ସାଧାରଣତ used ବ୍ୟବହୃତ ଉଚ୍ଚ-ଶକ୍ତି MOSFET ର କାର୍ଯ୍ୟ ନୀତିର ପରିଚୟ |

ଆଜି ସାଧାରଣ ଭାବରେ ବ୍ୟବହୃତ ଉଚ୍ଚ ଶକ୍ତି ଉପରେ |MOSFETଏହାର କାର୍ଯ୍ୟ ନୀତିକୁ ସଂକ୍ଷେପରେ ପରିଚିତ କରାଇବା | ଏହା କିପରି ନିଜ କାର୍ଯ୍ୟକୁ ହୃଦୟଙ୍ଗମ କରେ ଦେଖନ୍ତୁ |

ମେଟାଲ୍-ଅକ୍ସାଇଡ୍-ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ଯାହା ହେଉଛି, ମେଟାଲ୍-ଅକ୍ସାଇଡ୍-ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର, ଠିକ୍, ଏହି ନାମ ଇଣ୍ଟିଗ୍ରେଟେଡ୍ ସର୍କିଟ୍ ରେ MOSFET ର ଗଠନକୁ ବର୍ଣ୍ଣନା କରେ, ଅର୍ଥାତ୍: ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ଉପକରଣର ଏକ ନିର୍ଦ୍ଦିଷ୍ଟ ଗଠନରେ, ସିଲିକନ୍ ଡାଇଅକ୍ସାଇଡ୍ ଏବଂ ଧାତୁ ସହିତ ମିଶି, ଗଠନ | ଫାଟକ

ଏକ MOSFET ର ଉତ୍ସ ଏବଂ ଡ୍ରେନ୍ ବିରୋଧୀ, ଉଭୟ ଏକ P- ପ୍ରକାର ବ୍ୟାକଗେଟ୍ ରେ ଗଠିତ N- ପ୍ରକାର ଜୋନ୍ | ଅଧିକାଂଶ କ୍ଷେତ୍ରରେ, ଦୁଇଟି କ୍ଷେତ୍ର ସମାନ, ଯଦିଓ ଆଡଜଷ୍ଟମେଣ୍ଟର ଦୁଇ ମୁଣ୍ଡ ଉପକରଣର କାର୍ଯ୍ୟଦକ୍ଷତା ଉପରେ ପ୍ରଭାବ ପକାଇବ ନାହିଁ, ଏହିପରି ଏକ ଉପକରଣ ସମୃଦ୍ଧ ଭାବରେ ବିବେଚନା କରାଯାଏ |

ବର୍ଗୀକରଣ: ଚ୍ୟାନେଲ ସାମଗ୍ରୀ ପ୍ରକାର ଏବଂ ପ୍ରତ୍ୟେକ N- ଚ୍ୟାନେଲ ଏବଂ ପି-ଚ୍ୟାନେଲ ଦୁଇଟିର ଇନସୁଲେଟେଡ୍ ଗେଟ୍ ପ୍ରକାର ଅନୁଯାୟୀ; କଣ୍ଡକ୍ଟିଭ୍ ମୋଡ୍ ଅନୁଯାୟୀ: MOSFET ହ୍ରାସ ଏବଂ ବୃଦ୍ଧିରେ ବିଭକ୍ତ, ତେଣୁ MOSFET କୁ N- ଚ୍ୟାନେଲ ହ୍ରାସ ଏବଂ ବୃଦ୍ଧିରେ ବିଭକ୍ତ କରାଯାଇଛି; ଚାରୋଟି ପ୍ରମୁଖ ବର୍ଗର ପି-ଚ୍ୟାନେଲ୍ ହ୍ରାସ ଏବଂ ବୃଦ୍ଧି |

କାର୍ଯ୍ୟର MOSFET ନୀତି - ର ଗଠନମୂଳକ ଗୁଣ |MOSFETଏହା କଣ୍ଡକ୍ଟିଭ୍ ସହିତ ଜଡିତ କେବଳ ଗୋଟିଏ ପୋଲାରିଟି ବାହକ (ପଲିସ୍) ପରିଚାଳନା କରେ, ଏହା ଏକ ୟୁନିପୋଲାର୍ ଟ୍ରାନଜିଷ୍ଟର | ନିମ୍ନ-ଶକ୍ତି MOSFET ସହିତ ପରିଚାଳନା ପ୍ରଣାଳୀ ସମାନ, କିନ୍ତୁ ସଂରଚନାରେ ଏକ ବଡ଼ ପାର୍ଥକ୍ୟ ଅଛି, ନିମ୍ନ-ଶକ୍ତି MOSFET ହେଉଛି ଏକ ଭୂସମାନ୍ତର କଣ୍ଡକ୍ଟିଭ୍ ଡିଭାଇସ୍, ଅଧିକାଂଶ ଶକ୍ତି MOSFET ଭୂଲମ୍ବ କଣ୍ଡକ୍ଟିଭ୍ structure ାଞ୍ଚା, ଯାହା VMOSFET ଭାବରେ ମଧ୍ୟ ଜଣାଶୁଣା, ଯାହା MOSFET କୁ ବହୁତ ଉନ୍ନତ କରିଥାଏ | ଡିଭାଇସ୍ ଭୋଲଟେଜ୍ ଏବଂ ସାମ୍ପ୍ରତିକ ପ୍ରତିରୋଧ କ୍ଷମତା | ମୁଖ୍ୟ ବ feature ଶିଷ୍ଟ୍ୟ ହେଉଛି ଧାତୁ ଗେଟ୍ ଏବଂ ଚ୍ୟାନେଲ ମଧ୍ୟରେ ସିଲିକା ଇନସୁଲେସନ୍ ର ଏକ ସ୍ତର ଅଛି, ଏବଂ ସେଥିପାଇଁ ଏକ ଉଚ୍ଚ ଇନପୁଟ୍ ପ୍ରତିରୋଧକତା ଅଛି, ଟ୍ୟୁବ୍ n ଡିଫ୍ୟୁଜନ୍ ଜୋନର ଦୁଇଟି ଉଚ୍ଚ ଏକାଗ୍ରତାରେ ଏକ n- ପ୍ରକାର କଣ୍ଡକ୍ଟିଭ୍ ଚ୍ୟାନେଲ୍ ଗଠନ କରେ | n- ଚ୍ୟାନେଲ ଉନ୍ନତି MOSFET ଗୁଡ଼ିକୁ ଅଗ୍ରଗାମୀ ଦ୍ as ାରା ପ୍ରୟୋଗ କରାଯିବା ଆବଶ୍ୟକ, ଏବଂ ଯେତେବେଳେ ଗେଟ୍ ଉତ୍ସ ଭୋଲଟେଜ୍ n- ଚ୍ୟାନେଲ MOSFET ଦ୍ ated ାରା ଉତ୍ପାଦିତ କଣ୍ଡକ୍ଟିଭ୍ ଚ୍ୟାନେଲର ଥ୍ରେଶୋଲ୍ଡ ଭୋଲଟେଜଠାରୁ ଅଧିକ ହେବ | n- ଚ୍ୟାନେଲ ହ୍ରାସ ପ୍ରକାର MOSFET ଗୁଡିକ ହେଉଛି n- ଚ୍ୟାନେଲ MOSFETs ଯେଉଁଥିରେ କ gate ଣସି ଗେଟ୍ ଭୋଲଟେଜ୍ ପ୍ରୟୋଗ ନହେବା ସମୟରେ ଚ୍ୟାନେଲଗୁଡିକ ପରିଚାଳନା ହୋଇଥାଏ (ଗେଟ୍ ଉତ୍ସ ଭୋଲଟେଜ୍ ଶୂନ୍ୟ) |

MOSFET ର କାର୍ଯ୍ୟର ନୀତି ହେଉଛି, "ପ୍ରେରିତ ଚାର୍ଜ" ଦ୍ formed ାରା ଗଠିତ କଣ୍ଡକ୍ଟିଭ୍ ଚ୍ୟାନେଲର ସ୍ଥିତିକୁ ପରିବର୍ତ୍ତନ କରିବା ପାଇଁ ଏବଂ ପରେ ଡ୍ରେନ୍ କରେଣ୍ଟକୁ ନିୟନ୍ତ୍ରଣ କରିବାର ଉଦ୍ଦେଶ୍ୟ ହାସଲ କରିବା ପାଇଁ VGS ବ୍ୟବହାର କରି "ପ୍ରେରିତ ଚାର୍ଜ" ର ପରିମାଣକୁ ନିୟନ୍ତ୍ରଣ କରିବା | ଟ୍ୟୁବ୍ ଉତ୍ପାଦନରେ, ବହୁ ସଂଖ୍ୟକ ସକରାତ୍ମକ ଆୟନର ଆବିର୍ଭାବରେ ସ୍ତରର ଇନସୁଲେଟିଂ ପ୍ରକ୍ରିୟା ମାଧ୍ୟମରେ, ତେଣୁ ଇଣ୍ଟରଫେସର ଅନ୍ୟ ପାର୍ଶ୍ୱରେ ଅଧିକ ନକାରାତ୍ମକ ଚାର୍ଜ ସୃଷ୍ଟି ହୋଇପାରେ, ଏହି ନକାରାତ୍ମକ ଚାର୍ଜଗୁଡ଼ିକ N ରେ ଅପରିଷ୍କାରର ଉଚ୍ଚ ଅନୁପ୍ରବେଶ ପାଇଁ | ଏକ କଣ୍ଡକ୍ଟିଭ୍ ଚ୍ୟାନେଲ୍ ଗଠନ ସହିତ ସଂଯୁକ୍ତ ଅଞ୍ଚଳ, VGS = 0 ରେ ମଧ୍ୟ ଏକ ବଡ଼ ଲିକେଜ୍ କରେଣ୍ଟ୍ ID ଅଛି | ଯେତେବେଳେ ଗେଟ୍ ଭୋଲଟେଜ୍ ପରିବର୍ତ୍ତନ ହୁଏ, ଚ୍ୟାନେଲରେ ପ୍ରେରିତ ଚାର୍ଜର ପରିମାଣ ମଧ୍ୟ ପରିବର୍ତ୍ତନ ହୁଏ, ଏବଂ ଚ୍ୟାନେଲର କଣ୍ଡକ୍ଟିଭ୍ ଚ୍ୟାନେଲର ମୋଟେଇ ଏବଂ ସଂକୀର୍ଣ୍ଣତା, ଏବଂ ଏହିପରି ଗେଟ୍ ଭୋଲଟେଜ୍ ସହିତ ଲିକେଜ୍ କରେଣ୍ଟ୍ ID | ଗେଟ୍ ଭୋଲଟେଜ୍ ସହିତ ସାମ୍ପ୍ରତିକ ID ଭିନ୍ନ ହୋଇଥାଏ |

ବର୍ତ୍ତମାନ ପ୍ରୟୋଗ |MOSFETଆମର ଜୀବନଶ improving ଳୀରେ ଉନ୍ନତି ଆଣିବା ସହିତ ଲୋକଙ୍କ ଶିକ୍ଷା, କାର୍ଯ୍ୟ ଦକ୍ଷତା ବହୁଗୁଣିତ କରିଛି | କିଛି ସରଳ ବୁ understanding ାମଣା ମାଧ୍ୟମରେ ଆମର ଏହା ଉପରେ ଅଧିକ ଯୁକ୍ତିଯୁକ୍ତ ବୁ understanding ାମଣା ଅଛି | ଏହା କେବଳ ଏକ ଉପକରଣ ଭାବରେ ବ୍ୟବହୃତ ହେବ ନାହିଁ, ଏହାର ବ characteristics ଶିଷ୍ଟ୍ୟଗୁଡିକ, କାର୍ଯ୍ୟର ନୀତି ବିଷୟରେ ଅଧିକ ବୁ understanding ିବା, ଯାହା ଆମକୁ ବହୁତ ମଜା ମଧ୍ୟ ଦେବ |