I. MOSFET ର ସଂଜ୍ଞା
ଏକ ଭୋଲଟେଜ୍ ଚାଳିତ, ଉଚ୍ଚ-ସାମ୍ପ୍ରତିକ ଉପକରଣ ଭାବରେ, MOSFETs | ସର୍କିଟରେ ବହୁ ସଂଖ୍ୟକ ପ୍ରୟୋଗ ଅଛି, ବିଶେଷକରି ପାୱାର୍ ସିଷ୍ଟମ୍ | MOSFET ବଡି ଡାୟୋଡ୍, ଯାହା ପରଜୀବୀ ଡାୟୋଡ୍ ଭାବରେ ମଧ୍ୟ ଜଣାଶୁଣା, ଇଣ୍ଟିଗ୍ରେଟେଡ୍ ସର୍କିଟ୍ ର ଲିଥୋଗ୍ରାଫିରେ ମିଳୁନାହିଁ, କିନ୍ତୁ ପୃଥକ MOSFET ଉପକରଣରେ ମିଳିଥାଏ, ଯାହା ଉଚ୍ଚ ସ୍ରୋତ ଦ୍ୱାରା ଚାଳିତ ହେଲେ ଏବଂ ଯେତେବେଳେ ଇନଡକ୍ଟିଭ୍ ଲୋଡ୍ ଥାଏ, ସେତେବେଳେ ଓଲଟା ସୁରକ୍ଷା ଏବଂ ସାମ୍ପ୍ରତିକ ଅବ୍ୟାହତି ପ୍ରଦାନ କରିଥାଏ |
ଏହି ଡାୟୋଡର ଉପସ୍ଥିତି ହେତୁ, MOSFET ଡିଭାଇସ୍ କେବଳ ଏକ ସର୍କିଟରେ ସୁଇଚ୍ କରୁଥିବା ଦେଖାଯାଏ ନାହିଁ, ଯେପରି ଚାର୍ଜିଂ ସର୍କିଟ ପରି, ଯେଉଁଠାରେ ଚାର୍ଜିଂ ସମାପ୍ତ ହୁଏ, ଶକ୍ତି ଅପସାରିତ ହୁଏ ଏବଂ ବ୍ୟାଟେରୀ ବାହାରକୁ ଓଲଟପାଲଟ ହୁଏ, ଯାହା ସାଧାରଣତ an ଏକ ଅବାଞ୍ଛିତ ଫଳାଫଳ |
ସାଧାରଣ ସମାଧାନ ହେଉଛି ଓଲଟା ବିଦ୍ୟୁତ୍ ଯୋଗାଣକୁ ରୋକିବା ପାଇଁ ପଛରେ ଏକ ଡାୟୋଡ୍ ଯୋଡିବା, କିନ୍ତୁ ଡାୟୋଡ୍ର ବ characteristics ଶିଷ୍ଟ୍ୟଗୁଡିକ 0.6 ~ 1V ର ଫରୱାର୍ଡ ଭୋଲଟେଜ୍ ଡ୍ରପ୍ ର ଆବଶ୍ୟକତା ନିର୍ଣ୍ଣୟ କରେ, ଯାହାକି ବର୍ଜ୍ୟବସ୍ତୁ ସୃଷ୍ଟି କରିବା ସମୟରେ ଉଚ୍ଚ ସ୍ରୋତରେ ଏକ ଗମ୍ଭୀର ଉତ୍ତାପ ସୃଷ୍ଟି କରେ | ଶକ୍ତି ଏବଂ ସାମଗ୍ରିକ ଶକ୍ତି ଦକ୍ଷତା ହ୍ରାସ କରିବା | ଅନ୍ୟ ଏକ ପଦ୍ଧତି ହେଉଛି ଶକ୍ତି ଦକ୍ଷତା ହାସଲ କରିବା ପାଇଁ MOSFET ର ନିମ୍ନ ଅନ୍-ପ୍ରତିରୋଧକୁ ବ୍ୟବହାର କରି ଏକ ବ୍ୟାକ୍-ଟୁ-ବ୍ୟାକ୍ MOSFET ଯୋଡିବା |
ଏହା ମନେ ରଖିବା ଉଚିତ ଯେ ଚାଳନା ପରେ, MOSFET ର ଅଣ-ଦିଗଦର୍ଶକ, ତେଣୁ ଚାପଗ୍ରସ୍ତ ଚାଳନା ପରେ, ଏହା ଏକ ତାର ସହିତ ସମାନ, କେବଳ ପ୍ରତିରୋଧକ, କ -ଣସି ଅନ୍-ଷ୍ଟେଟ୍ ଭୋଲଟେଜ୍ ଡ୍ରପ୍, ସାଧାରଣତ a କିଛି ମିଲିଅମ୍ ପାଇଁ ପ୍ରତିରୋଧରେ ପରିପୂର୍ଣ୍ଣ |ସମୟାନୁବର୍ତ୍ତୀ ମିଲିହୋମସ୍ |, ଏବଂ ଅଣ-ଦିଗନ୍ତ, DC ଏବଂ AC ଶକ୍ତି ପାସ୍ କରିବାକୁ ଅନୁମତି ଦିଏ |
II MOSFET ର ଗୁଣ |
1, MOSFET ହେଉଛି ଏକ ଭୋଲଟେଜ୍ ନିୟନ୍ତ୍ରିତ ଉପକରଣ, ଉଚ୍ଚ ସ୍ରୋତ ଚଳାଇବା ପାଇଁ କ prop ଣସି ପ୍ରବୃତ୍ତି ପର୍ଯ୍ୟାୟ ଆବଶ୍ୟକ ନାହିଁ |
2, ଉଚ୍ଚ ଇନପୁଟ୍ ପ୍ରତିରୋଧ;
3, ପ୍ରଶସ୍ତ ଅପରେଟିଂ ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସି ପରିସର, ଉଚ୍ଚ ସୁଇଚ୍ ସ୍ପିଡ୍, କମ୍ କ୍ଷତି |
4, ଏସି ଆରାମଦାୟକ ଉଚ୍ଚ ପ୍ରତିରୋଧ, କମ୍ ଶବ୍ଦ |
5 、ଏକାଧିକ ସମାନ୍ତରାଳ ବ୍ୟବହାର, ଆଉଟପୁଟ୍ କରେଣ୍ଟ୍ ବୃଦ୍ଧି କରନ୍ତୁ |
ଦ୍ୱିତୀୟତ prec, ସତର୍କତା ପ୍ରକ୍ରିୟାରେ MOSFET ର ବ୍ୟବହାର |
1, ଲାଇନ୍ ଡିଜାଇନ୍ରେ MOSFET ର ନିରାପଦ ବ୍ୟବହାର ନିଶ୍ଚିତ କରିବାକୁ, ପାଇପଲାଇନ ବିଦ୍ୟୁତ୍ ବିସ୍ତାର, ସର୍ବାଧିକ ଲିକେଜ୍ ଉତ୍ସ ଭୋଲଟେଜ୍, ଗେଟ୍ ଉତ୍ସ ଭୋଲଟେଜ୍ ଏବଂ କରେଣ୍ଟ ଏବଂ ଅନ୍ୟାନ୍ୟ ପାରାମିଟର ସୀମା ମୂଲ୍ୟ ଅତିକ୍ରମ କରିବା ଉଚିତ୍ ନୁହେଁ |
2, ବ୍ୟବହାରରେ ବିଭିନ୍ନ ପ୍ରକାରର MOSFET ଗୁଡିକ, ନିଶ୍ଚିତ ଭାବରେ |କଠୋର ଭାବରେ MOSFET ଅଫସେଟର ପୋଲାରାଇଟି ପାଳନ କରିବାକୁ ସର୍କିଟକୁ ଆବଶ୍ୟକୀୟ ପକ୍ଷପାତ ଆକ୍ସେସ୍ ଅନୁଯାୟୀ |
3. MOSFET ସଂସ୍ଥାପନ କରିବା ସମୟରେ, ଉତ୍ତାପ ଉପାଦାନର ନିକଟତର ନହେବା ପାଇଁ ସ୍ଥାପନ ସ୍ଥିତିକୁ ଧ୍ୟାନ ଦିଅନ୍ତୁ | ଫିଟିଙ୍ଗଗୁଡିକର କମ୍ପନକୁ ରୋକିବା ପାଇଁ, ଶେଲ୍ ଟାଣିବା ଆବଶ୍ୟକ; ପିନ୍ ଲିଡ୍ଗୁଡ଼ିକୁ ବଙ୍କା କରିବା ମୂଳର ଆକାର ଠାରୁ 5 ମିମିରୁ ଅଧିକ ହେବା ଉଚିତ୍ ଯାହା ଦ୍ the ାରା ପିନ୍ ନଇଁଯିବା ଏବଂ ଲିକେଜ୍ ନହେବା ପାଇଁ |
4, ଅତ୍ୟଧିକ ଉଚ୍ଚ ଇନପୁଟ୍ ପ୍ରତିରୋଧ କାରଣରୁ, ପରିବହନ ଏବଂ ସଂରକ୍ଷଣ ସମୟରେ MOSFET ଗୁଡ଼ିକୁ ପିନ୍ ଭିତରୁ ଛୋଟ କରାଯିବା ଆବଶ୍ୟକ, ଏବଂ ଗେଟ୍ ର ବାହ୍ୟ ସମ୍ଭାବ୍ୟ ସମ୍ଭାବ୍ୟ ଭାଙ୍ଗକୁ ରୋକିବା ପାଇଁ ଧାତୁ ield ାଲ ସହିତ ପ୍ୟାକେଜ୍ କରାଯିବା ଆବଶ୍ୟକ |
5. ଜଙ୍କସନ୍ MOSFET ଗୁଡ଼ିକର ଗେଟ୍ ଭୋଲଟେଜ୍ ଓଲଟା ହୋଇପାରିବ ନାହିଁ ଏବଂ ଏକ ଓପନ୍ ସର୍କିଟ୍ ସ୍ଥିତିରେ ଗଚ୍ଛିତ ହୋଇପାରିବ, କିନ୍ତୁ ଇନସୁଲେଟେଡ୍-ଗେଟ୍ MOSFET ଗୁଡ଼ିକର ଇନପୁଟ୍ ପ୍ରତିରୋଧକତା ବହୁତ ଅଧିକ ଅଟେ, ତେଣୁ ପ୍ରତ୍ୟେକ ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋଡ୍ ସର୍ଟ ସର୍କିଟ୍ ହେବା ଆବଶ୍ୟକ | ଇନସୁଲେଟେଡ୍-ଗେଟ୍ MOSFET ଗୁଡ଼ିକୁ ସୋଲଡିଂ କରିବା ସମୟରେ, ଉତ୍ସ-ଡ୍ରେନ୍-ଗେଟ୍ କ୍ରମକୁ ଅନୁସରଣ କରନ୍ତୁ, ଏବଂ ବିଦ୍ୟୁତ୍ ବନ୍ଦ ସହିତ ସୋଲଡର୍ |
MOSFET ଗୁଡ଼ିକର ନିରାପଦ ବ୍ୟବହାର ନିଶ୍ଚିତ କରିବାକୁ, ଆପଣଙ୍କୁ MOSFET ର ବ characteristics ଶିଷ୍ଟ୍ୟ ଏବଂ ପ୍ରକ୍ରିୟା ବ୍ୟବହାରରେ ନିଆଯିବାକୁ ଥିବା ସତର୍କତାକୁ ସମ୍ପୂର୍ଣ୍ଣ ଭାବରେ ବୁ understand ିବାକୁ ପଡିବ, ମୁଁ ଆଶା କରୁଛି ଯେ ଉପରୋକ୍ତ ସାରାଂଶ ଆପଣଙ୍କୁ ସାହାଯ୍ୟ କରିବ |
ପୋଷ୍ଟ ସମୟ: ମେ -15-2024 |
