ନିର୍ଦ୍ଦିଷ୍ଟ ଯୋଜନା: ଏକ ଉଚ୍ଚ ଶକ୍ତି ବିଶିଷ୍ଟ MOSFET ଉତ୍ତାପ ବିସ୍ତାର ଉପକରଣ, ଏକ ଖାଲ ସଂରଚନା କେସିଂ ଏବଂ ସର୍କିଟ ବୋର୍ଡ ଅନ୍ତର୍ଭୁକ୍ତ କରେ | ସର୍କିଟ ବୋର୍ଡ କେସିଙ୍ଗରେ ବ୍ୟବହୃତ ହୋଇଛି | ଅନେକ ପାର୍ଶ୍ୱ MOSFET ଗୁଡିକ ପିନ ମାଧ୍ୟମରେ ସର୍କିଟ ବୋର୍ଡର ଉଭୟ ମୁଣ୍ଡ ସହିତ ସଂଯୁକ୍ତ | ଏହା ସଙ୍କୋଚନ ପାଇଁ ଏକ ଉପକରଣ ମଧ୍ୟ ଅନ୍ତର୍ଭୁକ୍ତ କରେ |MOSFETs |। MOSFET କେସିଙ୍ଗର ଭିତର କାନ୍ଥରେ ଥିବା ଉତ୍ତାପ ବିସ୍ତାର ଚାପ ବ୍ଲକ ନିକଟରେ ରହିବା ପାଇଁ ପ୍ରସ୍ତୁତ | ଉତ୍ତାପ ବିସ୍ତାର ଚାପ ବ୍ଲକରେ ପ୍ରଥମ ପ୍ରବାହିତ ଜଳ ଚ୍ୟାନେଲ ଅଛି | ପ୍ରଥମ ସଞ୍ଚାରିତ ଜଳ ଚ୍ୟାନେଲଟି ଭୂଲମ୍ବ ଭାବରେ ପାର୍ଶ୍ୱରେ ଥିବା MOSFET ଗୁଡ଼ିକର ବହୁଳତା ସହିତ ସଜ୍ଜିତ | ଗୃହର ପାର୍ଶ୍ୱ କାନ୍ଥକୁ ପ୍ରଥମ ସଞ୍ଚାରିତ ଜଳ ଚ୍ୟାନେଲ ସହିତ ସମାନ୍ତରାଳ ଭାବରେ ଦ୍ୱିତୀୟ ସଞ୍ଚାରିତ ଜଳ ଚ୍ୟାନେଲ ଯୋଗାଇ ଦିଆଯାଉଛି ଏବଂ ଦ୍ୱିତୀୟ ସଞ୍ଚାରିତ ଜଳ ଚ୍ୟାନେଲ ସଂପୃକ୍ତ MOSFET ନିକଟରେ ଅଛି | ଉତ୍ତାପ ବିସ୍ତାର ଚାପ ବ୍ଲକକୁ ଅନେକ ଥ୍ରେଡେଡ୍ ଛିଦ୍ର ଯୋଗାଇ ଦିଆଯାଏ | ଉତ୍ତାପ ବିସ୍ତାର ଚାପ ବ୍ଲକ୍ ସ୍କ୍ରୁ ମାଧ୍ୟମରେ କେସିଙ୍ଗର ଭିତର କାନ୍ଥ ସହିତ ସ୍ଥିର ଭାବରେ ସଂଯୁକ୍ତ | ସ୍କ୍ରୁଗୁଡିକ କେସିଙ୍ଗର ପାର୍ଶ୍ୱ କାନ୍ଥରେ ଥିବା ଥ୍ରେଡେଡ୍ ଛିଦ୍ରରୁ ଉତ୍ତାପ ବିସ୍ତାର ଚାପ ବ୍ଲକର ଥ୍ରେଡେଡ୍ ଛିଦ୍ରରେ ସ୍କ୍ରୁଡ୍ | କେସିଙ୍ଗର ବାହ୍ୟ କାନ୍ଥକୁ ଏକ ଉତ୍ତାପ ବିସ୍ତାର ଗ୍ରୀଭ୍ ଯୋଗାଇ ଦିଆଯାଇଛି | ସର୍କିଟ ବୋର୍ଡକୁ ସମର୍ଥନ କରିବା ପାଇଁ ଘରର ଭିତର କାନ୍ଥର ଉଭୟ ପାର୍ଶ୍ୱରେ ସପୋର୍ଟ ବାର୍ ପ୍ରଦାନ କରାଯାଇଛି | ଯେତେବେଳେ ଉତ୍ତାପ ବିସ୍ତାର ଚାପ ବ୍ଲକ୍ ସ୍ଥିର ଭାବରେ ଘରର ଭିତର କାନ୍ଥ ସହିତ ସଂଯୁକ୍ତ, ସର୍କିଟ ବୋର୍ଡ ଉତ୍ତାପ ବିସ୍ତାର ଚାପ ବ୍ଲକର ପାର୍ଶ୍ୱ କାନ୍ଥ ଏବଂ ସପୋର୍ଟ ବାର୍ ମଧ୍ୟରେ ଦବାଗଲା | ମଧ୍ୟରେ ଏକ ଇନସୁଲେଟିଂ ଫିଲ୍ମ ଅଛି |MOSFETଏବଂ କେସିଙ୍ଗର ଭିତର କାନ୍ଥ, ଏବଂ ଉତ୍ତାପ ବିସ୍ତାର ଚାପ ବ୍ଲକ ଏବଂ MOSFET ମଧ୍ୟରେ ଏକ ଇନସୁଲେଟିଂ ଫିଲ୍ମ ଅଛି | ସେଲର ପାର୍ଶ୍ୱ କାନ୍ଥକୁ ପ୍ରଥମ ସଞ୍ଚାରିତ ଜଳ ଚ୍ୟାନେଲକୁ ପର୍ପେଣ୍ଡିକୁଲାର ଏକ ଉତ୍ତାପ ବିସ୍ତାର ପାଇପ୍ ଯୋଗାଇ ଦିଆଯାଇଛି | ଉତ୍ତାପ ବିସ୍ତାର ପାଇପ୍ ର ଗୋଟିଏ ମୁଣ୍ଡକୁ ରେଡିଏଟର ଯୋଗାଇ ଦିଆଯାଉଛି ଏବଂ ଅନ୍ୟ ମୁଣ୍ଡ ବନ୍ଦ ଅଛି | ରେଡିଏଟର ଏବଂ ଉତ୍ତାପ ବିସ୍ତାର ପାଇପ୍ ଏକ ବନ୍ଦ ଭିତର ଗୁହାଳ ସୃଷ୍ଟି କରେ ଏବଂ ଭିତର ଗୁହାଳକୁ ରେଫ୍ରିଜରେଣ୍ଟ ଯୋଗାଇ ଦିଆଯାଏ | ଉତ୍ତାପ ସିଙ୍କରେ ଉତ୍ତାପ ବିସ୍ତାର ପାଇପ୍ ସହିତ ସ୍ଥିର ଭାବରେ ସଂଯୁକ୍ତ ଏକ ଉତ୍ତାପ ବିସ୍ତାର ରିଙ୍ଗ ଏବଂ ଉତ୍ତାପ ବିସ୍ତାର ରିଙ୍ଗ ସହିତ ସ୍ଥିର ଭାବରେ ସଂଯୁକ୍ତ ଏକ ଉତ୍ତାପ ବିସ୍ତାର ଫିନ ଅନ୍ତର୍ଭୁକ୍ତ | ହିଟ୍ ସିଙ୍କ୍ ମଧ୍ୟ ଏକ କୁଲିଂ ଫ୍ୟାନ୍ ସହିତ ସ୍ଥିର ଭାବରେ ସଂଯୁକ୍ତ |
ନିର୍ଦ୍ଦିଷ୍ଟ ପ୍ରଭାବ: MOSFET ର ଉତ୍ତାପ ବିସ୍ତାର ଦକ୍ଷତା ବୃଦ୍ଧି କରନ୍ତୁ ଏବଂ ସେବା ଜୀବନକୁ ଉନ୍ନତ କରନ୍ତୁ |MOSFET; କେସିଙ୍ଗର ଉତ୍ତାପ ବିସ୍ତାର ପ୍ରଭାବକୁ ଉନ୍ନତ କରିବା, କେସିଙ୍ଗ ଭିତରେ ତାପମାତ୍ରାକୁ ସ୍ଥିର ରଖିବା; ସରଳ ଗଠନ ଏବଂ ସହଜ ସ୍ଥାପନ |
ଉପରୋକ୍ତ ବର୍ଣ୍ଣନା କେବଳ ବର୍ତ୍ତମାନର ଉଦ୍ଭାବନର ବ technical ଷୟିକ ସମାଧାନର ଏକ ସମୀକ୍ଷା ଅଟେ | ବର୍ତ୍ତମାନର ଉଦ୍ଭାବନର ବ technical ଷୟିକ ମାଧ୍ୟମକୁ ଅଧିକ ସ୍ପଷ୍ଟ ଭାବରେ ବୁ to ିବାକୁ, ବର୍ଣ୍ଣନାର ବିଷୟବସ୍ତୁ ଅନୁଯାୟୀ ଏହାକୁ କାର୍ଯ୍ୟକାରୀ କରାଯାଇପାରିବ | ଉପରୋକ୍ତ ଏବଂ ଅନ୍ୟାନ୍ୟ ବସ୍ତୁ, ବର୍ତ୍ତମାନର ଉଦ୍ଭାବନର ବ features ଶିଷ୍ଟ୍ୟ ଏବଂ ସୁବିଧାଗୁଡ଼ିକୁ ଅଧିକ ସ୍ପଷ୍ଟ ଏବଂ ବୁ understand ିବା ପାଇଁ, ପସନ୍ଦିତ ଆବିଷ୍କାରଗୁଡିକ ସହିତ ଥିବା ଚିତ୍ରଗୁଡ଼ିକ ସହିତ ନିମ୍ନରେ ବିସ୍ତୃତ ଭାବରେ ବର୍ଣ୍ଣନା କରାଯାଇଛି |
ଉତ୍ତାପ ବିସ୍ତାର ଉପକରଣରେ ଏକ ହୋଲ୍ structure ାଞ୍ଚା କେସିଙ୍ଗ୍ 100 ଏବଂ ଏକ ସର୍କିଟ୍ ବୋର୍ଡ 101 ଅନ୍ତର୍ଭୁକ୍ତ | ସର୍କିଟ୍ ବୋର୍ଡ 101 କେସିଙ୍ଗ୍ 100 ରେ ବ୍ୟବହୃତ ହୋଇଛି | ଅନେକ ପାର୍ଶ୍ୱ MOSFETs 102 ସର୍କିଟ୍ ବୋର୍ଡ 101 ର ଉଭୟ ମୁଣ୍ଡରେ ପିନ୍ ମାଧ୍ୟମରେ ସଂଯୁକ୍ତ | ଏହା ମଧ୍ୟ MOSFET 102 କୁ ସଙ୍କୋଚନ କରିବା ପାଇଁ ଏକ ଉତ୍ତାପ ବିସ୍ତାର ଚାପ ବ୍ଲକ୍ 103 ଅନ୍ତର୍ଭୂକ୍ତ କରେ ଯାହା ଦ୍ M ାରା MOSFET 102 ଗୃହର ଭିତର କାନ୍ଥ ନିକଟରେ ରହିଥାଏ | ପ୍ରଥମ ସର୍କୁଲାର୍ ୱାଟର ଚ୍ୟାନେଲ୍ 104 ଭୂଲମ୍ବ ଭାବରେ ଅନେକ ପାର୍ଶ୍ୱରେ MOSFETs 102 ସହିତ ସଜ୍ଜିତ |
ଉତ୍ତାପ ବିସ୍ତାର ଚାପ ବ୍ଲକ 103 MOSFET 102 କୁ ଘରର ଭିତର କାନ୍ଥକୁ ଦବାଇଥାଏ, ଏବଂ MOSFET 102 ର ଉତ୍ତାପର ଏକ ଅଂଶ ଗୃହ 100 କୁ ପରିଚାଳିତ ହୋଇଥାଏ | ଉତ୍ତାପର ଅନ୍ୟ ଏକ ଅଂଶ ଉତ୍ତାପ ବିସ୍ତାର ବ୍ଲକ 103 କୁ ପରିଚାଳିତ ହୋଇଥାଏ, ଏବଂ ହାଉସିଂ 100 ଉତ୍ତାପକୁ ବାୟୁରେ ବିସ୍ତାର କରେ | ଉତ୍ତାପ ବିସ୍ତାର ବ୍ଲକ 103 ର ଉତ୍ତାପକୁ ପ୍ରଥମ ସଞ୍ଚାରିତ ଜଳ ଚ୍ୟାନେଲ 104 ରେ ଥଣ୍ଡା ପାଣି ଦ୍ୱାରା ନିଆଯାଏ, ଯାହା MOSFET 102 ର ଉତ୍ତାପ ବିସ୍ତାର ପ୍ରଭାବକୁ ଉନ୍ନତ କରିଥାଏ | ସେହି ସମୟରେ, ଗୃହର ଅନ୍ୟାନ୍ୟ ଉପାଦାନ ଦ୍ୱାରା ଉତ୍ପନ୍ନ ଉତ୍ତାପର ଏକ ଅଂଶ | 100 ମଧ୍ୟ ଉତ୍ତାପ ବିସ୍ତାର ଚାପ ବ୍ଲକ 103 କୁ ପରିଚାଳିତ ହୁଏ | ତେଣୁ, ଉତ୍ତାପ ବିସ୍ତାର ଚାପ ବ୍ଲକ 103 ଗୃହର ତାପମାତ୍ରାକୁ ଆହୁରି ହ୍ରାସ କରିପାରେ ଏବଂ ଗୃହ 100 ରେ ଅନ୍ୟ ଉପାଦାନଗୁଡ଼ିକର କାର୍ଯ୍ୟ ଦକ୍ଷତା ଏବଂ ସେବା ଜୀବନକୁ ଉନ୍ନତ କରିପାରିବ | କେସିଙ୍ଗ୍ 100 ର ଏକ ଖୋଲା structure ାଞ୍ଚା ଅଛି, ତେଣୁ କେସିଙ୍ଗ୍ 100 ରେ ଉତ୍ତାପ ସହଜରେ ଜମା ହୋଇନଥାଏ, ଯାହାଦ୍ୱାରା ସର୍କିଟ୍ ବୋର୍ଡ 101 କୁ ଅଧିକ ଗରମ ଏବଂ ଜଳିବାରେ ରୋକିଥାଏ | ହାଉସିଂ 100 ର ପାର୍ଶ୍ୱ କାନ୍ଥକୁ ପ୍ରଥମ ସର୍କୁଲାର ୱାଟର ଚ୍ୟାନେଲ 105 ସହିତ ସମାନ୍ତରାଳ ଭାବରେ ଦ୍ୱିତୀୟ ସଞ୍ଚାରିତ ଜଳ ଚ୍ୟାନେଲ 105 ପ୍ରଦାନ କରାଯାଇଛି ଏବଂ ଦ୍ୱିତୀୟ ସଞ୍ଚାରିତ ଜଳ ଚ୍ୟାନେଲ 105 ସମ୍ପୃକ୍ତ MOSFET 102 ନିକଟରେ ଅଛି | ହାଉସିଂ 100 ର ବାହ୍ୟ କାନ୍ଥକୁ ଏକ ଉତ୍ତାପ ବିସ୍ତାର ଗ୍ରୀଭ୍ 108 ପ୍ରଦାନ କରାଯାଇଛି | ହାଉସିଂ 100 ର ଉତ୍ତାପ ମୁଖ୍ୟତ the ଦ୍ୱିତୀୟ ସଞ୍ଚାରିତ ଜଳ ଚ୍ୟାନେଲ 105 ରେ ଥଣ୍ଡା ପାଣି ମାଧ୍ୟମରେ ନିଆଯାଏ | ଉତ୍ତାପର ଅନ୍ୟ ଏକ ଅଂଶ ଉତ୍ତାପ ବିସର୍ଜନ ଗ୍ରୀଭ୍ 108 ମାଧ୍ୟମରେ ବିସର୍ଜନ କରାଯାଇଥାଏ, ଯାହା ଗୃହର ଉତ୍ତାପ ବିସ୍ତାର ପ୍ରଭାବକୁ ଉନ୍ନତ କରିଥାଏ 100 ସ୍କ୍ରୁ ମାଧ୍ୟମରେ ଘରର ଭିତର କାନ୍ଥ 100 | ଘରର 100 ପାର୍ଶ୍ୱ କାନ୍ଥରେ ଥିବା ଥ୍ରେଡେଡ୍ ଛିଦ୍ରରୁ ଉତ୍ତାପ ବିସ୍ତାର ଚାପ ବ୍ଲକ୍ 103 ର ଥ୍ରେଡ୍ ଛିଦ୍ରରେ ସ୍କ୍ରୁଗୁଡିକ ସ୍କ୍ରୁଡ୍ |
ବର୍ତ୍ତମାନର ଉଦ୍ଭାବନରେ, ଏକ ସଂଯୋଗକାରୀ ଖଣ୍ଡ 109 ଉତ୍ତାପ ବିସ୍ତାର ଚାପ ବ୍ଲକ୍ 103 ର ଧାରରୁ ବିସ୍ତାର ହୋଇଛି | ସଂଯୋଗକାରୀ ଖଣ୍ଡ 109 କୁ ଅନେକ ଥ୍ରେଡେଡ୍ ଛିଦ୍ର 107 ପ୍ରଦାନ କରାଯାଇଛି | ସଂଯୋଗକାରୀ ଖଣ୍ଡ 109 ସ୍ଥିର ଭାବରେ ଘରର ଭିତର କାନ୍ଥ ସହିତ ସଂଯୁକ୍ତ | ସ୍କ୍ରୁ ମାଧ୍ୟମରେ | ସର୍କିଟ ବୋର୍ଡ 101 କୁ ସମର୍ଥନ କରିବା ପାଇଁ ହାଉସିଂ 100 ର ଭିତର କାନ୍ଥର ଉଭୟ ପାର୍ଶ୍ୱରେ ସପୋର୍ଟ ବାର୍ 106 ପ୍ରଦାନ କରାଯାଇଛି | ଉତ୍ତାପ ବିସ୍ତାର ଚାପ ବ୍ଲକ୍ 103 ର ପାର୍ଶ୍ୱ କାନ୍ଥ ଏବଂ ସପୋର୍ଟ ବାର୍ 106 | ସଂସ୍ଥାପନ ସମୟରେ ସର୍କିଟ୍ ବୋର୍ଡ 101 ପ୍ରଥମେ ସପୋର୍ଟ ବାର୍ 106 ଉପରେ ରଖାଯାଇଥାଏ, ଏବଂ ଉତ୍ତାପ ବିସ୍ତାର ଚାପ ବ୍ଲକ୍ 103 ର ତଳ ଅଂଶ ଉପର ପୃଷ୍ଠକୁ ଦବାଗଲା | ସର୍କିଟ୍ ବୋର୍ଡ 101 ର ତାପରେ, ଉତ୍ତାପ ବିସ୍ତାର ଚାପ ବ୍ଲକ୍ 103 ସ୍କ୍ରୁ ସହିତ ଘରର 100 ଭିତର କାନ୍ଥରେ ସ୍ଥିର ହୋଇଛି | ସର୍କିଟ ବୋର୍ଡ 101 ର ସ୍ଥାପନ ଏବଂ ଅପସାରଣକୁ ସୁଗମ କରିବା ପାଇଁ ସର୍କିଟ ବୋର୍ଡ 101 କୁ ବନ୍ଦ କରିବା ପାଇଁ ଉତ୍ତାପ ବିସ୍ତାର ଚାପ ବ୍ଲକ 103 ଏବଂ ସପୋର୍ଟ ବାର୍ 106 ମଧ୍ୟରେ ଏକ କ୍ଲାମିଂ ଗ୍ରୀଭ୍ ସୃଷ୍ଟି ହୁଏ | ସେହି ସମୟରେ ସର୍କିଟ ବୋର୍ଡ 101 ଉତ୍ତାପ ବିସ୍ତାରର ନିକଟବର୍ତ୍ତୀ | ଚାପ ବ୍ଲକ 103 ତେଣୁ, ସର୍କିଟ ବୋର୍ଡ 101 ଦ୍ ated ାରା ଉତ୍ପାଦିତ ଉତ୍ତାପ ଉତ୍ତାପ ବିସ୍ତାର ଚାପ ବ୍ଲକ 103 କୁ ପରିଚାଳିତ ହୁଏ, ଏବଂ ଉତ୍ତାପ ବିସ୍ତାର ଚାପ ବ୍ଲକ 103 କୁ ପ୍ରଥମ ସର୍କୁଲାର ୱାଟର ଚ୍ୟାନେଲରେ ଥଣ୍ଡା ପାଣି ଦ୍ୱାରା ନିଆଯାଏ, ଯାହାଦ୍ୱାରା ସର୍କିଟ ବୋର୍ଡ 101 କୁ ଅଧିକ ଗରମରୁ ରକ୍ଷା କରିଥାଏ | ଏବଂ ଜଳୁଛି | ପସନ୍ଦ ଅନୁଯାୟୀ, MOSFET 102 ଏବଂ ଗୃହର ଭିତର କାନ୍ଥ ମଧ୍ୟରେ ଏକ ଇନସୁଲେଟିଂ ଚଳଚ୍ଚିତ୍ର ନିଷ୍କାସିତ ହୁଏ, ଏବଂ ଉତ୍ତାପ ବିସ୍ତାର ଚାପ ବ୍ଲକ 103 ଏବଂ MOSFET 102 ମଧ୍ୟରେ ଏକ ଇନସୁଲେଟିଂ ଫିଲ୍ମ ନିଷ୍କାସିତ ହୁଏ |
ଏକ ଉଚ୍ଚ ଶକ୍ତି ବିଶିଷ୍ଟ MOSFET ଉତ୍ତାପ ବିସର୍ଜନ ଉପକରଣରେ ଏକ ହୋଲ୍ ଷ୍ଟ୍ରକଚର କେସିଙ୍ଗ୍ 200 ଏବଂ ଏକ ସର୍କିଟ୍ ବୋର୍ଡ 202 ଅନ୍ତର୍ଭୁକ୍ତ | ସର୍କିଟ୍ ବୋର୍ଡ 202 କେସିଙ୍ଗ୍ 200 ରେ ସଜାଯାଇଛି | ଅନେକ ପାର୍ଶ୍ୱ MOSFETs 202 ଯଥାକ୍ରମେ ସର୍କିଟ୍ର ଉଭୟ ପ୍ରାନ୍ତ ସହିତ ସଂଯୁକ୍ତ | ପିନ ମାଧ୍ୟମରେ 202 ବୋର୍ଡ, ଏବଂ MOSFETs 202 କୁ ସଙ୍କୋଚନ କରିବା ପାଇଁ ଏକ ଉତ୍ତାପ ବିସ୍ତାର ଚାପ ବ୍ଲକ 203 କୁ ମଧ୍ୟ ଅନ୍ତର୍ଭୁକ୍ତ କରେ ଯାହା ଦ୍ M ାରା MOSFETs 202 ଗୃହ 200 ର ଭିତର କାନ୍ଥ ନିକଟରେ | ପ୍ରଥମ ସର୍କୁଲାର୍ ୱାଟର ଚ୍ୟାନେଲ୍ 204 ଉତ୍ତାପ ବିସ୍ତାର ଚାପ ବ୍ଲକ୍ 203 ଦେଇ ଚାଲିଥାଏ | ପ୍ରଥମ ସଞ୍ଚାରିତ ଜଳ ଚ୍ୟାନେଲ୍ 204 ଭୂଲମ୍ବ ଭାବରେ ଅନେକ ପାର୍ଶ୍ୱରେ MOSFETs 202 ସହିତ ସଜ୍ଜିତ ହୋଇଛି | ଶେଲର ପାର୍ଶ୍ୱ କାନ୍ଥକୁ ଏକ ଉତ୍ତାପ ବିସ୍ତାର ପାଇପ୍ 205 ପର୍ପେଣ୍ଡିକୁଲାର୍ ସହିତ ଯୋଗାଇ ଦିଆଯାଇଛି | ପ୍ରଥମ ସଞ୍ଚାରିତ ଜଳ ଚ୍ୟାନେଲ 204, ଏବଂ ଉତ୍ତାପ ବିସ୍ତାର ପାଇପ୍ 205 ର ଗୋଟିଏ ପ୍ରାନ୍ତକୁ ଉତ୍ତାପ ବିସ୍ତାରକାରୀ ଶରୀର 206 ଯୋଗାଇ ଦିଆଯାଏ | ଅନ୍ୟ ପ୍ରାନ୍ତ ବନ୍ଦ, ଏବଂ ଉତ୍ତାପ ବିସ୍ତାର ଶରୀର 206 ଏବଂ ଉତ୍ତାପ ବିସ୍ତାର ପାଇପ୍ 205 ଏକ ବନ୍ଦ ଭିତର ଗୁହାଳ ସୃଷ୍ଟି କରେ, ଏବଂ ରେଫ୍ରିଜାଣ୍ଟ ଭିତର ଗୁହାଳରେ ସଜ୍ଜିତ | MOSFET 202 ଉତ୍ତାପ ସୃଷ୍ଟି କରେ ଏବଂ ରେଫ୍ରିଜାଣ୍ଟକୁ ବାଷ୍ପୀଭୂତ କରେ | ବାଷ୍ପୀଭୂତ ହେବାବେଳେ, ଏହା ଉତ୍ତାପ ଶେଷରୁ (MOSFET 202 ଶେଷର) ଉତ୍ତାପକୁ ଅବଶୋଷଣ କରେ, ଏବଂ ତାପରେ ଉତ୍ତାପ ଶେଷରୁ ଥଣ୍ଡା ଶେଷ ପର୍ଯ୍ୟନ୍ତ (MOSFET 202 ଶେଷଠାରୁ ଦୂରରେ) ପ୍ରବାହିତ ହୁଏ | ଯେତେବେଳେ ଏହା ଥଣ୍ଡା ଶେଷରେ ଶୀତର ସମ୍ମୁଖୀନ ହୁଏ, ଏହା ଟ୍ୟୁବ୍ କାନ୍ଥର ବାହ୍ୟ ପାରିପାର୍ଶ୍ୱକୁ ଉତ୍ତାପ ମୁକ୍ତ କରେ | ତାପରେ ତରଳ ଗରମ ଶେଷକୁ ପ୍ରବାହିତ ହୁଏ, ଏହିପରି ଏକ ଉତ୍ତାପ ବିସ୍ତାର ସର୍କିଟ ସୃଷ୍ଟି କରେ | ବାଷ୍ପୀକରଣ ଏବଂ ତରଳ ମାଧ୍ୟମରେ ଏହି ଉତ୍ତାପ ବିସ୍ତାର ପାରମ୍ପାରିକ ଉତ୍ତାପ କଣ୍ଡକ୍ଟରର ଉତ୍ତାପ ବିସ୍ତାର ଅପେକ୍ଷା ବହୁତ ଭଲ | ଉତ୍ତାପ ବିସ୍ତାର ଶରୀର 206 ରେ ଏକ ଉତ୍ତାପ ବିସ୍ତାର ରିଙ୍ଗ 207 ଅନ୍ତର୍ଭୂକ୍ତ ହୋଇଛି ଯାହା ଉତ୍ତାପ ବିସ୍ତାର ପାଇପ୍ 205 ସହିତ ସ୍ଥିର ଭାବରେ ସଂଯୁକ୍ତ ଏବଂ ଉତ୍ତାପ ବିସ୍ତାର ରିଙ୍ଗ 207 ସହିତ ସ୍ଥିର ଭାବରେ ସଂଯୁକ୍ତ; ଉତ୍ତାପ ବିସ୍ତାର ଫିନ 208 ମଧ୍ୟ ଏକ କୁଲିଂ ଫ୍ୟାନ୍ 209 ସହିତ ସ୍ଥିର ଭାବରେ ସଂଯୁକ୍ତ |
ଉତ୍ତାପ ବିସ୍ତାର ରିଙ୍ଗ 207 ଏବଂ ଉତ୍ତାପ ବିସ୍ତାର ପାଇପ୍ 205 ର ଏକ ଦୀର୍ଘ ଫିଟ୍ ଦୂରତା ଅଛି, ଯାହା ଦ୍ heat ାରା ଉତ୍ତାପ ବିସ୍ତାର ରିଙ୍ଗ 207 ଶୀଘ୍ର ଉତ୍ତାପ ବିସ୍ତାର ପାଇପ୍ 205 ରେ ଉତ୍ତାପକୁ ଶୀଘ୍ର ଉତ୍ତାପ ବିସ୍ତାର କରିବାକୁ ହାସଲ କରିପାରିବ |
ପୋଷ୍ଟ ସମୟ: ନଭେମ୍ବର -08-2023 |
