ଏହି ଉଚ୍ଚ-ଦକ୍ଷତା ବ electronic ଦ୍ୟୁତିକ ଉପାଦାନଗୁଡ଼ିକୁ ଫଳପ୍ରଦ ଭାବରେ ବ୍ୟବହାର କରିବା ପାଇଁ MOSFETs (ଧାତୁ-ଅକ୍ସାଇଡ୍-ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ଫିଲ୍ଡ-ଇଫେକ୍ଟ ଟ୍ରାନଜିଷ୍ଟର) ର କାର୍ଯ୍ୟକ୍ଷମ ନୀତି ବୁ standing ିବା ଅତ୍ୟନ୍ତ ଗୁରୁତ୍ୱପୂର୍ଣ୍ଣ |ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ ଉପକରଣଗୁଡ଼ିକରେ MOSFET ଗୁଡିକ ଅପରିହାର୍ଯ୍ୟ ଉପାଦାନ, ଏବଂ ଉତ୍ପାଦନକାରୀଙ୍କ ପାଇଁ ସେଗୁଡ଼ିକୁ ବୁ essential ିବା ଜରୁରୀ |
ଅଭ୍ୟାସରେ, ଏପରି ନିର୍ମାତା ଅଛନ୍ତି ଯେଉଁମାନେ ହୁଏତ ସେମାନଙ୍କ ପ୍ରୟୋଗ ସମୟରେ MOSFET ର ନିର୍ଦ୍ଦିଷ୍ଟ କାର୍ଯ୍ୟଗୁଡ଼ିକୁ ସମ୍ପୂର୍ଣ୍ଣରୂପେ ପ୍ରଶଂସା କରିପାରନ୍ତି ନାହିଁ |ତଥାପି, ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ ଡିଭାଇସରେ MOSFET ର କାର୍ଯ୍ୟ ପ୍ରଣାଳୀ ଏବଂ ସେମାନଙ୍କର ଅନୁରୂପ ଭୂମିକାକୁ ବୁ asp ି, ଏହାର ଅନନ୍ୟ ବ characteristics ଶିଷ୍ଟ୍ୟ ଏବଂ ଉତ୍ପାଦର ନିର୍ଦ୍ଦିଷ୍ଟ ଗୁଣକୁ ଧ୍ୟାନରେ ରଖି ରଣନୀତିଗତ ଭାବରେ ସବୁଠାରୁ ଉପଯୁକ୍ତ MOSFET ଚୟନ କରିପାରିବ |ଏହି ପଦ୍ଧତି ଉତ୍ପାଦର କାର୍ଯ୍ୟଦକ୍ଷତାକୁ ବ ances ାଇଥାଏ, ବଜାରରେ ଏହାର ପ୍ରତିଦ୍ୱନ୍ଦ୍ୱିତାକୁ ବ .ାଇଥାଏ |
WINSOK SOT-23-3 ପ୍ୟାକେଜ୍ MOSFET |
MOSFET କାର୍ଯ୍ୟ ନୀତି |
ଯେତେବେଳେ MOSFET ର ଗେଟ୍-ସୋର୍ସ ଭୋଲଟେଜ୍ (VGS) ଶୂନ୍ୟ, ଡ୍ରେନ୍-ସୋର୍ସ ଭୋଲଟେଜ୍ (VDS) ର ପ୍ରୟୋଗ ସହିତ, ସର୍ବଦା ଓଲଟା ଦ୍ୱିପାକ୍ଷିକରେ ଏକ PN ଜଙ୍କସନ ଥାଏ, ଫଳସ୍ୱରୂପ କ conduct ଣସି କଣ୍ଡକ୍ଟିଭ୍ ଚ୍ୟାନେଲ୍ (ଏବଂ କ current ଣସି କରେଣ୍ଟ୍) ନଥାଏ | MOSFET ର ଡ୍ରେନ୍ ଏବଂ ଉତ୍ସ |ଏହି ଅବସ୍ଥାରେ, MOSFET ର ଡ୍ରେନ୍ କରେଣ୍ଟ୍ (ID) ଶୂନ୍ୟ |ଗେଟ୍ ଏବଂ ଉତ୍ସ (VGS> 0) ମଧ୍ୟରେ ଏକ ସକରାତ୍ମକ ଭୋଲଟେଜ୍ ପ୍ରୟୋଗ କରିବା ଦ୍ M ାରା MOSFET ର ଗେଟ୍ ଏବଂ ସିଲିକନ୍ ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ମଧ୍ୟରେ ଥିବା SiO2 ଇନସୁଲେଟିଂ ସ୍ତରରେ ଏକ ବ electric ଦ୍ୟୁତିକ କ୍ଷେତ୍ର ସୃଷ୍ଟି ହୁଏ, ଯାହା ଫାଟକରୁ P- ପ୍ରକାର ସିଲିକନ୍ ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ଆଡକୁ ନିର୍ଦ୍ଦେଶିତ |ଅକ୍ସାଇଡ୍ ସ୍ତର ଇନସୁଲେଟିଂ ଦିଆଯାଉଛି, ଗେଟ୍ ଉପରେ ପ୍ରୟୋଗ ହୋଇଥିବା ଭୋଲଟେଜ୍, VGS, MOSFET ରେ ଏକ କରେଣ୍ଟ ସୃଷ୍ଟି କରିପାରିବ ନାହିଁ |ଏହା ପରିବର୍ତ୍ତେ, ଏହା ଅକ୍ସାଇଡ୍ ସ୍ତରରେ ଏକ କ୍ୟାପେସିଟର୍ ଗଠନ କରେ |
ଯେହେତୁ VGS ଧୀରେ ଧୀରେ ବ increases େ, କ୍ୟାପେସିଟର୍ ଚାର୍ଜ ହୁଏ, ଏକ ବ electric ଦ୍ୟୁତିକ କ୍ଷେତ୍ର ସୃଷ୍ଟି କରେ |ଗେଟରେ ପଜିଟିଭ୍ ଭୋଲଟେଜ୍ ଦ୍ୱାରା ଆକର୍ଷିତ ହୋଇ, ଅନେକ ଇଲେକ୍ଟ୍ରନ୍ କ୍ୟାପେସିଟରର ଅନ୍ୟ ପାର୍ଶ୍ୱରେ ଜମା ହୋଇ ଡ୍ରେନ୍ ଠାରୁ MOSFET ର ଉତ୍ସ ପର୍ଯ୍ୟନ୍ତ ଏକ N- ପ୍ରକାର କଣ୍ଡକ୍ଟିଭ୍ ଚ୍ୟାନେଲ୍ ଗଠନ କରନ୍ତି |ଯେତେବେଳେ VGS ଥ୍ରେସହୋଲ୍ଡ ଭୋଲଟେଜ୍ VT (ସାଧାରଣତ 2 2V) ଅତିକ୍ରମ କରେ, MOSFET ର N- ଚ୍ୟାନେଲ୍, ଡ୍ରେନ୍ କରେଣ୍ଟ୍ ID ର ପ୍ରବାହ ଆରମ୍ଭ କରେ |ଯେଉଁ ଗେଟ୍-ଉତ୍ସ ଭୋଲଟେଜ୍ ଯେଉଁଠାରେ ଚ୍ୟାନେଲ୍ ଗଠନ ହେବାକୁ ଆରମ୍ଭ କରେ, ତାହାକୁ ଥ୍ରେସହୋଲ୍ଡ ଭୋଲଟେଜ୍ VT କୁହାଯାଏ |VGS ର ପରିମାଣକୁ ନିୟନ୍ତ୍ରଣ କରି, ଏବଂ ଫଳସ୍ୱରୂପ ବ electric ଦ୍ୟୁତିକ କ୍ଷେତ୍ର, MOSFET ରେ ଥିବା ଡ୍ରେନ୍ କରେଣ୍ଟ୍ ID ର ଆକାରକୁ ମଡ୍ୟୁଲେଟ୍ କରାଯାଇପାରିବ |
WINSOK DFN5x6-8 ପ୍ୟାକେଜ୍ MOSFET |
MOSFET ପ୍ରୟୋଗଗୁଡ଼ିକ |
MOSFET ଏହାର ଉତ୍କୃଷ୍ଟ ସୁଇଚିଂ ବ characteristics ଶିଷ୍ଟ୍ୟ ପାଇଁ ପ୍ରସିଦ୍ଧ, ସର୍କିଟରେ ଏହାର ବ୍ୟାପକ ପ୍ରୟୋଗକୁ ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ ସୁଇଚ୍ ଆବଶ୍ୟକ କରେ, ଯେପରିକି ସୁଇଚ୍-ମୋଡ୍ ପାୱାର୍ ଯୋଗାଣ |5V ବିଦ୍ୟୁତ୍ ଯୋଗାଣ ବ୍ୟବହାର କରି ଲୋ-ଭୋଲଟେଜ୍ ପ୍ରୟୋଗରେ, ପାରମ୍ପାରିକ ସଂରଚନାଗୁଡ଼ିକର ବ୍ୟବହାର ଦ୍ bip ାରା ଦ୍ୱିପାକ୍ଷିକ ଜଙ୍କସନ୍ ଟ୍ରାନଜିଷ୍ଟରର ବେସ୍-ଏମିଟର ଉପରେ ଏକ ଭୋଲ୍ଟେଜ୍ ଡ୍ରପ୍ ହୁଏ (ପ୍ରାୟ 0.7V), ଫାଟକରେ ପ୍ରୟୋଗ ହୋଇଥିବା ଅନ୍ତିମ ଭୋଲଟେଜ୍ ପାଇଁ କେବଳ 4.3V ଛାଡିଥାଏ | MOSFETଏହି ପରି ପରିସ୍ଥିତିରେ, 4.5V ର ନାମକରଣ ଗେଟ୍ ଭୋଲଟେଜ୍ ସହିତ ଏକ MOSFET ଚୟନ କରିବା କିଛି ବିପଦ ସୃଷ୍ଟି କରେ |ଏହି ଚ୍ୟାଲେଞ୍ଜ 3V କିମ୍ବା ଅନ୍ୟାନ୍ୟ ଲୋ-ଭୋଲଟେଜ୍ ଶକ୍ତି ଯୋଗାଣ ସହିତ ଜଡିତ ପ୍ରୟୋଗରେ ମଧ୍ୟ ଦେଖାଯାଏ |
ପୋଷ୍ଟ ସମୟ: ଅକ୍ଟୋବର -27-2023 |
