ମେଟାଲ୍ ଅକ୍ସାଇଡ୍ ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ଫିଲ୍ଡ ଇଫେକ୍ଟ ଟ୍ରାନଜିଷ୍ଟର ପାଇଁ MOSFET, ଏକ ତିନି ଟର୍ମିନାଲ୍ ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ଉପକରଣ ଯାହା କରେଣ୍ଟ୍ର ପ୍ରବାହକୁ ନିୟନ୍ତ୍ରଣ କରିବା ପାଇଁ ବ electric ଦ୍ୟୁତିକ କ୍ଷେତ୍ର ପ୍ରଭାବ ବ୍ୟବହାର କରେ | ନିମ୍ନରେ MOSFET ର ଏକ ମ basic ଳିକ ସମୀକ୍ଷା:
ସଂଜ୍ଞା ଏବଂ ବର୍ଗୀକରଣ
- ସଂଜ୍ଞା: MOSFET ହେଉଛି ଏକ ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ଉପକରଣ ଯାହା ଗେଟ୍ ଭୋଲଟେଜ୍ ପରିବର୍ତ୍ତନ କରି ଡ୍ରେନ୍ ଏବଂ ଉତ୍ସ ମଧ୍ୟରେ କଣ୍ଡକ୍ଟିଭ୍ ଚ୍ୟାନେଲକୁ ନିୟନ୍ତ୍ରଣ କରେ | ଗେଟ୍ ଉତ୍ସରୁ ଇନସୁଲେଟ୍ ହୋଇ ଇନସୁଲେଟିଂ ସାମଗ୍ରୀର ଏକ ସ୍ତର (ସାଧାରଣତ sil ସିଲିକନ୍ ଡାଇଅକ୍ସାଇଡ୍) ଦ୍ୱାରା ନିଷ୍କାସିତ ହୁଏ, ଯେଉଁଥିପାଇଁ ଏହା ଏକ ଇନସୁଲେଟେଡ୍ ଗେଟ୍ ଫିଲ୍ଡ-ଇଫେକ୍ଟ ଟ୍ରାନଜିଷ୍ଟର ଭାବରେ ମଧ୍ୟ ଜଣାଶୁଣା |
- ବର୍ଗୀକରଣ: କଣ୍ଡକ୍ଟିଭ୍ ଚ୍ୟାନେଲର ପ୍ରକାର ଏବଂ ଗେଟ୍ ଭୋଲଟେଜ୍ ର ପ୍ରଭାବ ଉପରେ ଆଧାର କରି MOSFET ଗୁଡିକ ଶ୍ରେଣୀଭୁକ୍ତ କରାଯାଇଛି:
- N- ଚ୍ୟାନେଲ ଏବଂ P- ଚ୍ୟାନେଲ MOSFETs: କଣ୍ଡକ୍ଟିଭ୍ ଚ୍ୟାନେଲର ପ୍ରକାର ଉପରେ ନିର୍ଭର କରେ |
- ଉନ୍ନତି-ମୋଡ୍ ଏବଂ ହ୍ରାସ-ମୋଡ୍ MOSFETs: କଣ୍ଡକ୍ଟିଭ୍ ଚ୍ୟାନେଲ ଉପରେ ଗେଟ୍ ଭୋଲଟେଜ୍ ର ପ୍ରଭାବ ଉପରେ ଆଧାର କରି | ତେଣୁ, MOSFET ଗୁଡ଼ିକୁ ଚାରୋଟି ପ୍ରକାରରେ ବିଭକ୍ତ କରାଯାଇଛି: N- ଚ୍ୟାନେଲ ଉନ୍ନତି-ମୋଡ୍, N- ଚ୍ୟାନେଲ ହ୍ରାସ-ମୋଡ୍, ପି-ଚ୍ୟାନେଲ ଉନ୍ନତି-ମୋଡ୍, ଏବଂ P- ଚ୍ୟାନେଲ ହ୍ରାସ-ମୋଡ୍ |
ଗଠନ ଏବଂ କାର୍ଯ୍ୟ ନୀତି |
- ଗଠନ: ଏକ MOSFET ତିନୋଟି ମ basic ଳିକ ଉପାଦାନକୁ ନେଇ ଗଠିତ: ଗେଟ୍ (G), ଡ୍ରେନ୍ (D), ଏବଂ ଉତ୍ସ (S) | ହାଲୁକା ଡୋପେଡ୍ ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ଉପରେ, ସେମି କଣ୍ଡକ୍ଟର ପ୍ରକ୍ରିୟାକରଣ କ ques ଶଳ ମାଧ୍ୟମରେ ଅତ୍ୟଧିକ ଡୋପେଡ୍ ଉତ୍ସ ଏବଂ ଡ୍ରେନ୍ ଅଞ୍ଚଳ ସୃଷ୍ଟି ହୁଏ | ଏହି ଅଞ୍ଚଳଗୁଡିକ ଏକ ଇନସୁଲେଟିଂ ସ୍ତର ଦ୍ୱାରା ପୃଥକ ହୋଇଛି, ଯାହା ଗେଟ୍ ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋଡ୍ ଦ୍ୱାରା ଟପ୍ପର |
- କାର୍ଯ୍ୟ ନୀତି: N- ଚ୍ୟାନେଲ ଉନ୍ନତି-ମୋଡ୍ MOSFET କୁ ଏକ ଉଦାହରଣ ଭାବରେ ଗ୍ରହଣ କରିବା, ଯେତେବେଳେ ଗେଟ୍ ଭୋଲଟେଜ୍ ଶୂନ୍ୟ, ଡ୍ରେନ୍ ଏବଂ ଉତ୍ସ ମଧ୍ୟରେ କ conduct ଣସି କଣ୍ଡକ୍ଟିଭ୍ ଚ୍ୟାନେଲ୍ ନାହିଁ, ତେଣୁ କ current ଣସି କରେଣ୍ଟ ପ୍ରବାହିତ ହୋଇପାରିବ ନାହିଁ | ଯେତେବେଳେ ଗେଟ୍ ଭୋଲଟେଜ୍ ଏକ ନିର୍ଦ୍ଦିଷ୍ଟ ଥ୍ରେସହୋଲ୍ଡକୁ ବ increases େ (“ଟର୍ନ୍ ଅନ୍ ଭୋଲଟେଜ୍” କିମ୍ବା “ଥ୍ରେସହୋଲ୍ଡ ଭୋଲଟେଜ୍” କୁହାଯାଏ), ଗେଟ୍ ତଳେ ଥିବା ଇନସୁଲେଟିଂ ସ୍ତର ସବଷ୍ଟ୍ରେଟରୁ ଇଲେକ୍ଟ୍ରନ୍ଗୁଡ଼ିକୁ ଏକ ବିପରୀତ ସ୍ତର (N- ପ୍ରକାର ପତଳା ସ୍ତର) ଗଠନ କରିବାକୁ ଆକର୍ଷିତ କରିଥାଏ | , ଏକ କଣ୍ଡକ୍ଟିଭ୍ ଚ୍ୟାନେଲ୍ ସୃଷ୍ଟି କରିବା | ଏହା ଡ୍ରେନ୍ ଏବଂ ଉତ୍ସ ମଧ୍ୟରେ କରେଣ୍ଟକୁ ପ୍ରବାହିତ କରିବାକୁ ଅନୁମତି ଦିଏ | ଏହି କଣ୍ଡକ୍ଟିଭ୍ ଚ୍ୟାନେଲର ମୋଟେଇ, ଏବଂ ସେଥିପାଇଁ ଡ୍ରେନ୍ କରେଣ୍ଟ୍, ଗେଟ୍ ଭୋଲଟେଜ୍ ର ପରିମାଣ ଦ୍ୱାରା ନିର୍ଣ୍ଣୟ କରାଯାଏ |
3 ମୁଖ୍ୟ ବ istics ଶିଷ୍ଟ୍ୟଗୁଡିକ
- ହାଇ ଇନପୁଟ୍ ଇମ୍ପେଡାନ୍ସ: ଯେହେତୁ ଗେଟ୍ ଉତ୍ସରୁ ଇନସୁଲେଟ୍ ହୋଇଛି ଏବଂ ଇନସୁଲେଟିଂ ସ୍ତର ଦ୍ୱାରା ଡ୍ରେନ୍ ହୋଇଛି, ଏକ MOSFET ର ଇନପୁଟ୍ ପ୍ରତିରୋଧ ଅତ୍ୟନ୍ତ ଉଚ୍ଚ ଅଟେ, ଯାହା ଏହାକୁ ହାଇ-ଇମ୍ପେଡାନ୍ସ ସର୍କିଟ୍ ପାଇଁ ଉପଯୁକ୍ତ କରିଥାଏ |
- କମ୍ ଶବ୍ଦ: MOSFET ଗୁଡିକ ଅପରେସନ୍ ସମୟରେ ଅପେକ୍ଷାକୃତ କମ୍ ଶବ୍ଦ ସୃଷ୍ଟି କରେ, ଯାହା ସେମାନଙ୍କୁ କଠୋର ଶବ୍ଦ ଆବଶ୍ୟକତା ସହିତ ସର୍କିଟ୍ ପାଇଁ ଆଦର୍ଶ କରିଥାଏ |
- ଭଲ ଥର୍ମାଲ୍ ସ୍ଥିରତା: MOSFET ଗୁଡ଼ିକର ଉତ୍କୃଷ୍ଟ ତାପଜ ସ୍ଥିରତା ଅଛି ଏବଂ ବିଭିନ୍ନ ତାପମାତ୍ରାରେ ପ୍ରଭାବଶାଳୀ ଭାବରେ କାର୍ଯ୍ୟ କରିପାରିବ |
- ସ୍ୱଳ୍ପ ଶକ୍ତି ବ୍ୟବହାର: MOSFET ଗୁଡିକ ଉଭୟ ଅନ୍ ଏବଂ ଅଫ୍ ରାଜ୍ୟରେ ବହୁତ କମ୍ ଶକ୍ତି ଖର୍ଚ୍ଚ କରନ୍ତି, ଯାହା ସେମାନଙ୍କୁ ସ୍ୱଳ୍ପ ଶକ୍ତି ସର୍କିଟ୍ ପାଇଁ ଉପଯୁକ୍ତ କରିଥାଏ |
- ହାଇ ସୁଇଚ୍ ସ୍ପିଡ୍: ଭୋଲଟେଜ୍ ନିୟନ୍ତ୍ରିତ ଉପକରଣ ହୋଇ, MOSFET ଗୁଡିକ ଦ୍ରୁତ ସୁଇଚ୍ ସ୍ପିଡ୍ ପ୍ରଦାନ କରନ୍ତି, ଯାହା ସେମାନଙ୍କୁ ହାଇ ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସି ସର୍କିଟ୍ ପାଇଁ ଆଦର୍ଶ କରିଥାଏ |
ପ୍ରୟୋଗ କ୍ଷେତ୍ରଗୁଡିକ |
ବିଭିନ୍ନ ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ ସର୍କିଟ୍ରେ MOSFET ଗୁଡିକ ବହୁଳ ଭାବରେ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ, ବିଶେଷତ integ ଇଣ୍ଟିଗ୍ରେଟେଡ୍ ସର୍କିଟ୍, ପାୱାର ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ସ, ଯୋଗାଯୋଗ ଉପକରଣ ଏବଂ କମ୍ପ୍ୟୁଟରରେ | ସେମାନେ ଆମ୍ପ୍ଲାଇଫେସନ୍ ସର୍କିଟ୍, ସୁଇଚ୍ ସର୍କିଟ୍, ଭୋଲଟେଜ୍ ରେଗୁଲେସନ୍ ସର୍କିଟ୍, ଏବଂ ଅନ୍ୟାନ୍ୟରେ ମ basic ଳିକ ଉପାଦାନ ଭାବରେ କାର୍ଯ୍ୟ କରନ୍ତି, ସିଗନାଲ୍ ଆମ୍ପ୍ଲାଇଫେସନ୍, ସୁଇଚ୍ କଣ୍ଟ୍ରୋଲ୍ ଏବଂ ଭୋଲଟେଜ୍ ସ୍ଥିରତା ଭଳି କାର୍ଯ୍ୟକୁ ସକ୍ଷମ କରନ୍ତି |
ସଂକ୍ଷେପରେ, MOSFET ଏକ ଅନନ୍ୟ ଗଠନ ଏବଂ ଉତ୍କୃଷ୍ଟ କାର୍ଯ୍ୟଦକ୍ଷତା ବ with ଶିଷ୍ଟ୍ୟ ସହିତ ଏକ ଅତ୍ୟାବଶ୍ୟକ ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ଉପକରଣ | ଅନେକ କ୍ଷେତ୍ରରେ ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ ସର୍କିଟ୍ରେ ଏହା ଏକ ଗୁରୁତ୍ୱପୂର୍ଣ୍ଣ ଭୂମିକା ଗ୍ରହଣ କରିଥାଏ |
ପୋଷ୍ଟ ସମୟ: ସେପ୍ଟେମ୍ବର -22-2024 |
