MOSFET ଗୁଡିକ କିପରି କାମ କରେ?

1, MOSFETପରିଚୟ

ଫିଲ୍ଡ ଇଫେକ୍ଟ ଟ୍ରାନଜିଷ୍ଟର ସଂକ୍ଷିପ୍ତକରଣ (FET)) ଟାଇଟଲ୍ MOSFET | ଅଳ୍ପ ସଂଖ୍ୟକ ବାହକ ଦ୍ heat ାରା ଉତ୍ତାପ ପରିଚାଳନାରେ ଅଂଶଗ୍ରହଣ କରିବାକୁ, ଯାହା ମଲ୍ଟି ପୋଲ୍ ଟ୍ରାନଜିଷ୍ଟର ଭାବରେ ମଧ୍ୟ ଜଣାଶୁଣା | ଏହା ଭୋଲଟେଜ୍ ମାଷ୍ଟରିଂ ପ୍ରକାର ସେମି-ସୁପରକଣ୍ଡକ୍ଟର ଯାନ୍ତ୍ରିକ ଅଟେ | ସେଠାରେ ଆଉଟପୁଟ୍ ପ୍ରତିରୋଧକତା ଅଧିକ (10 ^ 8 ~ 10 ^ 9Ω), କମ୍ ଶବ୍ଦ, କମ୍ ଶକ୍ତି ବ୍ୟବହାର, ଷ୍ଟାଟିକ୍ ପରିସର, ଏକୀଭୂତ ହେବା ସହଜ, କ second ଣସି ଦ୍ୱିତୀୟ ଭାଙ୍ଗିବା ଘଟଣା, ସମୁଦ୍ରର ବୀମା କାର୍ଯ୍ୟ ଏବଂ ଅନ୍ୟାନ୍ୟ ସୁବିଧା ବର୍ତ୍ତମାନ ବଦଳିଛି | ଶକ୍ତିଶାଳୀ ସହଯୋଗୀମାନଙ୍କର ଦ୍ୱିପାକ୍ଷିକ ଟ୍ରାନଜିଷ୍ଟର ଏବଂ ପାୱାର ଜଙ୍କସନ୍ ଟ୍ରାନଜିଷ୍ଟର |

2, MOSFET ବ characteristics ଶିଷ୍ଟ୍ୟଗୁଡିକ |

1, MOSFET ହେଉଛି ଏକ ଭୋଲ୍ଟେଜ୍ କଣ୍ଟ୍ରୋଲ୍ ଡିଭାଇସ୍, ଏହା VGS (ଗେଟ୍ ଉତ୍ସ ଭୋଲଟେଜ୍) କଣ୍ଟ୍ରୋଲ୍ ଆଇଡି (ଡ୍ରେନ୍ ଡିସି) ମାଧ୍ୟମରେ |

2, MOSFET ର |ଆଉଟପୁଟ୍ ଡିସି ପୋଲ ଛୋଟ, ତେଣୁ ଆଉଟପୁଟ୍ ପ୍ରତିରୋଧ ବହୁତ ବଡ |

3, ଉତ୍ତାପ ପରିଚାଳନା କରିବା ପାଇଁ ଏହା ଅଳ୍ପ ସଂଖ୍ୟକ ବାହକଙ୍କର ପ୍ରୟୋଗ, ତେଣୁ ତାଙ୍କର ସ୍ଥିରତାର ଏକ ଭଲ ମାପ ଅଛି;

4, ଏହା ବ the ଦୁତିକ ହ୍ରାସ କୋଏଫିସିଣ୍ଟେଣ୍ଟ୍ର ହ୍ରାସ ପଥକୁ ନେଇ ଗଠିତ, ଟ୍ରାଇଏଡ୍ ହ୍ରାସ କୋଏଫିସିଏଣ୍ଟ୍ର ହ୍ରାସ ପଥକୁ ନେଇ ଗଠିତ;

5, MOSFET ଆଣ୍ଟି-ବିକିରଣ କ୍ଷମତା;

6, ଶବ୍ଦର ଛିନ୍ନ ଭିନ୍ନ କଣିକା ଦ୍ caused ାରା ସୃଷ୍ଟି ହୋଇଥିବା ଅଲିଗନ୍ ବିଚ୍ଛେଦର ଏକ ତ୍ରୁଟିପୂର୍ଣ୍ଣ କାର୍ଯ୍ୟକଳାପର ଅନୁପସ୍ଥିତି ହେତୁ, ଶବ୍ଦ କମ୍ ଅଟେ |

3, MOSFET ଟାସ୍କ ନୀତି |

MOSFET ର |ଗୋଟିଏ ବାକ୍ୟରେ ଅପରେଟିଂ ସିଦ୍ଧାନ୍ତ ହେଉଛି, “ଡ୍ରେନ୍ - ଗେଟ୍ ପାଇଁ ଚ୍ୟାନେଲ ଦେଇ ପ୍ରବାହିତ ID ଏବଂ ଗେଟ୍ ଭୋଲଟେଜ୍ ମାଷ୍ଟର ID ର ଓଲଟା ପକ୍ଷପାତ ଦ୍ୱାରା ଗଠିତ pn ଜଙ୍କସନ୍ ମଧ୍ୟରେ ଥିବା ଚ୍ୟାନେଲ ମଧ୍ୟରେ ଉତ୍ସ”, ସଠିକ୍ ଭାବରେ, ଆଇଡି ମୋଟେଇ ଦେଇ ପ୍ରବାହିତ ହେଉଛି | ପଥ, ଅର୍ଥାତ୍ ଚ୍ୟାନେଲ୍ କ୍ରସ୍-ସେକ୍ସନାଲ୍ ଏରିଆ, pn ଜଙ୍କସନର ଓଲଟା ପଦ୍ଧତିର ପରିବର୍ତ୍ତନ, ଯାହା ଏକ ହ୍ରାସ ସ୍ତର ଉତ୍ପାଦନ କରେ ବିସ୍ତାରିତ ପରିବର୍ତ୍ତନ ନିୟନ୍ତ୍ରଣର କାରଣ | VGS = 0 ର ଅସନ୍ତୁଳିତ ସମୁଦ୍ରରେ, ଯେହେତୁ ଡ୍ରେନ୍-ଉତ୍ସ ମଧ୍ୟରେ VDS ର ଚୁମ୍ବକୀୟ କ୍ଷେତ୍ରର ଯୋଗ ଅନୁଯାୟୀ, ପରିବର୍ତ୍ତନ ସ୍ତରର ବିସ୍ତାର ବହୁତ ବଡ ନୁହେଁ, ଉତ୍ସ ସମୁଦ୍ରର କିଛି ଇଲେକ୍ଟ୍ରନ୍ ଏହାକୁ ଟାଣି ନେଇଥାଏ | ଡ୍ରେନ୍, ଅର୍ଥାତ୍, ଡ୍ରେନ୍ ଠାରୁ ଉତ୍ସ ପର୍ଯ୍ୟନ୍ତ ଏକ DC ID କାର୍ଯ୍ୟକଳାପ ଅଛି | ଫାଟକରୁ ଡ୍ରେନ୍ ପର୍ଯ୍ୟନ୍ତ ବିସ୍ତାରିତ ମଧ୍ୟମ ସ୍ତର ଚ୍ୟାନେଲର ଏକ ସମ୍ପୂର୍ଣ୍ଣ ଶରୀରକୁ ଏକ ବ୍ଲକିଂ ପ୍ରକାର, ID ପୂର୍ଣ୍ଣ କରିଥାଏ | ଏହି ଫର୍ମକୁ ଏକ ପିଚ୍ ଅଫ୍ କଲ୍ କରନ୍ତୁ | ଡିସି ପାୱାର ପରିବର୍ତ୍ତେ ସଂପୂର୍ଣ୍ଣ ଅବରୋଧର ଚ୍ୟାନେଲକୁ ସ୍ଥାନାନ୍ତରଣ ସ୍ତରକୁ ପ୍ରତୀକ କରିବା |

ଯେହେତୁ ସ୍ଥାନାନ୍ତରଣ ସ୍ତରରେ ଇଲେକ୍ଟ୍ରନ୍ ଏବଂ ଛିଦ୍ରର କ free ଣସି ମୁକ୍ତ ଗତି ନାହିଁ, ଏହାର ଆଦର୍ଶ ରୂପରେ ପ୍ରାୟ ଇନସୁଲେଟିଂ ଗୁଣ ଅଛି, ଏବଂ ସାଧାରଣ କରେଣ୍ଟ ପ୍ରବାହିତ ହେବା କଷ୍ଟକର | କିନ୍ତୁ ତା’ପରେ ଡ୍ରେନ୍ ମଧ୍ୟରେ ଥିବା ବ electric ଦ୍ୟୁତିକ କ୍ଷେତ୍ର - ଉତ୍ସ, ବାସ୍ତବରେ, ଦୁଇଟି ଟ୍ରାନ୍ସମିସନ୍ ଲେୟାର୍ କଣ୍ଟାକ୍ଟ ଡ୍ରେନ୍ ଏବଂ ନିମ୍ନ ଭାଗ ନିକଟରେ ଗେଟ୍ ପୋଲ, କାରଣ ଡ୍ରାଇଫ୍ ଇଲେକ୍ଟ୍ରିକ୍ ଫିଲ୍ଡ ଟ୍ରାନ୍ସଫିସନ୍ ଲେୟାର ମାଧ୍ୟମରେ ହାଇ ସ୍ପିଡ୍ ଇଲେକ୍ଟ୍ରନ୍ଗୁଡ଼ିକୁ ଟାଣିଥାଏ | ଡ୍ରଫ୍ଟ ଫିଲ୍ଡର ତୀବ୍ରତା ପ୍ରାୟତ constant ID ଦୃଶ୍ୟର ପୂର୍ଣ୍ଣତା ଉତ୍ପାଦନ କରିଥାଏ |

ସର୍କିଟ ଏକ ଉନ୍ନତ P- ଚ୍ୟାନେଲ MOSFET ଏବଂ ଏକ ଉନ୍ନତ N- ଚ୍ୟାନେଲ MOSFET ର ମିଶ୍ରଣକୁ ବ୍ୟବହାର କରିଥାଏ | ଯେତେବେଳେ ଇନପୁଟ୍ କମ୍, P- ଚ୍ୟାନେଲ୍ MOSFET ପରିଚାଳନା କରେ ଏବଂ ଆଉଟପୁଟ୍ ବିଦ୍ୟୁତ୍ ଯୋଗାଣର ସକରାତ୍ମକ ଟର୍ମିନାଲ୍ ସହିତ ସଂଯୁକ୍ତ | ଯେତେବେଳେ ଇନପୁଟ୍ ଅଧିକ, N- ଚ୍ୟାନେଲ୍ MOSFET ପରିଚାଳନା କରେ ଏବଂ ଆଉଟପୁଟ୍ ବିଦ୍ୟୁତ୍ ଯୋଗାଣ ଗ୍ରାଉଣ୍ଡ ସହିତ ସଂଯୁକ୍ତ | ଏହି ସର୍କିଟ୍ ରେ, P- ଚ୍ୟାନେଲ୍ MOSFET ଏବଂ N- ଚ୍ୟାନେଲ୍ MOSFET ସର୍ବଦା ବିପରୀତ ଅବସ୍ଥାରେ କାର୍ଯ୍ୟ କରେ, ସେମାନଙ୍କର ପର୍ଯ୍ୟାୟ ଇନପୁଟ୍ ଏବଂ ଆଉଟପୁଟ୍ ଓଲଟା ହୋଇଯାଏ |