MOSFET ଛୋଟ ସାମ୍ପ୍ରତିକ ଉତ୍ତାପର କାରଣ ଏବଂ ପଦକ୍ଷେପ

MOSFET ଛୋଟ ସାମ୍ପ୍ରତିକ ଗରମ କାରଣ ଏବଂ ପଦକ୍ଷେପ |

ପୋଷ୍ଟ ସମୟ: ମେ -19-2024 |

ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର କ୍ଷେତ୍ରର ଅନ୍ୟତମ ମ devices ଳିକ ଉପକରଣ ଭାବରେ, MOSFET ଗୁଡିକ ଉଭୟ ଆଇସି ଡିଜାଇନ୍ ଏବଂ ବୋର୍ଡ ସ୍ତରୀୟ ସର୍କିଟରେ ବହୁଳ ଭାବରେ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ | ବର୍ତ୍ତମାନ, ବିଶେଷକରି ଉଚ୍ଚ-ଶକ୍ତି ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର କ୍ଷେତ୍ରରେ, MOSFET ର ବିଭିନ୍ନ ସଂରଚନା ମଧ୍ୟ ଏକ ଅପୂରଣୀୟ ଭୂମିକା ଗ୍ରହଣ କରିଥାଏ | ପାଇଁMOSFETs |, ଯାହାର ଗଠନକୁ ଗୋଟିଏରେ ସରଳ ଏବଂ ଜଟିଳ ବୋଲି କୁହାଯାଇପାରେ, ଏହାର ସଂରଚନାରେ ସରଳ, ଜଟିଳ ଏହାର ଗଭୀର ବିଚାରର ପ୍ରୟୋଗ ଉପରେ ଆଧାରିତ | ଦିନକୁ ଦିନ,MOSFET ଉତ୍ତାପକୁ ମଧ୍ୟ ଏକ ସାଧାରଣ ପରିସ୍ଥିତି ଭାବରେ ବିବେଚନା କରାଯାଏ, କେଉଁ କାରଣରୁ କେଉଁ କାରଣଗୁଡିକ ଜାଣିବା ଆବଶ୍ୟକ ଏବଂ କେଉଁ ପଦ୍ଧତିଗୁଡିକ ସମାଧାନ ହୋଇପାରିବ? ପରବର୍ତ୍ତୀ ସମୟରେ ବୁ understand ିବା ପାଇଁ ଏକାଠି ହେବା |

I. ର କାରଣMOSFET ଗରମ
1, ସର୍କିଟ୍ ଡିଜାଇନ୍ ର ସମସ୍ୟା | ଏହା ହେଉଛି MOSFET କୁ ଅନ୍ଲାଇନ୍ ସ୍ଥିତିରେ କାମ କରିବାକୁ, ସୁଇଚ୍ ସ୍ଥିତିରେ ନୁହେଁ | MOSFET ଗରମ ହେବାର ଏହା ଅନ୍ୟତମ କାରଣ | ଯଦି N-MOS ସୁଇଚ୍ କରେ, ଜି-ଲେଭଲ୍ ଭୋଲଟେଜ୍ ସଂପୂର୍ଣ୍ଣ ଭାବରେ ରହିବା ପାଇଁ ବିଦ୍ୟୁତ୍ ଯୋଗାଣଠାରୁ କିଛି V ଅଧିକ ହେବା ଆବଶ୍ୟକ ଏବଂ P-MOS ପାଇଁ ଏହାର ବିପରୀତ | ସଂପୂର୍ଣ୍ଣ ଭାବେ ଖୋଲା ନାହିଁ ଏବଂ ବିଦ୍ୟୁତ୍ ବ୍ୟବହାରରେ ଭୋଲଟେଜ୍ ଡ୍ରପ୍ ବହୁତ ବଡ ଅଟେ, ସମାନ ଡିସି ପ୍ରତିରୋଧ ଅପେକ୍ଷାକୃତ ବଡ଼, ଭୋଲଟେଜ୍ ଡ୍ରପ୍ ବ increases େ, ତେଣୁ U * I ମଧ୍ୟ ବ increases େ, କ୍ଷତିର ଅର୍ଥ ହେଉଛି ଉତ୍ତାପ |

2, ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସି ବହୁତ ଅଧିକ | ମୁଖ୍ୟତ sometimes ବେଳେବେଳେ ଭଲ୍ୟୁମ୍ ପାଇଁ ଅତ୍ୟଧିକ, ଫଳସ୍ୱରୂପ ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସି, ବୃଦ୍ଧିରେ MOSFET କ୍ଷତି, ଯାହା ମଧ୍ୟ MOSFET ଗରମକୁ ନେଇଥାଏ |

3, କରେଣ୍ଟ୍ ବହୁତ ଅଧିକ | ଯେତେବେଳେ ID ସର୍ବାଧିକ କରେଣ୍ଟ ଠାରୁ କମ୍, ଏହା ମଧ୍ୟ MOSFET କୁ ଗରମ କରିବ |

4, MOSFET ମଡେଲର ପସନ୍ଦ ଭୁଲ ଅଟେ | MOSFET ର ଆଭ୍ୟନ୍ତରୀଣ ପ୍ରତିରୋଧକୁ ସମ୍ପୂର୍ଣ୍ଣ ଭାବରେ ବିବେଚନା କରାଯାଏ ନାହିଁ, ଫଳସ୍ୱରୂପ ସୁଇଚିଙ୍ଗ୍ ପ୍ରତିରୋଧ ବୃଦ୍ଧି ପାଇଲା |二、

MOSFET ର ପ୍ରବଳ ଉତ୍ତାପ ଉତ୍ପାଦନ ପାଇଁ ସମାଧାନ |
1, MOSFET ର ହିଟ୍ ସିଙ୍କ୍ ଡିଜାଇନ୍ ଉପରେ ଏକ ଭଲ କାମ କର |

2, ଯଥେଷ୍ଟ ସହାୟକ ଉତ୍ତାପ ସିଙ୍କ ଯୋଗ କରନ୍ତୁ |

3, ହର୍ଟ ସିଙ୍କ୍ ଆଡେସିଭ୍ ଲେପନ କରନ୍ତୁ |