ସ୍ଫଟିକ୍ ଟ୍ରାନଜିଷ୍ଟରର ମେଟାଲ୍-ଅକ୍ସାଇଡ୍-ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ଗଠନ ସାଧାରଣତ as ଜଣାଶୁଣା |MOSFET, ଯେଉଁଠାରେ MOSFET ଗୁଡିକ P- ପ୍ରକାର MOSFET ଏବଂ N- ପ୍ରକାର MOSFET ରେ ବିଭକ୍ତ | MOSFET ଗୁଡ଼ିକୁ ନେଇ ଗଠିତ ଇଣ୍ଟିଗ୍ରେଟେଡ୍ ସର୍କିଟ୍କୁ MOSFET ଇଣ୍ଟିଗ୍ରେଟେଡ୍ ସର୍କିଟ୍ ମଧ୍ୟ କୁହାଯାଏ, ଏବଂ PMOSFET ଗୁଡ଼ିକୁ ନେଇ ଗଠିତ MOSFET ଇଣ୍ଟିଗ୍ରେଟେଡ୍ ସର୍କିଟ୍ ଏବଂNMOSFETs | CMOSFET ଇଣ୍ଟିଗ୍ରେଟେଡ୍ ସର୍କିଟ୍ କୁହାଯାଏ |
ଏକ P- ପ୍ରକାର ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ଏବଂ ଉଚ୍ଚ ଏକାଗ୍ରତା ମୂଲ୍ୟ ସହିତ ଦୁଇଟି n- ବିସ୍ତାର କ୍ଷେତ୍ରକୁ ନେଇ ଏକ MOSFET କୁ ଏକ n- ଚ୍ୟାନେଲ୍ କୁହାଯାଏ |MOSFET, ଏବଂ ଏକ n- ପ୍ରକାରର କଣ୍ଡକ୍ଟିଭ୍ ଚ୍ୟାନେଲ୍ ଦ୍ୱାରା ସୃଷ୍ଟି ହୋଇଥିବା କଣ୍ଡକ୍ଟିଭ୍ ଚ୍ୟାନେଲ୍, ଟ୍ୟୁବ୍ ଚଳାଇବା ସମୟରେ ଉଚ୍ଚ ଏକାଗ୍ରତା ମୂଲ୍ୟ ସହିତ ଦୁଇଟି n- ବିସ୍ତାର ପଥରେ n- ବିସ୍ତାର ପଥ ଦ୍ୱାରା ହୋଇଥାଏ | n- ଚ୍ୟାନେଲ ମୋଟା ହୋଇଥିବା MOSFET ଗୁଡ଼ିକରେ ଏକ କଣ୍ଡକ୍ଟିଭ୍ ଚ୍ୟାନେଲ ଦ୍ caused ାରା ସୃଷ୍ଟି ହୋଇଥିବା n- ଚ୍ୟାନେଲ ଥାଏ ଯେତେବେଳେ ଗେଟରେ ଏକ ସକରାତ୍ମକ ଦିଗଦର୍ଶନ ବ as ଼ାଯାଇଥାଏ ଏବଂ ଯେତେବେଳେ ଗେଟ୍ ଉତ୍ସ ଅପରେସନ୍ ଥ୍ରେସହୋଲ୍ଡ ଭୋଲଟେଜରୁ ଅଧିକ ଅପରେଟିଂ ଭୋଲଟେଜ୍ ଆବଶ୍ୟକ କରେ | n- ଚ୍ୟାନେଲ ହ୍ରାସ MOSFET ଗୁଡିକ ହେଉଛି ଯେଉଁମାନେ ଗେଟ୍ ଭୋଲଟେଜ୍ ପାଇଁ ପ୍ରସ୍ତୁତ ନୁହଁନ୍ତି (ଗେଟ୍ ଉତ୍ସ ଅପରେସନ୍ ଶୂନ୍ୟର ଏକ ଅପରେଟିଂ ଭୋଲଟେଜ୍ ଆବଶ୍ୟକ କରେ) | ଏକ n- ଚ୍ୟାନେଲ୍ ଲାଇଟ୍ ହ୍ରାସ MOSFET ହେଉଛି ଏକ n- ଚ୍ୟାନେଲ୍ MOSFET ଯେଉଁଥିରେ ଗେଟ୍ ଭୋଲଟେଜ୍ (ଗେଟ୍ ଉତ୍ସ ଅପରେଟିଂ ଆବଶ୍ୟକତା ଅପରେଟିଂ ଭୋଲଟେଜ୍ ଶୂନ୍ୟ) ପ୍ରସ୍ତୁତ ନହେବା ସମୟରେ କଣ୍ଡକ୍ଟିଭ୍ ଚ୍ୟାନେଲ୍ ସୃଷ୍ଟି ହୋଇଥାଏ |
NMOSFET ଇଣ୍ଟିଗ୍ରେଟେଡ୍ ସର୍କିଟ୍ ଗୁଡିକ ହେଉଛି N- ଚ୍ୟାନେଲ୍ MOSFET ବିଦ୍ୟୁତ୍ ଯୋଗାଣ ସର୍କିଟ୍, NMOSFET ଇଣ୍ଟିଗ୍ରେଟେଡ୍ ସର୍କିଟ୍, ଇନପୁଟ୍ ପ୍ରତିରୋଧକତା ବହୁତ ଅଧିକ, ଅଧିକାଂଶଙ୍କୁ ବିଦ୍ୟୁତ୍ ପ୍ରବାହର ଅବଶୋଷଣ ହଜମ କରିବାକୁ ପଡିବ ନାହିଁ, ଏବଂ ଏହିପରି CMOSFET ଏବଂ NMOSFET ଇଣ୍ଟିଗ୍ରେଟେଡ୍ ସର୍କିଟ୍ ଗୁଡିକ ସଂଯୋଗ ନକରି ସଂଯୁକ୍ତ | ବିଦ୍ୟୁତ୍ ପ୍ରବାହର ଭାରକୁ ହିସାବ କର ଅଧିକ ପାଇଁ 9V CMOSFET ଇଣ୍ଟିଗ୍ରେଟେଡ୍ ସର୍କିଟ୍ କେବଳ NMOSFET ଇଣ୍ଟିଗ୍ରେଟେଡ୍ ସର୍କିଟ୍ ସହିତ ସମାନ ସୁଇଚ୍ ପାୱାର୍ ଯୋଗାଣ ସର୍କିଟ୍ ବିଦ୍ୟୁତ୍ ଯୋଗାଣ ସର୍କିଟ୍ ବ୍ୟବହାର କରିବା ଆବଶ୍ୟକ, ତୁରନ୍ତ NMOSFET ଇଣ୍ଟିଗ୍ରେଟେଡ୍ ସର୍କିଟ୍ ସହିତ ସଂଯୁକ୍ତ ହୋଇପାରିବ | ତଥାପି, NMOSFET ରୁ CMOSFET କୁ ତୁରନ୍ତ ସଂଯୁକ୍ତ, କାରଣ NMOSFET ଆଉଟପୁଟ୍ ପଲ୍ ଅପ୍ ପ୍ରତିରୋଧ CMOSFET ଇଣ୍ଟିଗ୍ରେଟେଡ୍ ସର୍କିଟ୍ କିଡ୍ ପଲ୍ ଅପ୍ ପ୍ରତିରୋଧଠାରୁ କମ୍, ତେଣୁ ଏକ ସମ୍ଭାବ୍ୟ ପାର୍ଥକ୍ୟ ପଲ୍ ଅପ୍ ରେଜିଷ୍ଟର R ପ୍ରୟୋଗ କରିବାକୁ ଚେଷ୍ଟା କରନ୍ତୁ, ପ୍ରତିରୋଧକ R ର ମୂଲ୍ୟ ହେଉଛି | ସାଧାରଣତ 2 2 ରୁ 100KΩ |
N- ଚ୍ୟାନେଲର ନିର୍ମାଣ MOSFET ଗୁଡ଼ିକୁ ଘନୀଭୂତ କଲା |
କମ୍ ଡୋପିଂ ଏକାଗ୍ରତା ମୂଲ୍ୟ ସହିତ ଏକ ପି-ପ୍ରକାରର ସିଲିକନ୍ ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ଉପରେ, ଉଚ୍ଚ ଡୋପିଙ୍ଗ୍ ଏକାଗ୍ରତା ମୂଲ୍ୟ ବିଶିଷ୍ଟ ଦୁଇଟି N ଅଞ୍ଚଳ ତିଆରି ହୁଏ ଏବଂ ଦୁଇଟି ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋଡ୍ ଯଥାକ୍ରମେ ଡ୍ରେନ୍ d ଏବଂ ଉତ୍ସ s ଭାବରେ କାର୍ଯ୍ୟ କରିବା ପାଇଁ ଆଲୁମିନିୟମ୍ ଧାତୁରୁ ବାହାର କରାଯାଇଥାଏ |
ତା’ପରେ ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ଉପାଦାନ ପୃଷ୍ଠରେ ସିଲିକା ଇନସୁଲେଟିଂ ଟ୍ୟୁବ୍ର ଏକ ଅତି ପତଳା ସ୍ତରକୁ ମାସ୍କିଂ କରି, ଡ୍ରେନ୍ରେ - ଉତ୍ସ ଇନସୁଲେଟିଂ ଟ୍ୟୁବ୍ ଏବଂ ଅନ୍ୟ ଏକ ଆଲୁମିନିୟମ୍ ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋଡ୍ର ଉତ୍ସ, ଗେଟ୍ g ପରି |
ସବଷ୍ଟ୍ରେଟରେ ଏକ ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋଡ୍ ବି ମଧ୍ୟ ବାହାର କରିଥାଏ, ଯାହା ଏକ N- ଚ୍ୟାନେଲ ମୋଟା MOSFET କୁ ନେଇ ଗଠିତ | MOSFET ଉତ୍ସ ଏବଂ ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ସାଧାରଣତ together ଏକତ୍ର ସଂଯୁକ୍ତ, କାରଖାନାର ଅଧିକାଂଶ ପାଇପ୍ ବହୁ ପୂର୍ବରୁ ଏହା ସହିତ ସଂଯୁକ୍ତ, ଏହାର ଗେଟ୍ ଏବଂ ଅନ୍ୟାନ୍ୟ ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋଡ୍ କେସିଙ୍ଗ୍ ମଧ୍ୟରେ ଇନସୁଲେଟ୍ ହୋଇଛି |
ପୋଷ୍ଟ ସମୟ: ମେ -26-2024 |
