MOSFET ଏବଂ IGBT ମଧ୍ୟରେ ପାର୍ଥକ୍ୟ କ’ଣ? ଓଲୁକି ତୁମର ପ୍ରଶ୍ନର ଉତ୍ତର ଦେବ!

ସମ୍ବାଦ

MOSFET ଏବଂ IGBT ମଧ୍ୟରେ ପାର୍ଥକ୍ୟ କ’ଣ? ଓଲୁକି ତୁମର ପ୍ରଶ୍ନର ଉତ୍ତର ଦେବ!

ସୁଇଚ୍ ଉପାଦାନ ଭାବରେ, MOSFET ଏବଂ IGBT ପ୍ରାୟତ electronic ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ ସର୍କିଟ୍ ରେ ଦେଖାଯାଏ | ସେଗୁଡ଼ିକ ମଧ୍ୟ ରୂପ ଏବଂ ଚରିତ୍ରଗତ ପାରାମିଟରରେ ସମାନ | ମୁଁ ବିଶ୍ୱାସ କରେ ଅନେକ ଲୋକ ଆଶ୍ଚର୍ଯ୍ୟ ହେବେ ଯେ କେତେକ ସର୍କିଟ୍ କାହିଁକି MOSFET ବ୍ୟବହାର କରିବା ଆବଶ୍ୟକ କରନ୍ତି, ଅନ୍ୟମାନେ ଏହା କରନ୍ତି | IGBT?

ସେମାନଙ୍କ ମଧ୍ୟରେ ପାର୍ଥକ୍ୟ କ’ଣ? ପରବର୍ତ୍ତୀ,ଓଲୁକେତୁମର ପ୍ରଶ୍ନର ଉତ୍ତର ଦେବ!

MOSFET ଏବଂ IGBT |

କ’ଣMOSFET?

MOSFET, ସମ୍ପୂର୍ଣ୍ଣ ଚାଇନିଜ୍ ନାମ ହେଉଛି ଧାତୁ-ଅକ୍ସାଇଡ୍ ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ଫିଲ୍ଡ ଇଫେକ୍ଟ ଟ୍ରାନଜିଷ୍ଟର | କାରଣ ଏହି ଫିଲ୍ଡ ଇଫେକ୍ଟ ଟ୍ରାନଜିଷ୍ଟରର ଗେଟ୍ ଏକ ଇନସୁଲେଟିଂ ସ୍ତର ଦ୍ୱାରା ବିଚ୍ଛିନ୍ନ, ଏହାକୁ ଏକ ଇନସୁଲେଟେଡ୍ ଗେଟ୍ ଫିଲ୍ଡ ଇଫେକ୍ଟ ଟ୍ରାନଜିଷ୍ଟର ମଧ୍ୟ କୁହାଯାଏ | MOSFET କୁ ଦୁଇ ପ୍ରକାରରେ ବିଭକ୍ତ କରାଯାଇପାରେ: ଏହାର "ଚ୍ୟାନେଲ" (କାର୍ଯ୍ୟ କରୁଥିବା ବାହକ) ର ପୋଲାରାଇଟି ଅନୁଯାୟୀ "N- ପ୍ରକାର" ଏବଂ "P- ପ୍ରକାର", ସାଧାରଣତ N N MOSFET ଏବଂ P MOSFET ମଧ୍ୟ କୁହାଯାଏ |

MOSFET ର ବିଭିନ୍ନ ଚ୍ୟାନେଲ୍ ସ୍କିମେଟିକ୍ |

MOSFET ର ନିଜସ୍ୱ ପରଜୀବୀ ଡାୟୋଡ୍ ଅଛି, ଯାହା VDD ଅତ୍ୟଧିକ ଭୋଲଟେଜ୍ ଥିବାବେଳେ MOSFET ଜଳିଯିବା ପାଇଁ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ | କାରଣ ଓଭରଭୋଲଟେଜ୍ MOSFET କୁ କ୍ଷତି ପହଞ୍ଚାଇବା ପୂର୍ବରୁ, ଡାୟୋଡ୍ ପ୍ରଥମେ ଓଲଟା ଭାଙ୍ଗି ବଡ କରେଣ୍ଟକୁ ଭୂମି ଆଡକୁ ପଠାଇଥାଏ, ଯାହାଦ୍ୱାରା MOSFET ଜଳିଯିବାକୁ ରୋକିଥାଏ |

MOSFET କାର୍ଯ୍ୟ ନୀତି ଚିତ୍ର |

IGBT କ’ଣ?

IGBT (ଇନସୁଲେଟେଡ୍ ଗେଟ୍ ବାଇପୋଲାର୍ ଟ୍ରାନଜିଷ୍ଟର) ହେଉଛି ଏକ ଯ ound ଗିକ ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ଉପକରଣ ଯାହା ଏକ ଟ୍ରାନଜିଷ୍ଟର ଏବଂ ଏକ MOSFET କୁ ନେଇ ଗଠିତ |

N- ପ୍ରକାର ଏବଂ P- ପ୍ରକାର IGBT |

IGBT ର ସର୍କିଟ ସଙ୍କେତ ଏପର୍ଯ୍ୟନ୍ତ ଏକୀକୃତ ହୋଇନାହିଁ | ସ୍କିମେଟିକ୍ ଚିତ୍ର ଆଙ୍କିବାବେଳେ, ଟ୍ରାଇଏଡ୍ ଏବଂ MOSFET ର ପ୍ରତୀକଗୁଡ଼ିକ ସାଧାରଣତ b ed ଣ କରାଯାଏ | ଏହି ସମୟରେ, ଆପଣ ସ୍କିମେଟିକ୍ ଚିତ୍ରରେ ଚିହ୍ନିତ ମଡେଲରୁ ଏହା IGBT କିମ୍ବା MOSFET କି ନୁହେଁ ତାହା ବିଚାର କରିପାରିବେ |

ସେହି ସମୟରେ, ଆପଣ ମଧ୍ୟ ଧ୍ୟାନ ଦେବା ଉଚିତ୍ ଯେ IGBT ର ବଡି ଡାୟୋଡ୍ ଅଛି କି ନାହିଁ | ଯଦି ଏହା ଛବି ଉପରେ ଚିହ୍ନିତ ହୋଇନାହିଁ, ଏହାର ଅର୍ଥ ନୁହେଁ ଯେ ଏହା ବିଦ୍ୟମାନ ନାହିଁ | ଯଦି ସରକାରୀ ତଥ୍ୟ ନିର୍ଦ୍ଦିଷ୍ଟ ଭାବରେ ଉଲ୍ଲେଖ ନକରେ, ଏହି ଡାୟୋଡ୍ ଉପସ୍ଥିତ | IGBT ଭିତରେ ଥିବା ବଡି ଡାୟୋଡ୍ ପରଜୀବୀ ନୁହେଁ, କିନ୍ତୁ IGBT ର ଦୁର୍ବଳ ଓଲଟା ପ୍ରତିରୋଧ ଭୋଲଟେଜକୁ ରକ୍ଷା କରିବା ପାଇଁ ସ୍ୱତନ୍ତ୍ର ଭାବରେ ସେଟ୍ ଅପ୍ ହୋଇଛି | ଏହାକୁ FWD (ଫ୍ରିୱେଲିଂ ଡାୟୋଡ୍) ମଧ୍ୟ କୁହାଯାଏ |

ଦୁଇଜଣଙ୍କର ଆଭ୍ୟନ୍ତରୀଣ ଗଠନ ଅଲଗା ଅଟେ |

MOSFET ର ତିନୋଟି ପୋଲ ହେଉଛି ଉତ୍ସ (S), ଡ୍ରେନ୍ (D) ଏବଂ ଗେଟ୍ (G) |

IGBT ର ତିନୋଟି ପୋଲ ହେଉଛି କଲେକ୍ଟର (C), ଏମିଟର (E) ଏବଂ ଗେଟ୍ (G) |

ଏକ MOSFET ର ଡ୍ରେନ୍ ରେ ଅତିରିକ୍ତ ସ୍ତର ଯୋଗ କରି ଏକ IGBT ନିର୍ମିତ | ସେମାନଙ୍କର ଆଭ୍ୟନ୍ତରୀଣ ଗଠନ ନିମ୍ନଲିଖିତ ଅଟେ:

MOSFET ଏବଂ IGBT ର ମ Basic ଳିକ ଗଠନ |

ଦୁଇଜଣଙ୍କର ପ୍ରୟୋଗ କ୍ଷେତ୍ର ଭିନ୍ନ ଅଟେ |

MOSFET ଏବଂ IGBT ର ଆଭ୍ୟନ୍ତରୀଣ ସଂରଚନା ଭିନ୍ନ, ଯାହା ସେମାନଙ୍କର ପ୍ରୟୋଗ କ୍ଷେତ୍ର ନିର୍ଣ୍ଣୟ କରେ |

MOSFET ର ଗଠନ ହେତୁ, ଏହା ସାଧାରଣତ a ଏକ ବୃହତ କରେଣ୍ଟ ହାସଲ କରିପାରିବ, ଯାହା KA ରେ ପହଞ୍ଚିପାରେ, କିନ୍ତୁ ପୂର୍ବ ଭୋଲଟେଜ୍ ପ୍ରତିରୋଧ କ୍ଷମତା IGBT ପରି ଶକ୍ତିଶାଳୀ ନୁହେଁ | ଏହାର ମୁଖ୍ୟ ପ୍ରୟୋଗ କ୍ଷେତ୍ରଗୁଡ଼ିକ ହେଉଛି ବିଦ୍ୟୁତ୍ ଯୋଗାଣ, ବାଲାଷ୍ଟସ୍, ହାଇ-ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସି ଇନଡକ୍ସନ୍ ଗରମ, ଉଚ୍ଚ-ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସି ଇନଭର୍ଟର ୱେଲଡିଂ ମେସିନ୍, ଯୋଗାଯୋଗ ଶକ୍ତି ଯୋଗାଣ ଏବଂ ଅନ୍ୟାନ୍ୟ ଉଚ୍ଚ-ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସି ବିଦ୍ୟୁତ୍ ଯୋଗାଣ କ୍ଷେତ୍ର |

IGBT ବହୁତ ଶକ୍ତି, କରେଣ୍ଟ ଏବଂ ଭୋଲଟେଜ୍ ଉତ୍ପାଦନ କରିପାରିବ, କିନ୍ତୁ ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସି ଅଧିକ ନୁହେଁ | ବର୍ତ୍ତମାନ, IGBT ର ହାର୍ଡ ସୁଇଚ୍ ସ୍ପିଡ୍ 100KHZ ରେ ପହଞ୍ଚିପାରେ | ୱେଲଡିଂ ମେସିନ୍, ଇନଭର୍ଟର, ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସି କନଭର୍ଟର, ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋଲାଇଟିକ୍ ବିଦ୍ୟୁତ୍ ଯୋଗାଣ, ଅଲଟ୍ରାସୋନିକ୍ ଇନଡକ୍ସନ୍ ଗରମ ଏବଂ ଅନ୍ୟାନ୍ୟ କ୍ଷେତ୍ରରେ IGBT ବହୁଳ ଭାବରେ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ |

MOSFET ଏବଂ IGBT ର ମୁଖ୍ୟ ବ features ଶିଷ୍ଟ୍ୟଗୁଡିକ |

MOSFET ରେ ଉଚ୍ଚ ଇନପୁଟ୍ ପ୍ରତିରୋଧ, ଦ୍ରୁତ ସୁଇଚ୍ ସ୍ପିଡ୍, ଭଲ ତାପଜ ସ୍ଥିରତା, ଭୋଲଟେଜ୍ କଣ୍ଟ୍ରୋଲ୍ କରେଣ୍ଟ୍ ଇତ୍ୟାଦିର ଗୁଣ ରହିଛି, ସର୍କିଟରେ ଏହାକୁ ଏମ୍ପ୍ଲିଫାୟର୍, ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ ସୁଇଚ୍ ଏବଂ ଅନ୍ୟାନ୍ୟ ଉଦ୍ଦେଶ୍ୟରେ ବ୍ୟବହାର କରାଯାଇପାରିବ |

ଏକ ନୂତନ ପ୍ରକାରର ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ଉପକରଣ ଭାବରେ, IGBT ରେ ଉଚ୍ଚ ଇନପୁଟ୍ ପ୍ରତିରୋଧ, ଲୋ ଭୋଲଟେଜ୍ କଣ୍ଟ୍ରୋଲ୍ ପାୱାର୍ ବ୍ୟବହାର, ସରଳ କଣ୍ଟ୍ରୋଲ୍ ସର୍କିଟ୍, ହାଇ ଭୋଲଟେଜ୍ ପ୍ରତିରୋଧ ଏବଂ ବୃହତ କରେଣ୍ଟ ସହନଶୀଳତାର ଗୁଣ ରହିଛି ଏବଂ ଏହା ବିଭିନ୍ନ ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ ସର୍କିଟ୍ରେ ବହୁଳ ଭାବରେ ବ୍ୟବହୃତ ହୋଇଛି |

IGBT ର ଆଦର୍ଶ ସମାନ ସର୍କିଟ୍ ନିମ୍ନ ଚିତ୍ରରେ ଦର୍ଶାଯାଇଛି | IGBT ପ୍ରକୃତରେ MOSFET ଏବଂ ଟ୍ରାନଜିଷ୍ଟରର ଏକ ମିଶ୍ରଣ | ଉଚ୍ଚ ଅନ୍-ପ୍ରତିରୋଧର MOSFET ର ଅସୁବିଧା ଅଛି, କିନ୍ତୁ IGBT ଏହି ଅଭାବକୁ ଦୂର କରେ | ହାଇ ଭୋଲଟେଜରେ IGBT ରେ କମ୍ ଅନ୍-ପ୍ରତିରୋଧ ଅଛି | ।

IGBT ଆଦର୍ଶ ସମାନ ସର୍କିଟ |

ସାଧାରଣତ ,, MOSFET ର ସୁବିଧା ହେଉଛି ଏହାର ଭଲ ହାଇ-ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସି ବ characteristics ଶିଷ୍ଟ୍ୟ ଅଛି ଏବଂ ଏହା ଶହ ଶହ kHz ଏବଂ MHz ପର୍ଯ୍ୟନ୍ତ ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସିରେ କାର୍ଯ୍ୟ କରିପାରିବ | ଅସୁବିଧା ହେଉଛି ଅନ୍-ପ୍ରତିରୋଧକ ବୃହତ ଏବଂ ଉଚ୍ଚ-ଭୋଲଟେଜ୍ ଏବଂ ହାଇ-କରେଣ୍ଟ୍ ପରିସ୍ଥିତିରେ ବିଦ୍ୟୁତ୍ ବ୍ୟବହାର ଅଧିକ | IGBT କମ୍ ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସି ଏବଂ ଉଚ୍ଚ ଶକ୍ତି ପରିସ୍ଥିତିରେ ଭଲ ପ୍ରଦର୍ଶନ କରେ, ଛୋଟ ଅନ୍-ପ୍ରତିରୋଧ ଏବଂ ଉଚ୍ଚ ପ୍ରତିରୋଧ ଭୋଲଟେଜ୍ ସହିତ |

MOSFET କିମ୍ବା IGBT ବାଛନ୍ତୁ |

ସର୍କିଟ୍ ରେ, MOSFET କୁ ପାୱାର୍ ସୁଇଚ୍ ଟ୍ୟୁବ୍ କିମ୍ବା IGBT ଭାବରେ ବାଛିବା ଏକ ପ୍ରଶ୍ନ ଯାହା ଇଞ୍ଜିନିୟର୍ମାନେ ପ୍ରାୟତ। ସାମ୍ନା କରନ୍ତି | ଯଦି ସିଷ୍ଟମର ଭୋଲଟେଜ୍, କରେଣ୍ଟ୍ ଏବଂ ସୁଇଚ୍ ପାୱାର୍ ଭଳି କାରକକୁ ବିଚାରକୁ ନିଆଯାଏ, ତେବେ ନିମ୍ନଲିଖିତ ପଏଣ୍ଟଗୁଡ଼ିକୁ ସଂକ୍ଷିପ୍ତ କରାଯାଇପାରେ:

MOSFET ଏବଂ IGBT ମଧ୍ୟରେ ପାର୍ଥକ୍ୟ |

ଲୋକମାନେ ପ୍ରାୟତ ask ପଚାରନ୍ତି: "MOSFET କିମ୍ବା IGBT ଭଲ କି?" ବାସ୍ତବରେ, ଉଭୟଙ୍କ ମଧ୍ୟରେ କ good ଣସି ଭଲ କିମ୍ବା ଖରାପ ପାର୍ଥକ୍ୟ ନାହିଁ | ସବୁଠାରୁ ଗୁରୁତ୍ୱପୂର୍ଣ୍ଣ ବିଷୟ ହେଉଛି ଏହାର ପ୍ରକୃତ ପ୍ରୟୋଗ ଦେଖିବା |

MOSFET ଏବଂ IGBT ମଧ୍ୟରେ ଥିବା ପାର୍ଥକ୍ୟ ବିଷୟରେ ଯଦି ଆପଣଙ୍କର ତଥାପି ପ୍ରଶ୍ନ ଅଛି, ତେବେ ସବିଶେଷ ତଥ୍ୟ ପାଇଁ ଆପଣ Olukey ସହିତ ଯୋଗାଯୋଗ କରିପାରିବେ |

ଓଲୁକି ମୁଖ୍ୟତ W WINSOK ମଧ୍ୟମ ଏବଂ ଲୋ ଭୋଲଟେଜ୍ MOSFET ଉତ୍ପାଦ ବଣ୍ଟନ କରେ | ସାମରିକ ଶିଳ୍ପ, ଏଲଇଡି / ଏଲସିଡି ଡ୍ରାଇଭର ବୋର୍ଡ, ମୋଟର ଡ୍ରାଇଭର ବୋର୍ଡ, ଫାଷ୍ଟ ଚାର୍ଜିଂ, ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ ସିଗାରେଟ୍, LCD ମନିଟର, ବିଦ୍ୟୁତ୍ ଯୋଗାଣ, ଛୋଟ ଘରୋଇ ଉପକରଣ, ଚିକିତ୍ସା ଉତ୍ପାଦ ଏବଂ ବ୍ଲୁଟୁଥ୍ ଉତ୍ପାଦରେ ଉତ୍ପାଦଗୁଡିକ ବହୁଳ ଭାବରେ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ | ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ ମାପକାଠି, ଯାନ ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ସ, ନେଟୱାର୍କ ଉତ୍ପାଦ, ଘରୋଇ ଉପକରଣ, କମ୍ପ୍ୟୁଟର ପେରିଫେରାଲ୍ ଏବଂ ବିଭିନ୍ନ ଡିଜିଟାଲ୍ ଉତ୍ପାଦ |


ପୋଷ୍ଟ ସମୟ: ଡିସେମ୍ବର -18-2023 |