N- ଚ୍ୟାନେଲ୍ MOSFET, N- ଚ୍ୟାନେଲ୍ ମେଟାଲ୍-ଅକ୍ସାଇଡ୍-ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ଫିଲ୍ଡ-ଇଫେକ୍ଟ ଟ୍ରାନଜିଷ୍ଟର, MOSFET ର ଏକ ଗୁରୁତ୍ୱପୂର୍ଣ୍ଣ ପ୍ରକାର | ନିମ୍ନରେ N- ଚ୍ୟାନେଲ MOSFET ଗୁଡ଼ିକର ଏକ ବିସ୍ତୃତ ବ୍ୟାଖ୍ୟା ଅଛି:
I. ମ Basic ଳିକ ଗଠନ ଏବଂ ରଚନା |
ଏକ N- ଚ୍ୟାନେଲ MOSFET ନିମ୍ନଲିଖିତ ମୁଖ୍ୟ ଉପାଦାନଗୁଡ଼ିକୁ ନେଇ ଗଠିତ:
ଫାଟକ:ଉତ୍ସ ଏବଂ ଡ୍ରେନ୍ ମଧ୍ୟରେ କଣ୍ଡକ୍ଟିଭ୍ ଚ୍ୟାନେଲକୁ ନିୟନ୍ତ୍ରଣ କରିବା ପାଇଁ ଗେଟ୍ ଭୋଲଟେଜ୍ ପରିବର୍ତ୍ତନ କରି କଣ୍ଟ୍ରୋଲ୍ ଟର୍ମିନାଲ୍ |· ·
ଉତ୍ସ:ସାମ୍ପ୍ରତିକ ଆଉଟଫ୍ଲୋ, ସାଧାରଣତ the ସର୍କିଟ୍ର ନକାରାତ୍ମକ ଦିଗ ସହିତ ସଂଯୁକ୍ତ |· ·
ଡ୍ରେନ୍: ସାମ୍ପ୍ରତିକ ପ୍ରବାହ, ସାଧାରଣତ the ସର୍କିଟ୍ ର ଭାର ସହିତ ସଂଯୁକ୍ତ |
ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍:ସାଧାରଣତ a ଏକ P- ପ୍ରକାର ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ସାମଗ୍ରୀ, MOSFET ପାଇଁ ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ଭାବରେ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ |
ଇନସୁଲେଟର:ଗେଟ୍ ଏବଂ ଚ୍ୟାନେଲ୍ ମଧ୍ୟରେ ଅବସ୍ଥିତ, ଏହା ସାଧାରଣତ sil ସିଲିକନ୍ ଡାଇଅକ୍ସାଇଡ୍ (SiO2) ରେ ତିଆରି ହୋଇଥାଏ ଏବଂ ଏକ ଇନସୁଲେଟର ଭାବରେ କାର୍ଯ୍ୟ କରିଥାଏ |
II କାର୍ଯ୍ୟର ନୀତି |
N- ଚ୍ୟାନେଲ MOSFET ର ଅପରେଟିଂ ସିଦ୍ଧାନ୍ତ ଇଲେକ୍ଟ୍ରିକ୍ ଫିଲ୍ଡ ପ୍ରଭାବ ଉପରେ ଆଧାରିତ, ଯାହାକି ନିମ୍ନଲିଖିତ ଭାବରେ ଅଗ୍ରଗତି କରେ:
କଟ୍ ଅଫ୍ ସ୍ଥିତି:ଯେତେବେଳେ ଗେଟ୍ ଭୋଲଟେଜ୍ (Vgs) ଥ୍ରେସହୋଲ୍ଡ ଭୋଲଟେଜ୍ (Vt) ଠାରୁ କମ୍ ଥାଏ, ଗେଟ୍ ତଳେ ଥିବା ପି-ଟାଇପ୍ ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ରେ କ N ଣସି N- ପ୍ରକାର ଚାଳନା ଚ୍ୟାନେଲ୍ ସୃଷ୍ଟି ହୁଏ ନାହିଁ, ଏବଂ ଉତ୍ସ ଏବଂ ଡ୍ରେନ୍ ମଧ୍ୟରେ କଟ୍ ଅଫ୍ ସ୍ଥିତି ରହିଥାଏ | ଏବଂ କରେଣ୍ଟ ପ୍ରବାହିତ ହୋଇପାରିବ ନାହିଁ |
ଚାଳନା ସ୍ଥିତି:ଯେତେବେଳେ ଗେଟ୍ ଭୋଲଟେଜ୍ (Vgs) ଥ୍ରେସହୋଲ୍ଡ ଭୋଲଟେଜ୍ (Vt) ଠାରୁ ଅଧିକ ଥାଏ, ଗେଟ୍ ତଳେ ଥିବା ପି-ଟାଇପ୍ ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ରେ ଥିବା ଛିଦ୍ରଗୁଡିକ ପ୍ରତ୍ୟାବର୍ତ୍ତନ ହୋଇ ଏକ ହ୍ରାସ ସ୍ତର ସୃଷ୍ଟି କରେ | ଗେଟ୍ ଭୋଲଟେଜ୍ ର ଅଧିକ ବୃଦ୍ଧି ସହିତ, ଇଲେକ୍ଟ୍ରନ୍ ଗୁଡିକ P- ପ୍ରକାର ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ପୃଷ୍ଠକୁ ଆକର୍ଷିତ ହୋଇ ଏକ N- ପ୍ରକାର ପରିଚାଳନା ଚ୍ୟାନେଲ୍ ଗଠନ କରନ୍ତି | ଏହି ସମୟରେ, ଉତ୍ସ ଏବଂ ଡ୍ରେନ୍ ମଧ୍ୟରେ ଏକ ପଥ ସୃଷ୍ଟି ହୁଏ ଏବଂ କରେଣ୍ଟ ପ୍ରବାହିତ ହୋଇପାରେ |
III ପ୍ରକାର ଏବଂ ବ characteristics ଶିଷ୍ଟ୍ୟଗୁଡିକ
N- ଚ୍ୟାନେଲ MOSFET ଗୁଡ଼ିକୁ ସେମାନଙ୍କର ବ characteristics ଶିଷ୍ଟ୍ୟ ଅନୁଯାୟୀ ବିଭିନ୍ନ ପ୍ରକାରରେ ବିଭକ୍ତ କରାଯାଇପାରେ, ଯେପରିକି ଉନ୍ନତି-ମୋଡ୍ ଏବଂ ହ୍ରାସ-ମୋଡ୍ | ସେଥିମଧ୍ୟରୁ, ଗେଟ୍ ଭୋଲଟେଜ୍ ଶୂନ୍ୟ ଥିବାବେଳେ ବର୍ଦ୍ଧିତ-ମୋଡ୍ MOSFET ଗୁଡିକ କଟ୍ ଅଫ୍ ଅବସ୍ଥାରେ ଅଛି, ଏବଂ ପରିଚାଳନା କରିବା ପାଇଁ ଏକ ସକରାତ୍ମକ ଗେଟ୍ ଭୋଲଟେଜ୍ ପ୍ରୟୋଗ କରିବା ଆବଶ୍ୟକ | ଯେତେବେଳେ ଗେଟ୍ ଭୋଲଟେଜ୍ ଶୂନ ଥାଏ, ଡିପ୍ଲେସନ୍-ମୋଡ୍ MOSFET ଗୁଡିକ କଣ୍ଡକ୍ଟିଭ୍ ସ୍ଥିତିରେ ଅଛି |
N- ଚ୍ୟାନେଲ MOSFET ଗୁଡ଼ିକର ଅନେକ ଉତ୍କୃଷ୍ଟ ଗୁଣ ଅଛି ଯେପରିକି:
ଉଚ୍ଚ ଇନପୁଟ୍ ପ୍ରତିରୋଧ:MOSFET ର ଗେଟ୍ ଏବଂ ଚ୍ୟାନେଲ୍ ଏକ ଇନସୁଲେଟିଂ ସ୍ତର ଦ୍ୱାରା ପୃଥକ ହୋଇଛି, ଫଳସ୍ୱରୂପ ଅତ୍ୟଧିକ ଉଚ୍ଚ ଇନପୁଟ୍ ପ୍ରତିରୋଧ |
କମ୍ ଶବ୍ଦ:ଯେହେତୁ MOSFET ର ଅପରେସନ୍ ସଂଖ୍ୟାଲଘୁ ବାହକମାନଙ୍କର ଇଞ୍ଜେକ୍ସନ୍ ଏବଂ ଯ ound ଗିକ ସହିତ ଜଡିତ ନୁହେଁ, ଶବ୍ଦ କମ୍ ଅଟେ |
କମ୍ ଶକ୍ତି ବ୍ୟବହାର: ଉଭୟ ଅନ୍ ଏବଂ ଅଫ୍ ରାଜ୍ୟରେ MOSFET ର କମ୍ ଶକ୍ତି ବ୍ୟବହାର ଅଛି |
ହାଇ ସ୍ପିଡ୍ ସୁଇଚ୍ ବ characteristics ଶିଷ୍ଟ୍ୟଗୁଡିକ:MOSFET ଗୁଡ଼ିକର ଅତ୍ୟଧିକ ଦ୍ରୁତ ସୁଇଚ୍ ସ୍ପିଡ୍ ଅଛି ଏବଂ ଉଚ୍ଚ ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସି ସର୍କିଟ୍ ଏବଂ ହାଇ ସ୍ପିଡ୍ ଡିଜିଟାଲ୍ ସର୍କିଟ୍ ପାଇଁ ଉପଯୁକ୍ତ |
IV। ପ୍ରୟୋଗ କ୍ଷେତ୍ରଗୁଡିକ |
N- ଚ୍ୟାନେଲ MOSFET ଗୁଡିକ ସେମାନଙ୍କର ଉତ୍କୃଷ୍ଟ କାର୍ଯ୍ୟଦକ୍ଷତା ହେତୁ ବିଭିନ୍ନ ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ ଉପକରଣରେ ବହୁଳ ଭାବରେ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ, ଯେପରିକି:
ଡିଜିଟାଲ୍ ସର୍କିଟ୍:ଲଜିକ୍ ଗେଟ୍ ସର୍କିଟ୍ ର ଏକ ମ element ଳିକ ଉପାଦାନ ଭାବରେ, ଏହା ଡିଜିଟାଲ୍ ସିଗ୍ନାଲ୍ ର ପ୍ରକ୍ରିୟାକରଣ ଏବଂ ନିୟନ୍ତ୍ରଣକୁ କାର୍ଯ୍ୟକାରୀ କରେ |
ଆନାଗଲ୍ ସର୍କିଟ୍:ଆନାଗୁଲ୍ ସର୍କିଟ୍ ଗୁଡିକରେ ଏକ ପ୍ରମୁଖ ଉପାଦାନ ଭାବରେ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ ଯେପରିକି ଆମ୍ପ୍ଲାଇଫର୍ ଏବଂ ଫିଲ୍ଟର୍ |
ପାୱାର ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ସ:ପାୱାର ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ ଉପକରଣଗୁଡ଼ିକର ନିୟନ୍ତ୍ରଣ ପାଇଁ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ ଯେପରିକି ବିଦ୍ୟୁତ୍ ଯୋଗାଣ ଏବଂ ମୋଟର ଡ୍ରାଇଭ୍ |
ଅନ୍ୟାନ୍ୟ କ୍ଷେତ୍ର:ଯେପରିକି ଏଲଇଡି ଆଲୋକ, ଅଟୋମୋବାଇଲ୍ ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ସ, ବେତାର ଯୋଗାଯୋଗ ଏବଂ ଅନ୍ୟାନ୍ୟ କ୍ଷେତ୍ର ମଧ୍ୟ ବହୁଳ ଭାବରେ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ |
ସଂକ୍ଷେପରେ, N- ଚ୍ୟାନେଲ MOSFET, ଏକ ଗୁରୁତ୍ୱପୂର୍ଣ୍ଣ ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ଉପକରଣ ଭାବରେ, ଆଧୁନିକ ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ ଟେକ୍ନୋଲୋଜିରେ ଏକ ଅପୂରଣୀୟ ଭୂମିକା ଗ୍ରହଣ କରେ |
ପୋଷ୍ଟ ସମୟ: ସେପ୍ଟେମ୍ବର -13-2024 |