MOSFET ଗୁଡିକ ଇଣ୍ଟିଗ୍ରେଟେଡ୍ ସର୍କିଟ୍ ରେ MOSFET ଗୁଡ଼ିକୁ ଇନସୁଲେଟ୍ କରୁଛନ୍ତି |ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର | ଫିଲ୍ଡ, ବୋର୍ଡ ସ୍ତରୀୟ ସର୍କିଟ୍ ଏବଂ ଆଇସି ଡିଜାଇନ୍ରେ ବହୁଳ ଭାବରେ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ | ଡ୍ରେନ୍ ଏବଂ ଉତ୍ସ |MOSFETs | ଅଦଳବଦଳ ହୋଇପାରିବ, ଏବଂ ଏକ N- ପ୍ରକାର ଅଞ୍ଚଳ ସହିତ ଏକ P- ପ୍ରକାର ବ୍ୟାକଗେଟ୍ ରେ ଗଠିତ | ସାଧାରଣତ ,, ଦୁଇଟି ଉତ୍ସ ଅଦଳବଦଳ, ଉଭୟ ଏକ N- ପ୍ରକାର ଅଞ୍ଚଳ ଗଠନ କରନ୍ତି |ପି-ଟାଇପ୍ ବ୍ୟାକଗେଟ୍ |। ସାଧାରଣତ ,, ଏହି ଦୁଇଟି ଜୋନ୍ ସମାନ, ଏବଂ ଏହି ଦୁଇଟି ବିଭାଗ ସୁଇଚ୍ ହୋଇଥିଲେ ମଧ୍ୟ ଉପକରଣର କାର୍ଯ୍ୟଦକ୍ଷତା ପ୍ରଭାବିତ ହେବ ନାହିଁ | ତେଣୁ, ଉପକରଣଟି ସମୃଦ୍ଧ ବୋଲି ବିବେଚନା କରାଯାଏ |
ନୀତି:
ଡ୍ରେନ୍ କରେଣ୍ଟକୁ ନିୟନ୍ତ୍ରଣ କରିବା ପାଇଁ ଏହି "ପ୍ରେରିତ ଚାର୍ଜ" ଦ୍ formed ାରା ଗଠିତ କଣ୍ଡକ୍ଟିଭ୍ ଚ୍ୟାନେଲର ସ୍ଥିତିକୁ ପରିବର୍ତ୍ତନ କରିବା ପାଇଁ MOSFET VGS ବ୍ୟବହାର କରେ | ଯେତେବେଳେ MOSFET ଉତ୍ପାଦନ ହୁଏ, ବିଶେଷ ପ୍ରକ୍ରିୟା ମାଧ୍ୟମରେ ଇନସୁଲେଟିଂ ସ୍ତରରେ ବହୁ ସଂଖ୍ୟକ ସକରାତ୍ମକ ଆୟନ ଦେଖାଯାଏ, ଯାହା ଦ୍ the ାରା ଇଣ୍ଟରଫେସର ଅନ୍ୟ ପାର୍ଶ୍ୱରେ ଅଧିକ ନକାରାତ୍ମକ ଚାର୍ଜ ଅନୁଭବ କରାଯାଇପାରେ ଏବଂ ଉଚ୍ଚ-ବିସ୍ତାର ଯୋଗ୍ୟତା ଅମଳର N- ଅଞ୍ଚଳ ଦ୍ୱାରା ସଂଯୁକ୍ତ ହୋଇଥାଏ | ଏହି ନକାରାତ୍ମକ ଚାର୍ଜ, ଏବଂ କଣ୍ଡକ୍ଟିଭ୍ ଚ୍ୟାନେଲ୍ ଗଠନ ହୁଏ, ଏବଂ VGS 0 ହୋଇଥିଲେ ମଧ୍ୟ ଏକ ଅପେକ୍ଷାକୃତ ବଡ଼ ଡ୍ରେନ୍ କରେଣ୍ଟ୍, ID ସୃଷ୍ଟି ହୁଏ | ଯଦି ଗେଟ୍ ଭୋଲଟେଜ୍ ପରିବର୍ତ୍ତନ ହୁଏ, ଚ୍ୟାନେଲରେ ପ୍ରେରିତ ଚାର୍ଜର ପରିମାଣ ମଧ୍ୟ ବଦଳିଯାଏ, ଏବଂ ମୋଟେଇ | କଣ୍ଡକ୍ଟିଭ୍ ଚ୍ୟାନେଲର ସମାନ ପରିମାଣରେ ପରିବର୍ତ୍ତନ ହୁଏ | ଯଦି ଗେଟ୍ ଭୋଲଟେଜ୍ ବଦଳିଯାଏ, ଚ୍ୟାନେଲରେ ପ୍ରବର୍ତ୍ତିତ ଚାର୍ଜର ପରିମାଣ ମଧ୍ୟ ବଦଳିଯିବ ଏବଂ କଣ୍ଡକ୍ଟିଂ ଚ୍ୟାନେଲର ମୋଟେଇ ମଧ୍ୟ ବଦଳିଯିବ, ତେଣୁ ଗେଟ୍ ଭୋଲଟେଜ୍ ସହିତ ଡ୍ରେନ୍ କରେଣ୍ଟ୍ ଆଇଡି ମଧ୍ୟ ବଦଳିଯିବ |
ଭୂମିକା:
1. ଏହା ଏମ୍ପ୍ଲିଫାୟର୍ ସର୍କିଟରେ ପ୍ରୟୋଗ କରାଯାଇପାରିବ | MOSFET ଏମ୍ପ୍ଲିଫାୟର୍ ର ଉଚ୍ଚ ଇନପୁଟ୍ ପ୍ରତିରୋଧକତା ହେତୁ, କପଲିଙ୍ଗର କ୍ଷମତା କ୍ଷୁଦ୍ର ହୋଇପାରେ ଏବଂ ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋଲାଇଟିକ୍ କ୍ୟାପେସିଟର ବ୍ୟବହାର କରାଯାଇପାରିବ ନାହିଁ |
ଉଚ୍ଚ ଇନପୁଟ୍ ପ୍ରତିରୋଧ ପ୍ରତିରୋଧ ପରିବର୍ତ୍ତନ ପାଇଁ ଉପଯୁକ୍ତ | ମଲ୍ଟି-ଷ୍ଟେଜ୍ ଏମ୍ପ୍ଲିଫାୟର୍ସର ଇନପୁଟ୍ ପର୍ଯ୍ୟାୟରେ ଏହା ପ୍ରାୟତ imp ପ୍ରତିରୋଧ ରୂପାନ୍ତର ପାଇଁ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ |
3, ଏହାକୁ ଭେରିଏବଲ୍ ରେଜିଷ୍ଟର ଭାବରେ ବ୍ୟବହାର କରାଯାଇପାରିବ |
4, ଏକ ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ ସୁଇଚ୍ ଭାବରେ ବ୍ୟବହାର କରାଯାଇପାରିବ |
ଟେଲିଭିଜନରେ ହାଇ-ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସି ହେଡ୍ ଏବଂ ବିଦ୍ୟୁତ୍ ଯୋଗାଣ ସୁଇଚ୍ ଅନ୍ତର୍ଭୂକ୍ତ କରି MOSFET ଗୁଡିକ ବର୍ତ୍ତମାନ ବିଭିନ୍ନ ପ୍ରକାରର ପ୍ରୟୋଗରେ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ | ଆଜିକାଲି, ଦ୍ୱିପାକ୍ଷିକ ସାଧାରଣ ଟ୍ରାନଜିଷ୍ଟର ଏବଂ MOS ଏକତ୍ର ହୋଇ IGBT (ଇନସୁଲେଟେଡ୍ ଗେଟ୍ ବାଇପୋଲାର୍ ଟ୍ରାନଜିଷ୍ଟର) ଗଠନ ପାଇଁ ମିଳିତ ହୋଇଛି, ଯାହା ଉଚ୍ଚ ଶକ୍ତି କ୍ଷେତ୍ରରେ ବହୁଳ ଭାବରେ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ, ଏବଂ MOS ଇଣ୍ଟିଗ୍ରେଟେଡ୍ ସର୍କିଟ୍ ଗୁଡିକ ସ୍ୱଳ୍ପ ଶକ୍ତି ବ୍ୟବହାରର ଗୁଣ, ଏବଂ ବର୍ତ୍ତମାନ CPU ଗୁଡିକ ବହୁଳ ଭାବରେ ବ୍ୟବହୃତ ହୋଇଛି | MOS ସର୍କିଟ୍ |
ପୋଷ୍ଟ ସମୟ: ଜୁଲାଇ -19-2024 |
