MOSFET ସମୀକ୍ଷା

ପାୱାର୍ MOSFET କୁ ମଧ୍ୟ ଜଙ୍କସନ ପ୍ରକାର ଏବଂ ଇନସୁଲେଟେଡ୍ ଗେଟ୍ ପ୍ରକାରରେ ବିଭକ୍ତ କରାଯାଇଛି, କିନ୍ତୁ ସାଧାରଣତ the ଇନସୁଲେଟେଡ୍ ଗେଟ୍ ପ୍ରକାର MOSFET (ମେଟାଲ୍ ଅକ୍ସାଇଡ୍ ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର FET) କୁ ଦର୍ଶାଏ, ଯାହାକୁ ପାୱାର୍ MOSFET (ପାୱାର୍ MOSFET) କୁହାଯାଏ | ଜଙ୍କସନ ପ୍ରକାର ପାୱାର ଫିଲ୍ଡ ଇଫେକ୍ଟ ଟ୍ରାନଜିଷ୍ଟରକୁ ସାଧାରଣତ elect ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋଷ୍ଟାଟିକ୍ ଇନଡକ୍ସନ୍ ଟ୍ରାନଜିଷ୍ଟର (ଷ୍ଟାଟିକ୍ ଇନଡକ୍ସନ୍ ଟ୍ରାନଜିଷ୍ଟର - SIT) କୁହାଯାଏ | ଡ୍ରେନ୍ କରେଣ୍ଟକୁ ନିୟନ୍ତ୍ରଣ କରିବା ପାଇଁ ଏହା ଗେଟ୍ ଭୋଲଟେଜ୍ ଦ୍ୱାରା ବର୍ଣ୍ଣିତ, ଡ୍ରାଇଭ୍ ସର୍କିଟ୍ ସରଳ, ଅଳ୍ପ ଡ୍ରାଇଭ୍ ପାୱାର୍ ଆବଶ୍ୟକ କରେ, ଦ୍ରୁତ ସୁଇଚ୍ ସ୍ପିଡ୍, ହାଇ ଅପରେଟିଂ ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସି, ଥର୍ମାଲ୍ ସ୍ଥିରତା ଅପେକ୍ଷା ଭଲ |GTR, କିନ୍ତୁ ଏହାର ସାମ୍ପ୍ରତିକ କ୍ଷମତା ଛୋଟ, ଲୋ ଭୋଲଟେଜ୍, ସାଧାରଣତ only କେବଳ 10kW ରୁ ଅଧିକ ପାୱାର ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ ଉପକରଣ ପାଇଁ ଶକ୍ତି ପାଇଁ ପ୍ରଯୁଜ୍ୟ |

 

1. ଶକ୍ତି MOSFET ଗଠନ ଏବଂ ଅପରେଟିଂ ସିଦ୍ଧାନ୍ତ |

ପାୱାର୍ MOSFET ପ୍ରକାରଗୁଡିକ: କଣ୍ଡକ୍ଟିଭ୍ ଚ୍ୟାନେଲ୍ ଅନୁଯାୟୀ P- ଚ୍ୟାନେଲ୍ ଏବଂ N- ଚ୍ୟାନେଲରେ ବିଭକ୍ତ କରାଯାଇପାରେ | ଗେଟ୍ ଭୋଲଟେଜ୍ ପ୍ରଶସ୍ତିକୁ ବିଭକ୍ତ କରାଯାଇପାରେ; ହ୍ରାସ ପ୍ରକାର; ଯେତେବେଳେ ଗେଟ୍ ଭୋଲଟେଜ୍ ଶୂନ୍ୟ ହୁଏ ଯେତେବେଳେ ଏକ ଚାଳନା ଚ୍ୟାନେଲର ଅସ୍ତିତ୍ୱ ମଧ୍ୟରେ ଡ୍ରେନ୍-ଉତ୍ସ ପୋଲ, ବର୍ଦ୍ଧିତ ହୁଏ; N (P) ଚ୍ୟାନେଲ ଉପକରଣ ପାଇଁ, ଗେଟ୍ ଭୋଲଟେଜ୍ ଏକ ଚାଳନା ଚ୍ୟାନେଲର ଅସ୍ତିତ୍ before ପୂର୍ବରୁ ଶୂନରୁ ଅଧିକ, ଶକ୍ତି MOSFET ମୁଖ୍ୟତ N N- ଚ୍ୟାନେଲକୁ ବ .ାଇଥାଏ |

 

1.1 ଶକ୍ତିMOSFETଗଠନ　　

ଶକ୍ତି MOSFET ଆଭ୍ୟନ୍ତରୀଣ ଗଠନ ଏବଂ ବ electrical ଦୁତିକ ପ୍ରତୀକ; ଏହାର ଚାଳନା କେବଳ ଗୋଟିଏ ପୋଲାରାଇଟି ବାହକ (ପଲିସ୍) କଣ୍ଡକ୍ଟିଭ୍ ସହିତ ଜଡିତ, ଏକ ୟୁନିପୋଲାର୍ ଟ୍ରାନଜିଷ୍ଟର | କମ୍ ପାୱାର୍ MOSFET ସହିତ ପରିଚାଳନା ପ୍ରଣାଳୀ ସମାନ, କିନ୍ତୁ structure ାଞ୍ଚାର ଏକ ବଡ଼ ପାର୍ଥକ୍ୟ ଅଛି, ସ୍ୱଳ୍ପ ଶକ୍ତି MOSFET ହେଉଛି ଏକ ଭୂସମାନ୍ତର କଣ୍ଡକ୍ଟିଭ୍ ଡିଭାଇସ୍, ପାୱାର୍ MOSFET ଅଧିକାଂଶ ଭୂଲମ୍ବ କଣ୍ଡକ୍ଟିଭ୍ ଗଠନ, ଯାହା VMOSFET (ଭର୍ଟିକାଲ୍ MOSFET) ଭାବରେ ମଧ୍ୟ ଜଣାଶୁଣା | , ଯାହାକି MOSFET ଡିଭାଇସ୍ ଭୋଲଟେଜ୍ ଏବଂ ସାମ୍ପ୍ରତିକ ପ୍ରତିରୋଧ କ୍ଷମତାକୁ ବହୁତ ଉନ୍ନତ କରିଥାଏ |

 

ଭୂଲମ୍ବ କଣ୍ଡକ୍ଟିଭ୍ ଗଠନର ପାର୍ଥକ୍ୟ ଅନୁଯାୟୀ, କିନ୍ତୁ VVMOSFET ର ଭୂଲମ୍ବ କଣ୍ଡକ୍ଟିଭିଟି ହାସଲ କରିବା ପାଇଁ ଭି ଆକୃତିର ଖୋଳା ବ୍ୟବହାରରେ ବିଭକ୍ତ ଏବଂ VDMOSFET ର ଏକ ଭୂଲମ୍ବ କଣ୍ଡକ୍ଟିଭ୍ ଡବଲ୍-ବିସ୍ତାରିତ MOSFET ସଂରଚନା ଅଛି (ଭର୍ଟିକାଲ୍ ଡବଲ୍-ବିସ୍ତାରିତ) |MOSFET), ଏହି କାଗଜଟି ମୁଖ୍ୟତ V VDMOS ଉପକରଣଗୁଡ଼ିକର ଉଦାହରଣ ଭାବରେ ଆଲୋଚନା ହୋଇଛି |

 

ଏକାଧିକ ଇଣ୍ଟିଗ୍ରେଟେଡ୍ ଗଠନ ପାଇଁ ପାୱାର୍ MOSFET ଗୁଡିକ, ଯେପରିକି ଏକ ଷୋଡଶାଳିଆ ୟୁନିଟ୍ ବ୍ୟବହାର କରି ଆନ୍ତର୍ଜାତୀୟ ରେକ୍ଟିଫାୟର୍ (ଆନ୍ତର୍ଜାତୀୟ ରେକ୍ଟିଫାୟର୍) HEXFET | ଏକ ବର୍ଗ ୟୁନିଟ୍ ବ୍ୟବହାର କରି ସିମେନ୍ସ (ସିମେନ୍ସ) SIPMOSFET; “ପିନ୍” ଆକୃତିର ବ୍ୟବସ୍ଥା ଦ୍ୱାରା ଏକ ଆୟତକ୍ଷେତ୍ର ୟୁନିଟ୍ ବ୍ୟବହାର କରି ମୋଟରୋଲା (ମୋଟରୋଲା) TMOS |

 

1.2 ଶକ୍ତି MOSFET କାର୍ଯ୍ୟର ନୀତି |

କଟ୍ ଅଫ୍: ଡ୍ରେନ୍-ଉତ୍ସ ପୋଲ ଏବଂ ସକରାତ୍ମକ ବିଦ୍ୟୁତ୍ ଯୋଗାଣ ମଧ୍ୟରେ, ଭୋଲ୍ଟେଜ୍ ମଧ୍ୟରେ ଗେଟ୍-ଉତ୍ସ ପୋଲ ଶୂନ୍ୟ | p ଆଧାର ଅଞ୍ଚଳ ଏବଂ N ଡ୍ରାଇଫ୍ ଅଞ୍ଚଳ PN ଜଙ୍କସନ J1 ଓଲଟା ପକ୍ଷପାତ ମଧ୍ୟରେ ଗଠିତ, ଡ୍ରେନ୍-ଉତ୍ସ ପୋଲ ମଧ୍ୟରେ କ current ଣସି ସାମ୍ପ୍ରତିକ ପ୍ରବାହ ନାହିଁ |

କଣ୍ଡକ୍ଟିଭିଟି: ଗେଟ୍-ଉତ୍ସ ଟର୍ମିନାଲ୍ ମଧ୍ୟରେ ଏକ ପଜିଟିଭ୍ ଭୋଲଟେଜ୍ UGS ପ୍ରୟୋଗ ସହିତ, ଗେଟ୍ ଇନସୁଲେଟ୍ ହୋଇଛି, ତେଣୁ କ gate ଣସି ଗେଟ୍ କରେଣ୍ଟ୍ ପ୍ରବାହିତ ହୁଏ ନାହିଁ | ଅବଶ୍ୟ, ଫାଟକର ସକରାତ୍ମକ ଭୋଲଟେଜ୍ ଏହା ତଳେ ଥିବା P- ଅଞ୍ଚଳର ଛିଦ୍ରଗୁଡିକୁ ଦୂରକୁ ଠେଲି ଦେବ ଏବଂ P- ଅଞ୍ଚଳରେ ଥିବା ଅଲିଗନ୍ସ-ଇଲେକ୍ଟ୍ରନ୍ଗୁଡ଼ିକୁ ଗେଟ୍ ତଳେ ଥିବା P- ଅଞ୍ଚଳର ପୃଷ୍ଠକୁ ଆକର୍ଷିତ କରିବ ଯେତେବେଳେ UGS ଅଧିକ ଅଟେ | UT (ଟର୍ନ୍ ଅନ୍ ଭୋଲଟେଜ୍ କିମ୍ବା ଥ୍ରେସହୋଲ୍ଡ ଭୋଲଟେଜ୍), ଗେଟ୍ ତଳେ ଥିବା ପି-ଅଞ୍ଚଳର ପୃଷ୍ଠରେ ଇଲେକ୍ଟ୍ରନ୍ଗୁଡ଼ିକର ଏକାଗ୍ରତା ଛିଦ୍ରର ଏକାଗ୍ରତାଠାରୁ ଅଧିକ ହେବ, ଯାହାଫଳରେ ପି-ଟାଇପ୍ ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ଏକ N- ପ୍ରକାରରେ ପରିଣତ ହୋଇଯିବ | ଏକ ଓଲଟା ସ୍ତର, ଏବଂ ଓଲଟା ସ୍ତର ଏକ N- ଚ୍ୟାନେଲ ସୃଷ୍ଟି କରେ ଏବଂ PN ଜଙ୍କସନ J1 ଅଦୃଶ୍ୟ ହୁଏ, ଡ୍ରେନ୍ ଏବଂ ଉତ୍ସ କଣ୍ଡକ୍ଟିଭ୍ କରେ |

 

1.3 ଶକ୍ତି MOSFET ର ମ Basic ଳିକ ଗୁଣ |

1.3.1 ଷ୍ଟାଟିକ୍ ବ acter ଶିଷ୍ଟ୍ୟଗୁଡିକ |

ଡ୍ରେନ୍ କରେଣ୍ଟ୍ ଆଇଡି ଏବଂ ଗେଟ୍ ଉତ୍ସ ମଧ୍ୟରେ ଥିବା ଭୋଲଟେଜ୍ UGS ମଧ୍ୟରେ ସମ୍ପର୍କକୁ MOSFET ର ସ୍ଥାନାନ୍ତରଣ ଚରିତ୍ର କୁହାଯାଏ, ID ବଡ଼, ID ଏବଂ UGS ମଧ୍ୟରେ ସମ୍ପର୍କ ପ୍ରାୟ ର ar ଖ୍ୟ ଅଟେ, ଏବଂ ବକ୍ରର ope ୁଲା ଟ୍ରାନ୍ସକଣ୍ଡକ୍ଟାନ୍ସ Gfs ଭାବରେ ବ୍ୟାଖ୍ୟା କରାଯାଇଥାଏ | ।

 

MOSFET ର ଡ୍ରେନ୍ ଭୋଲ୍ଟ-ଆମ୍ପେର୍ ବ characteristics ଶିଷ୍ଟ୍ୟଗୁଡିକ (ଆଉଟପୁଟ୍ ବ characteristics ଶିଷ୍ଟ୍ୟଗୁଡିକ): କଟଅଫ୍ ଅଞ୍ଚଳ (GTR ର କଟଅଫ୍ ଅଞ୍ଚଳ ସହିତ ଅନୁରୂପ); ପରିପୃଷ୍ଠା ଅଞ୍ଚଳ (GTR ର ବିସ୍ତାର କ୍ଷେତ୍ର ସହିତ ଅନୁରୂପ); ଅଣ-ପରିପୃଷ୍ଠା ଅଞ୍ଚଳ (GTR ର ପରିପୃଷ୍ଠା ଅଞ୍ଚଳ ସହିତ ଅନୁରୂପ) | ପାୱାର୍ MOSFET ସୁଇଚ୍ ଅବସ୍ଥାରେ କାର୍ଯ୍ୟ କରେ, ଅର୍ଥାତ୍ ଏହା କଟଅଫ୍ ଅଞ୍ଚଳ ଏବଂ ଅଣ-ପରିପୃଷ୍ଠା ଅଞ୍ଚଳ ମଧ୍ୟରେ ପଛକୁ ଯାଇଥାଏ | ପାୱାର୍ MOSFET ର ଡ୍ରେନ୍-ଉତ୍ସ ଟର୍ମିନାଲ୍ ମଧ୍ୟରେ ଏକ ପରଜୀବୀ ଡାୟୋଡ୍ ଅଛି, ଏବଂ ଯେତେବେଳେ ଡ୍ରେନ୍-ଉତ୍ସ ଟର୍ମିନାଲ୍ ମଧ୍ୟରେ ଏକ ଓଲଟା ଭୋଲଟେଜ୍ ପ୍ରୟୋଗ କରାଯାଏ, ଡିଭାଇସ୍ ପରିଚାଳିତ କରେ | ଶକ୍ତି MOSFET ର ଅନ୍-ଷ୍ଟେଟ୍ ପ୍ରତିରୋଧରେ ଏକ ସକରାତ୍ମକ ତାପମାତ୍ରା କୋଏଫିସିଏଣ୍ଟ୍ ଅଛି, ଯାହା ଉପକରଣଗୁଡ଼ିକ ସମାନ୍ତରାଳ ଭାବରେ ସଂଯୁକ୍ତ ହେଲେ କରେଣ୍ଟକୁ ସମାନ କରିବା ପାଇଁ ଅନୁକୂଳ ଅଟେ |

 

1.3.2 ଗତିଶୀଳ ବର୍ଣ୍ଣକରଣ;

ଏହାର ଟେଷ୍ଟ ସର୍କିଟ ଏବଂ ସୁଇଚ୍ ପ୍ରକ୍ରିୟା ତରଙ୍ଗଫର୍ମ |

ଟର୍ନ୍ ଅନ୍ ପ୍ରକ୍ରିୟା; ଟର୍ନ୍ ଅନ୍ ବିଳମ୍ବ ସମୟ td (ଅନ) - ଉପର ସାମ୍ନା ମୁହୂର୍ତ୍ତ ଏବଂ uGS = UT ଏବଂ iD ଦୃଶ୍ୟମାନ ହେବାକୁ ଥିବା ସମୟ ମଧ୍ୟରେ ସମୟ ଅବଧି; ବୃଦ୍ଧି ସମୟ tr- ସମୟ ଅବଧି ଯେତେବେଳେ uGS uT ରୁ ଗେଟ୍ ଭୋଲଟେଜ୍ UGSP କୁ ଉଠେ ଯେଉଁଠାରେ MOSFET ଅଣ-ପରିପୂର୍ଣ୍ଣ ଅଞ୍ଚଳରେ ପ୍ରବେଶ କରେ | iD ର ସ୍ଥିର ସ୍ଥିତି ମୂଲ୍ୟ ଡ୍ରେନ୍ ଯୋଗାଣ ଭୋଲଟେଜ୍, UE ଏବଂ ଡ୍ରେନ୍ ଦ୍ୱାରା ନିର୍ଣ୍ଣୟ କରାଯାଏ UGSP ର ପରିମାଣ iD ର ସ୍ଥିର ସ୍ଥିତି ସହିତ ଜଡିତ | UGS UGSP ରେ ପହଞ୍ଚିବା ପରେ, ଏହା ସ୍ଥିର ସ୍ଥିତିରେ ପହଞ୍ଚିବା ପର୍ଯ୍ୟନ୍ତ ଅପ୍ କ୍ରିୟାରେ ବ rise ିବାରେ ଲାଗିଛି, କିନ୍ତୁ iD ଅପରିବର୍ତ୍ତିତ ନୁହେଁ | ଟର୍ନ୍ ଅନ୍ ଟନ୍-ଟନ୍ ଟର୍ନ୍ ଅନ୍ ବିଳମ୍ବ ସମୟ ଏବଂ ବୃଦ୍ଧି ସମୟ |

 

ଅଫ୍ ଡେରି ଟାଇମ୍ td (ଅଫ୍) - ସମୟ ଅବଧି ଯେତେବେଳେ iD ଶୂନକୁ ଖସିଯିବା ଆରମ୍ଭ କରେ ଶୂନରୁ ଖସିଯାଏ, ସିନ୍ Rs ୦, ୦୦୦ ଟଙ୍କା ମାଧ୍ୟମରେ ଡିସଚାର୍ଜ ହୁଏ, ଏବଂ uGS ଏକ ସୂକ୍ଷ୍ମ ବକ୍ର ଅନୁଯାୟୀ UGSP କୁ ଖସିଯାଏ |

 

ପଡୁଥିବା ସମୟ tf- UGSP ରୁ uGS ଖସିବା ଜାରି ରଖିବା ଏବଂ iD ହ୍ରାସ ହେବା ପର୍ଯ୍ୟନ୍ତ ଚ୍ୟାନେଲ uGS <UT ଏବଂ ID ଶୂନକୁ ଖସିଯିବା ପର୍ଯ୍ୟନ୍ତ | ଟର୍ନ୍ ଅଫ୍ ଟାଇମ୍ ଟଫ୍- ଟର୍ନ୍ ଅଫ୍ ବିଳମ୍ବ ସମୟ ଏବଂ ପତନ ସମୟର ସମଷ୍ଟି |

 

1.3.3 MOSFET ସୁଇଚ୍ ସ୍ପିଡ୍ |

MOSFET ସୁଇଚିଂ ସ୍ପିଡ୍ ଏବଂ ସିନ ଚାର୍ଜିଂ ଏବଂ ଡିସଚାର୍ଜର ଏକ ଭଲ ସମ୍ପର୍କ ଅଛି, ଉପଭୋକ୍ତା ସିନକୁ ହ୍ରାସ କରିପାରିବେ ନାହିଁ, କିନ୍ତୁ ସମୟ ସ୍ଥିରତାକୁ ହ୍ରାସ କରିବା, ସୁଇଚିଂ ବେଗକୁ ତ୍ୱରାନ୍ୱିତ କରିବା ପାଇଁ ଡ୍ରାଇଭିଂ ସର୍କିଟ ଆଭ୍ୟନ୍ତରୀଣ ପ୍ରତିରୋଧକୁ Rs, ୦୦୦ ହ୍ରାସ କରିପାରନ୍ତି, MOSFET କେବଳ ପଲିଟ୍ରୋନିକ୍ କଣ୍ଡକ୍ଟିଭିଟି ଉପରେ ନିର୍ଭର କରେ, କ ol ଣସି ଅଲିଗୋଟ୍ରୋନିକ୍ ଷ୍ଟୋରେଜ୍ ଇଫେକ୍ଟ ନାହିଁ, ଏବଂ ଏହିପରି ବନ୍ଦ ପ୍ରକ୍ରିୟା ବହୁତ ଦ୍ରୁତ ଅଟେ, 10-100ns ର ସୁଇଚ୍ ସମୟ, ଅପରେଟିଂ ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସି 100kHz କିମ୍ବା ଅଧିକ ହୋଇପାରେ, ମୁଖ୍ୟ ଶକ୍ତି ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ ଉପକରଣଗୁଡ଼ିକର ସର୍ବୋଚ୍ଚ ଅଟେ |

 

ଫିଲ୍ଡ-ନିୟନ୍ତ୍ରିତ ଉପକରଣଗୁଡ଼ିକ ବିଶ୍ରାମ ସମୟରେ ପ୍ରାୟ କ input ଣସି ଇନପୁଟ୍ କରେଣ୍ଟ ଆବଶ୍ୟକ କରନ୍ତି | ଅବଶ୍ୟ, ସୁଇଚ୍ ପ୍ରକ୍ରିୟା ସମୟରେ, ଇନପୁଟ୍ କ୍ୟାପେସିଟର ଚାର୍ଜ ଏବଂ ଡିସଚାର୍ଜ ହେବା ଆବଶ୍ୟକ, ଯାହାକି ଏକ ନିର୍ଦ୍ଦିଷ୍ଟ ପରିମାଣର ଡ୍ରାଇଭିଂ ଶକ୍ତି ଆବଶ୍ୟକ କରେ | ସୁଇଚ୍ ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସି ଯେତେ ଅଧିକ, ଡ୍ରାଇଭ୍ ଶକ୍ତି ଅଧିକ ଆବଶ୍ୟକ |

 

1.4 ଗତିଶୀଳ କାର୍ଯ୍ୟଦକ୍ଷତା ଉନ୍ନତି |

ଡିଭାଇସ୍ ଭୋଲଟେଜ୍, କରେଣ୍ଟ୍, ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସି ବିଷୟରେ ବିଚାର କରିବାକୁ ଡିଭାଇସ୍ ଆପ୍ଲିକେସନ୍ ସହିତ, କିନ୍ତୁ ଡିଭାଇସ୍ କୁ କିପରି ସୁରକ୍ଷିତ ରଖାଯିବ ତାହା ପ୍ରୟୋଗରେ ମାଷ୍ଟର ହେବା ଆବଶ୍ୟକ, କ୍ଷୟକ୍ଷତିର ପରିବର୍ତ୍ତନରେ ଡିଭାଇସ୍ ନକରିବା | ଅବଶ୍ୟ ଥାଇରିଷ୍ଟର ହେଉଛି ଦୁଇଟି ଦ୍ୱିପାକ୍ଷିକ ଟ୍ରାନଜିଷ୍ଟରର ମିଶ୍ରଣ, ବୃହତ କ୍ଷେତ୍ର ହେତୁ ଏକ ବୃହତ କ୍ଷମତା ସହିତ ଯୋଡି ହୋଇଛି, ତେଣୁ ଏହାର dv / dt କ୍ଷମତା ଅଧିକ ଦୁର୍ବଳ ଅଟେ | Di / dt ପାଇଁ ଏହାର ଏକ ବିସ୍ତାରିତ ଚାଳନା ଅଞ୍ଚଳ ସମସ୍ୟା ମଧ୍ୟ ଅଛି, ତେଣୁ ଏହା ମଧ୍ୟ ଅତ୍ୟଧିକ ସୀମିତତା ଧାରଣ କରେ |

ପାୱାର୍ MOSFET ର ମାମଲା ସମ୍ପୂର୍ଣ୍ଣ ଭିନ୍ନ | ଏହାର dv / dt ଏବଂ di / dt କ୍ଷମତା ପ୍ରାୟତ nan ନାନୋ ସେକେଣ୍ଡ ପ୍ରତି କ୍ଷମତା ଅନୁଯାୟୀ ଆକଳନ କରାଯାଏ (ମାଇକ୍ରୋ ସେକେଣ୍ଡ ଅପେକ୍ଷା) | କିନ୍ତୁ ଏହା ସତ୍ତ୍ .େ ଏହାର ଗତିଶୀଳ କାର୍ଯ୍ୟଦକ୍ଷତା ସୀମିତତା ଅଛି | ଏକ ଶକ୍ତି MOSFET ର ମ basic ଳିକ ଗଠନ ଦୃଷ୍ଟିରୁ ଏଗୁଡିକ ବୁ understood ିହେବ |

 

ଏକ ଶକ୍ତି MOSFET ର ଗଠନ ଏବଂ ଏହାର ଅନୁରୂପ ସମାନ ସର୍କିଟ | ଡିଭାଇସର ପ୍ରାୟ ପ୍ରତ୍ୟେକ ଅଂଶରେ କ୍ୟାପିଟାନ୍ସ ସହିତ, ଏହା ନିଶ୍ଚିତ ଭାବରେ ବିବେଚନା କରାଯିବା ଉଚିତ ଯେ MOSFET ସମାନ୍ତରାଳ ଭାବରେ ସଂଯୁକ୍ତ ଏକ ଡାୟୋଡ୍ ଅଛି | ଏକ ନିର୍ଦ୍ଦିଷ୍ଟ ଦୃଷ୍ଟିକୋଣରୁ, ଏକ ପରଜୀବୀ ଟ୍ରାନଜିଷ୍ଟର ମଧ୍ୟ ଅଛି | (ଯେପରି ଏକ IGBT ରେ ଏକ ପରଜୀବୀ ଥିରିଷ୍ଟର ଅଛି) | MOSFET ଗୁଡ଼ିକର ଗତିଶୀଳ ଆଚରଣ ଅଧ୍ୟୟନରେ ଏଗୁଡ଼ିକ ହେଉଛି ଗୁରୁତ୍ୱପୂର୍ଣ୍ଣ କାରଣ |

 

ସର୍ବପ୍ରଥମେ MOSFET ସଂରଚନା ସହିତ ସଂଲଗ୍ନ ହୋଇଥିବା ଅନ୍ତର୍ନିହିତ ଡାୟୋଡରେ କିଛି ଖାଲ କ୍ଷମତା ଅଛି | ଏହା ସାଧାରଣତ single ଏକକ ବାଘର କ୍ଷମତା ଏବଂ ପୁନରାବୃତ୍ତି ଆଭାଲାନ୍ସ କ୍ଷମତା ଦୃଷ୍ଟିରୁ ପ୍ରକାଶ କରାଯାଇଥାଏ | ଯେତେବେଳେ ଓଲଟା di / dt ବଡ଼ ହୁଏ, ଡାୟୋଡ୍ ଏକ ଅତି ଦ୍ରୁତ ପଲ୍ସ ସ୍ପାଇକ୍ ର ଶିକାର ହୁଏ, ଯେଉଁଥିରେ ଆଭାଲାନ୍ସ ଅଞ୍ଚଳରେ ପ୍ରବେଶ କରିବାର କ୍ଷମତା ରହିଥାଏ ଏବଂ ଏହାର ବାଘ କ୍ଷମତା ଅତିକ୍ରମ ହେବା ପରେ ଉପକରଣକୁ କ୍ଷତି ପହଞ୍ଚାଇଥାଏ | ଯେକ any ଣସି PN ଜଙ୍କସନ୍ ଡାୟୋଡ୍ ପରି, ଏହାର ଗତିଶୀଳ ବ characteristics ଶିଷ୍ଟ୍ୟଗୁଡିକ ଯାଞ୍ଚ କରିବା ଅତ୍ୟନ୍ତ ଜଟିଳ | ସେମାନେ ଏକ ପିଏନ୍ ଜଙ୍କସନର ସରଳ ଧାରଣାଠାରୁ ଆଗକୁ ଭିନ୍ନ ଏବଂ ଓଲଟା ଦିଗରେ ଅବରୋଧ କରିବା ଠାରୁ ବହୁତ ଭିନ୍ନ | ଯେତେବେଳେ କରେଣ୍ଟ୍ ଶୀଘ୍ର ହ୍ରାସ ହୁଏ, ଡାୟୋଡ୍ ଏହାର ଓଲଟା ଅବରୋଧ କ୍ଷମତା ହରାଇଥାଏ ଯାହାକି ଓଲଟା ପୁନରୁଦ୍ଧାର ସମୟ ଭାବରେ ଜଣାଶୁଣା | ଏକ ସମୟ ମଧ୍ୟ ଅଛି ଯେତେବେଳେ PN ଜଙ୍କସନ ଦ୍ରୁତ ଗତି କରିବା ପାଇଁ ଆବଶ୍ୟକ ହୁଏ ଏବଂ ବହୁତ କମ୍ ପ୍ରତିରୋଧ ଦେଖାଏ ନାହିଁ | ଥରେ ଏକ ପାୱାର୍ MOSFET ରେ ଡାୟୋଡରେ ଫରୱାର୍ଡ ଇଞ୍ଜେକ୍ସନ୍ ଆସିବା ପରେ, ଇଞ୍ଜେକ୍ସନ ଦିଆଯାଇଥିବା ସଂଖ୍ୟାଲଘୁ ବାହକମାନେ ମଧ୍ୟ ମଲ୍ଟିଟ୍ରୋନିକ୍ ଉପକରଣ ଭାବରେ MOSFET ର ଜଟିଳତାକୁ ଯୋଡିଥାନ୍ତି |

 

କ୍ଷଣସ୍ଥାୟୀ ଅବସ୍ଥା ରେଖା ଅବସ୍ଥା ସହିତ ଘନିଷ୍ଠ ଭାବରେ ଜଡିତ, ଏବଂ ଏହି ଦିଗକୁ ପ୍ରୟୋଗରେ ଯଥେଷ୍ଟ ଧ୍ୟାନ ଦେବା ଉଚିତ | ସଂପୃକ୍ତ ସମସ୍ୟାର ବୁ understanding ାମଣା ଏବଂ ବିଶ୍ଳେଷଣକୁ ସୁଗମ କରିବା ପାଇଁ ଉପକରଣ ବିଷୟରେ ଏକ ଗଭୀର ଜ୍ଞାନ ରହିବା ଜରୁରୀ |