MOSFET ଚୟନ ଉପରେ ଗୁରୁତ୍ୱପୂର୍ଣ୍ଣ ପଦକ୍ଷେପ

ଆଜିକାଲି, ବିଜ୍ଞାନ ଏବଂ ପ୍ରଯୁକ୍ତିବିଦ୍ୟାର ଦ୍ରୁତ ବିକାଶ ସହିତ ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟରଗୁଡ଼ିକ ଅଧିକରୁ ଅଧିକ ଶିଳ୍ପରେ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ, ଯେଉଁଥିରେMOSFET ଏହା ମଧ୍ୟ ଏକ ସାଧାରଣ ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ଉପକରଣ ଭାବରେ ବିବେଚନା କରାଯାଏ, ପରବର୍ତ୍ତୀ ପଦକ୍ଷେପ ହେଉଛି ଦ୍ୱିପାକ୍ଷିକ ପାୱାର ସ୍ଫଟିକ୍ ଟ୍ରାନଜିଷ୍ଟରର ଗୁଣ ଏବଂ ଆଉଟପୁଟ୍ ପାୱାର୍ MOSFET ମଧ୍ୟରେ ପାର୍ଥକ୍ୟ କ’ଣ ତାହା ବୁ to ିବା |

1, କାର୍ଯ୍ୟର ମାର୍ଗ

MOSFET ହେଉଛି ଅପରେଟିଂ ଭୋଲଟେଜକୁ ପ୍ରୋତ୍ସାହିତ କରିବା ପାଇଁ ଆବଶ୍ୟକ କାର୍ଯ୍ୟ, ସର୍କିଟ ଚିତ୍ରଗୁଡ଼ିକ ଅପେକ୍ଷାକୃତ ସରଳ ବର୍ଣ୍ଣନା କରେ, ଛୋଟ ଶକ୍ତିକୁ ପ୍ରୋତ୍ସାହିତ କରେ | ପାୱାର୍ ସ୍ଫଟିକ୍ ଟ୍ରାନଜିଷ୍ଟର ହେଉଛି ଏକ ଡିଜାଇନ୍ ଯାହା ପ୍ରୋଗ୍ରାମ ଡିଜାଇନ୍ କୁ ପ୍ରୋତ୍ସାହିତ କରିବା ଅଧିକ ଜଟିଳ ଅଟେ, ସ୍ପେସିଫିକେସନ୍ କୁ ପ୍ରୋତ୍ସାହିତ କରିବା କଷ୍ଟକର ପସନ୍ଦର ସ୍ପେସିଫିକେସନ୍ କୁ ପ୍ରୋତ୍ସାହିତ କରିବା ବିଦ୍ୟୁତ୍ ଯୋଗାଣ ସମୁଦାୟ ସୁଇଚ୍ ସ୍ପିଡ୍ ପ୍ରତି ବିପଦ ସୃଷ୍ଟି କରିବ |

2, ବିଦ୍ୟୁତ୍ ଯୋଗାଣର ମୋଟ ସୁଇଚ୍ ସ୍ପିଡ୍ |

ତାପମାତ୍ରା ଦ୍ୱାରା ପ୍ରଭାବିତ MOSFET ଛୋଟ, ବିଦ୍ୟୁତ୍ ଯୋଗାଣ ସୁଇଚ୍ ଆଉଟପୁଟ୍ ଶକ୍ତି ନିଶ୍ଚିତ କରିପାରିବ ଯେ 150KHz ରୁ ଅଧିକ; ପାୱାର୍ ସ୍ଫଟିକ୍ ଟ୍ରାନଜିଷ୍ଟରର ବହୁତ କମ୍ ମାଗଣା ଚାର୍ଜ ଷ୍ଟୋରେଜ୍ ସମୟ ଏହାର ବିଦ୍ୟୁତ୍ ଯୋଗାଣ ସୁଇଚ୍ ସ୍ପିଡ୍ ସୀମିତ କରେ, କିନ୍ତୁ ଏହାର ଆଉଟପୁଟ୍ ଶକ୍ତି ସାଧାରଣତ 50 50KHz ରୁ ଅଧିକ ନୁହେଁ |

3, ନିରାପଦ କାର୍ଯ୍ୟ କ୍ଷେତ୍ର |

ଶକ୍ତି MOSFET | ଏହାର କ secondary ଣସି ଦଳୀୟ ଭିତ୍ତି ନାହିଁ, ଏବଂ ନିରାପଦ କାର୍ଯ୍ୟ କ୍ଷେତ୍ର ପ୍ରଶସ୍ତ; ପାୱାର୍ ସ୍ଫଟିକ୍ ଟ୍ରାନଜିଷ୍ଟରର ଏକ ଦ୍ secondary ିତୀୟ ଆଧାର ସ୍ଥିତି ଅଛି, ଯାହା ସୁରକ୍ଷିତ କାର୍ଯ୍ୟ କ୍ଷେତ୍ରକୁ ସୀମିତ କରେ |

4, ଇଲେକ୍ଟ୍ରିକାଲ୍ କଣ୍ଡକ୍ଟର କାର୍ଯ୍ୟ ଆବଶ୍ୟକତା କାର୍ଯ୍ୟ ଭୋଲଟେଜ୍ |

ଶକ୍ତିMOSFET ହାଇ ଭୋଲଟେଜ୍ ପ୍ରକାରର ଅଟେ, କଣ୍ଡକ୍ଟେସନ୍ କାର୍ଯ୍ୟ ଆବଶ୍ୟକତା କାର୍ଯ୍ୟ ଭୋଲଟେଜ୍ ଅଧିକ, ସେଠାରେ ଏକ ସକରାତ୍ମକ ତାପମାତ୍ରା କୋଏଫିସିଏଣ୍ଟ୍ ଅଛି | ପାୱାର୍ ସ୍ଫଟିକ୍ ଟ୍ରାନଜିଷ୍ଟର, କାର୍ଯ୍ୟର ଆବଶ୍ୟକତା କାର୍ଯ୍ୟ ଭୋଲଟେଜ୍ ପ୍ରତି ଯେତେ ଟଙ୍କା ପ୍ରତିରୋଧ କରେ ନା କାହିଁକି, ଇଲେକ୍ଟ୍ରିକ୍ କଣ୍ଡକ୍ଟର କାର୍ଯ୍ୟ ଆବଶ୍ୟକତା କାର୍ଯ୍ୟ ଭୋଲଟେଜ୍ କମ୍ ଅଟେ, ଏବଂ ଏହାର ନକାରାତ୍ମକ ତାପମାତ୍ରା କୋଏଫିସିଏଣ୍ଟ୍ ଥାଏ |

5, ସର୍ବାଧିକ ଶକ୍ତି ପ୍ରବାହ |

ବିଦ୍ୟୁତ୍ ଯୋଗାଣ ସୁଇଚ୍ ଭାବରେ ବିଦ୍ୟୁତ୍ ଯୋଗାଣ ସର୍କିଟ୍ ବିଦ୍ୟୁତ୍ ଯୋଗାଣ ସର୍କିଟ୍ରେ ପାୱାର୍ MOSFET, ବିଦ୍ୟୁତ୍ ଯୋଗାଣ ସୁଇଚ୍ ଭାବରେ, କାର୍ଯ୍ୟ ଏବଂ ସ୍ଥିର କାର୍ଯ୍ୟରେ, ସର୍ବାଧିକ ବିଦ୍ୟୁତ୍ ପ୍ରବାହ କମ୍; ଏବଂ କାର୍ଯ୍ୟରେ ପାୱାର୍ ସ୍ଫଟିକ୍ ଟ୍ରାନଜିଷ୍ଟର ଏବଂ ମ middle ିରେ ସ୍ଥିର କାର୍ଯ୍ୟ, ସର୍ବାଧିକ ଶକ୍ତି ପ୍ରବାହ ଅଧିକ |

6, ଉତ୍ପାଦ ମୂଲ୍ୟ

ଶକ୍ତି MOSFET ର ମୂଲ୍ୟ ସାମାନ୍ୟ ଅଧିକ; ପାୱାର ସ୍ଫଟିକ୍ ଟ୍ରାଇଡ୍ର ମୂଲ୍ୟ ସାମାନ୍ୟ କମ୍ ଅଟେ |

、 ଅନୁପ୍ରବେଶ ପ୍ରଭାବ |

ଶକ୍ତି MOSFET ର କ penetration ଣସି ଅନୁପ୍ରବେଶ ପ୍ରଭାବ ନାହିଁ; ପାୱାର୍ ସ୍ଫଟିକ୍ ଟ୍ରାନଜିଷ୍ଟରର ଅନୁପ୍ରବେଶ ପ୍ରଭାବ ଅଛି |

8 、 ସୁଇଚ୍ କ୍ଷତି |

MOSFET ସୁଇଚ୍ କ୍ଷତି ଭଲ ନୁହେଁ; ପାୱାର୍ ସ୍ଫଟିକ୍ ଟ୍ରାନଜିଷ୍ଟର ସୁଇଚ୍ କ୍ଷତି ଅପେକ୍ଷାକୃତ ବଡ଼ |

ଏହା ସହିତ, ଅଧିକାଂଶ ଶକ୍ତି MOSFET ଇଣ୍ଟିଗ୍ରେଟେଡ୍ ଶକ୍ ଅବଶୋଷଣକାରୀ ଡାୟୋଡ୍ ହୋଇଥିବାବେଳେ ଦ୍ୱିପାକ୍ଷିକ ପାୱାର୍ ସ୍ଫଟିକ୍ ଟ୍ରାନଜିଷ୍ଟର ପ୍ରାୟ କ integr ଣସି ଇଣ୍ଟିଗ୍ରେଟେଡ୍ ଶକ୍ ଅବଶୋଷଣକାରୀ ଡାୟୋଡ୍ ନୁହେଁ | ଶକ୍ତି ପ୍ରବାହ ସୁରକ୍ଷା ଚ୍ୟାନେଲର | ସାଧାରଣ ଡାୟୋଡ୍ ସହିତ ଓଲଟା ପୁନରୁଦ୍ଧାର କରେଣ୍ଟ ପ୍ରବାହର ଅସ୍ତିତ୍ as ଭାବରେ ଶକ୍ ଅବଶୋଷିତ ଡାୟୋଡ୍ ରେ ଫିଲ୍ଡ ଇଫେକ୍ଟ ଟ୍ୟୁବ୍, ଏହି ସମୟରେ ଡ୍ରେନ୍ ନେବା ପାଇଁ ଗୋଟିଏ ପଟେ ଡାୟୋଡ୍ - ଉତ୍ସ ପୋଲ ପଜିଟିଭ୍ ମଧ୍ୟମ | ଅନ୍ୟପକ୍ଷରେ, ଅପରେଟିଂ ଭୋଲଟେଜର କାର୍ଯ୍ୟ ଆବଶ୍ୟକତା ବୃଦ୍ଧି, ଏବଂ ଓଲଟା ପୁନରୁଦ୍ଧାର କରେଣ୍ଟ ପ୍ରବାହ |