ସମ୍ବାଦ

MOSFET ର କାର୍ଯ୍ୟ ନୀତି ମୁଖ୍ୟତ its ଏହାର ଅନନ୍ୟ ଗଠନମୂଳକ ଗୁଣ ଏବଂ ବ electric ଦ୍ୟୁତିକ କ୍ଷେତ୍ର ପ୍ରଭାବ ଉପରେ ଆଧାରିତ | ନିମ୍ନରେ MOSFET ଗୁଡିକ କିପରି କାର୍ଯ୍ୟ କରେ ତାହାର ଏକ ବିସ୍ତୃତ ବ୍ୟାଖ୍ୟା:

I. MOSFET ର ମ Basic ଳିକ ଗଠନ |

ଏକ MOSFET ମୁଖ୍ୟତ a ଏକ ଗେଟ୍ (G), ଉତ୍ସ (S), ଏକ ଡ୍ରେନ୍ (D), ଏବଂ ଏକ ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ (B, ବେଳେବେଳେ ଉତ୍ସ ସହିତ ସଂଯୁକ୍ତ ହୋଇ ଏକ ତିନି ଟର୍ମିନାଲ୍ ଉପକରଣ) ଧାରଣ କରିଥାଏ | N- ଚ୍ୟାନେଲ ବର୍ଦ୍ଧିତ MOSFET ଗୁଡ଼ିକରେ, ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ସାଧାରଣତ a ଏକ ନିମ୍ନ-ଡୋପଡ୍ P- ପ୍ରକାରର ସିଲିକନ୍ ସାମଗ୍ରୀ ଯାହା ଉପରେ ଯଥାକ୍ରମେ ଉତ୍ସ ଏବଂ ଡ୍ରେନ୍ ଭାବରେ କାର୍ଯ୍ୟ କରିବା ପାଇଁ ଦୁଇଟି ଅତ୍ୟଧିକ ଡୋପ୍ ହୋଇଥିବା N- ପ୍ରକାର ଅଞ୍ଚଳ ଗଠନ କରାଯାଇଥାଏ | ପି-ପ୍ରକାର ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ର ପୃଷ୍ଠ ଏକ ଇନସୁଲେଟିଂ ସ୍ତର ଭାବରେ ଏକ ଅତି ପତଳା ଅକ୍ସାଇଡ୍ ଫିଲ୍ମ (ସିଲିକନ୍ ଡାଇଅକ୍ସାଇଡ୍) ଦ୍ୱାରା ଆଚ୍ଛାଦିତ ହୋଇଛି ଏବଂ ଫାଟକ ଭାବରେ ଏକ ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋଡ୍ ଅଙ୍କିତ | ଏହି structure ାଞ୍ଚା ପି-ପ୍ରକାରର ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍, ଡ୍ରେନ୍ ଏବଂ ଉତ୍ସରୁ ଗେଟ୍ ଇନସୁଲେଟ୍ କରିଥାଏ, ଏବଂ ଏହାକୁ ଏକ ଇନସୁଲେଟେଡ୍ ଗେଟ୍ ଫିଲ୍ଡ ଇଫେକ୍ଟ ଟ୍ୟୁବ୍ ମଧ୍ୟ କୁହାଯାଏ |

II କାର୍ଯ୍ୟର ନୀତି |

ଡ୍ରେନ୍ କରେଣ୍ଟ୍ (ID) କୁ ନିୟନ୍ତ୍ରଣ କରିବା ପାଇଁ MOSFET ଗୁଡ଼ିକ ଗେଟ୍ ଉତ୍ସ ଭୋଲଟେଜ୍ (VGS) ବ୍ୟବହାର କରି କାର୍ଯ୍ୟ କରେ | ନିର୍ଦ୍ଦିଷ୍ଟ ଭାବରେ, ଯେତେବେଳେ ପ୍ରୟୋଗ ହୋଇଥିବା ପଜିଟିଭ୍ ଗେଟ୍ ଉତ୍ସ ଭୋଲଟେଜ୍, VGS ଶୂନଠାରୁ ଅଧିକ, ଗେଟ୍ ତଳେ ଥିବା ଅକ୍ସାଇଡ୍ ସ୍ତରରେ ଏକ ଉପର ପଜିଟିଭ୍ ଏବଂ ନିମ୍ନ ନକାରାତ୍ମକ ବ electric ଦୁତିକ କ୍ଷେତ୍ର ଦେଖାଯିବ | ଏହି ବ electric ଦ୍ୟୁତିକ କ୍ଷେତ୍ର P- ଅଞ୍ଚଳରେ ମାଗଣା ଇଲେକ୍ଟ୍ରନ୍ଗୁଡ଼ିକୁ ଆକର୍ଷିତ କରିଥାଏ, ଯାହା ଦ୍ the ାରା ସେମାନେ ଅକ୍ସାଇଡ୍ ସ୍ତର ତଳେ ଜମା ହୋଇଯାଆନ୍ତି, ଏବଂ P- ଅଞ୍ଚଳରେ ଛିଦ୍ରଗୁଡିକ ପୁନ elling ପ୍ରତ୍ୟାବର୍ତ୍ତନ କରନ୍ତି | VGS ବ increases ିବା ସହିତ ବ electric ଦ୍ୟୁତିକ କ୍ଷେତ୍ରର ଶକ୍ତି ବ increases େ ଏବଂ ଆକର୍ଷିତ ମାଗଣା ଇଲେକ୍ଟ୍ରନ୍ ଗୁଡିକର ଏକାଗ୍ରତା ବ increases େ | ଯେତେବେଳେ VGS ଏକ ନିର୍ଦ୍ଦିଷ୍ଟ ଥ୍ରେସହୋଲ୍ଡ ଭୋଲଟେଜ୍ (VT) ରେ ପହଞ୍ଚେ, ଏହି ଅଞ୍ଚଳରେ ସଂଗୃହିତ ମାଗଣା ଇଲେକ୍ଟ୍ରନ୍ଗୁଡ଼ିକର ଏକାଗ୍ରତା ଏକ ନୂତନ N- ପ୍ରକାର ଅଞ୍ଚଳ (N- ଚ୍ୟାନେଲ୍) ଗଠନ ପାଇଁ ଯଥେଷ୍ଟ ବଡ଼, ଯାହା ଡ୍ରେନ୍ ଏବଂ ଉତ୍ସକୁ ସଂଯୋଗ କରୁଥିବା ସେତୁ ପରି କାର୍ଯ୍ୟ କରେ | ଏହି ସମୟରେ, ଯଦି ଡ୍ରେନ୍ ଏବଂ ଉତ୍ସ ମଧ୍ୟରେ ଏକ ନିର୍ଦ୍ଦିଷ୍ଟ ଡ୍ରାଇଭିଂ ଭୋଲଟେଜ୍ (VDS) ବିଦ୍ୟମାନ ଥାଏ, ତେବେ ଡ୍ରେନ୍ କରେଣ୍ଟ୍ ID ପ୍ରବାହିତ ହେବାକୁ ଲାଗେ |

III ପରିଚାଳନା ଚ୍ୟାନେଲର ଗଠନ ଏବଂ ପରିବର୍ତ୍ତନ |

ପରିଚାଳନା ଚ୍ୟାନେଲର ଗଠନ ହେଉଛି MOSFET ର କାର୍ଯ୍ୟର ଚାବି | ଯେତେବେଳେ VGS VT ଠାରୁ ଅଧିକ, କଣ୍ଡକ୍ଟିଙ୍ଗ୍ ଚ୍ୟାନେଲ୍ ସ୍ଥାପିତ ହୁଏ ଏବଂ ଡ୍ରେନ୍ କରେଣ୍ଟ୍ ID ଉଭୟ VGS ଏବଂ VDS.VGS ଦ୍ୱାରା ପରିଚାଳିତ ଚ୍ୟାନେଲର ମୋଟେଇ ଏବଂ ଆକୃତି ନିୟନ୍ତ୍ରଣ କରି ID କୁ ପ୍ରଭାବିତ କରିଥାଏ, ଯେତେବେଳେ VDS ସିଧାସଳଖ ଡ୍ରାଇଭିଂ ଭୋଲଟେଜ୍ ଭାବରେ ID କୁ ପ୍ରଭାବିତ କରିଥାଏ | ଧ୍ୟାନ ଦେବା ଜରୁରୀ ଯେ ଯଦି ପରିଚାଳନା ଚ୍ୟାନେଲ ସ୍ଥାପିତ ହୋଇନଥାଏ (ଅର୍ଥାତ୍ VGS VT ଠାରୁ କମ୍), ତେବେ VDS ଉପସ୍ଥିତ ଥିଲେ ମଧ୍ୟ ଡ୍ରେନ୍ କରେଣ୍ଟ୍ ID ଦୃଶ୍ୟମାନ ହୁଏ ନାହିଁ |

IV। MOSFET ର ଗୁଣ |

ଉଚ୍ଚ ଇନପୁଟ୍ ପ୍ରତିରୋଧ:MOSFET ର ଇନପୁଟ୍ ପ୍ରତିରୋଧ ବହୁତ ଉଚ୍ଚ, ଅସୀମତାର ନିକଟତର, କାରଣ ଗେଟ୍ ଏବଂ ଉତ୍ସ-ଡ୍ରେନ୍ ଅଞ୍ଚଳ ମଧ୍ୟରେ ଏକ ଇନସୁଲେଟିଂ ସ୍ତର ଅଛି ଏବଂ କେବଳ ଏକ ଦୁର୍ବଳ ଗେଟ୍ କରେଣ୍ଟ୍ |

କମ୍ ଆଉଟପୁଟ୍ ପ୍ରତିରୋଧ:MOSFET ଗୁଡିକ ହେଉଛି ଭୋଲଟେଜ୍ ନିୟନ୍ତ୍ରିତ ଉପକରଣ ଯେଉଁଥିରେ ଉତ୍ସ-ଡ୍ରେନ୍ କରେଣ୍ଟ ଇନପୁଟ୍ ଭୋଲଟେଜ୍ ସହିତ ପରିବର୍ତ୍ତନ ହୋଇପାରେ, ତେଣୁ ସେମାନଙ୍କର ଆଉଟପୁଟ୍ ପ୍ରତିରୋଧ ଛୋଟ |

କ୍ରମାଗତ ପ୍ରବାହ:ସାଚୁଚରେସନ୍ ଅଞ୍ଚଳରେ କାର୍ଯ୍ୟ କରିବାବେଳେ, MOSFET ର କରେଣ୍ଟ୍ ଉତ୍ସ-ଡ୍ରେନ୍ ଭୋଲଟେଜ୍ ପରିବର୍ତ୍ତନ ଦ୍ୱାରା ପ୍ରାୟତ un ପ୍ରଭାବିତ ହୋଇନଥାଏ, ଉତ୍କୃଷ୍ଟ ସ୍ଥିର କରେଣ୍ଟ୍ ପ୍ରଦାନ କରିଥାଏ |

ଭଲ ତାପମାତ୍ରା ସ୍ଥିରତା:MOSFET ଗୁଡ଼ିକର ବ୍ୟାପକ ଅପରେଟିଂ ତାପମାତ୍ରା ପରିସର -55 ° C ରୁ ପ୍ରାୟ + 150 ° C ପର୍ଯ୍ୟନ୍ତ |

V. ପ୍ରୟୋଗ ଏବଂ ବର୍ଗୀକରଣ |

ଡିଜିଟାଲ୍ ସର୍କିଟ୍, ଆନାଗଲ୍ ସର୍କିଟ୍, ପାୱାର୍ ସର୍କିଟ୍ ଏବଂ ଅନ୍ୟାନ୍ୟ କ୍ଷେତ୍ରରେ MOSFET ଗୁଡିକ ବହୁଳ ଭାବରେ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ | ଅପରେସନ୍ ପ୍ରକାର ଅନୁଯାୟୀ, MOSFET ଗୁଡ଼ିକୁ ଉନ୍ନତି ଏବଂ ହ୍ରାସ ପ୍ରକାରରେ ଶ୍ରେଣୀଭୁକ୍ତ କରାଯାଇପାରେ; ପରିଚାଳନା ଚ୍ୟାନେଲର ପ୍ରକାର ଅନୁଯାୟୀ, ସେମାନଙ୍କୁ N- ଚ୍ୟାନେଲ ଏବଂ ପି-ଚ୍ୟାନେଲରେ ଶ୍ରେଣୀଭୁକ୍ତ କରାଯାଇପାରିବ | ଏହି ଭିନ୍ନ ପ୍ରକାରର MOSFET ଗୁଡ଼ିକର ବିଭିନ୍ନ ପ୍ରୟୋଗ ପରିସ୍ଥିତିରେ ସେମାନଙ୍କର ନିଜର ସୁବିଧା ଅଛି |

ସଂକ୍ଷେପରେ, MOSFET ର କାର୍ଯ୍ୟ ନୀତି ହେଉଛି ଗେଟ୍ ଉତ୍ସ ଭୋଲଟେଜ୍ ମାଧ୍ୟମରେ ପରିଚାଳନା ଚ୍ୟାନେଲର ଗଠନ ଏବଂ ପରିବର୍ତ୍ତନକୁ ନିୟନ୍ତ୍ରଣ କରିବା, ଯାହା ପରବର୍ତ୍ତୀ ସମୟରେ ଡ୍ରେନ୍ କରେଣ୍ଟ୍ର ପ୍ରବାହକୁ ନିୟନ୍ତ୍ରଣ କରିଥାଏ | ଏହାର ଉଚ୍ଚ ଇନପୁଟ୍ ପ୍ରତିରୋଧ, କମ୍ ଆଉଟପୁଟ୍ ପ୍ରତିରୋଧ, କ୍ରମାଗତ କରେଣ୍ଟ ଏବଂ ତାପମାତ୍ରା ସ୍ଥିରତା MOSFET ଗୁଡ଼ିକୁ ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ ସର୍କିଟ୍ରେ ଏକ ଗୁରୁତ୍ୱପୂର୍ଣ୍ଣ ଉପାଦାନ କରିଥାଏ |