ ହେଉଛି ଦେଖାଇବା ଯେ ଏକ ଗୁରୁତ୍ୱପୂର୍ଣ୍ଣ ପାରାମିଟରର MOSFET ବିସ୍ତାର, ସାଧାରଣତ a ଅଳ୍ପରୁ କିଛି mA / V ପରିସର ମଧ୍ୟରେ | MOSFET ସହଜରେ 1010Ω ଅତିକ୍ରମ କରିପାରିବ |
ପୋଷ୍ଟ ସମୟ: ମେ -14-2024 |
