MOSFET ପରୀକ୍ଷଣର ପ୍ରବାହ |

Voor de detectie van MOSFET onderscheiden vier belangrijke aspecten:MOSFET lekkage, kortsluitfouten, ontkoppeling, versterking। ଆଲର୍ ଏନ୍ ୱେର୍ଷ୍ଟାଣ୍ଡସ୍ୱାର୍ଡେ, ମାର୍ ନିଟ୍ ଗେଡେଟେକ୍ଟର୍ଡ, MOSFET ଲେକ୍କେଜ୍ ଭୋରୱାର୍ଡେନ୍, ଡେ ହେଟ୍ ବେଲାଙ୍ଗ୍ରିଜକଷ୍ଟେ ଅନଡର୍ଜୋକ୍ କୁନେନ୍ ଆମେ ଭର୍ଜିଜେନ୍ ନାର୍ ହେଟ୍ ଭୋଲଗେଣ୍ଡେ ପ୍ରୋସେସ୍ uit te voeren:

1, ଡି ଲିଙ୍କ୍ ଗେଟ୍ ଏନ୍ ବ୍ରୋନ୍ ଭାନ୍ ଡି ୱେର୍ଷ୍ଟାଣ୍ଡ୍ ଭର୍ୱିଜର୍ଡ, ଡି ମଲ୍ଟିମିଟର ଚ ode ଼ି en zwarte pennen zal niet veranderen, als je beweegt de lekkage weerstand na de meter bar geleidelijk terug naar een hoge weerstand of oneindig, dan is de deMOSFET lekkage; zal niet veranderen is er geen probleem;

2, ଜାଲ୍ ଇନ୍ ଟ୍ରାନ୍ସମିସିଲିଜନ୍ ନାର୍ ଡି MOSFET ଗେଟ୍ ଏବଂ ବ୍ରୋନ୍ ପୋଲନ୍ ଏଲ୍କାର୍ ଭର୍ବୋଣ୍ଡେନ୍, ଆଲ୍ ଡି ଡିଜିଟାଲ୍ ମଲ୍ଟିମିଟର ନାଲ୍ଡ ଅନ୍ମିଡେଲିଜ୍ ଟେରୁଗ୍ ନାଅର୍ ୱାନିଣ୍ଡିଗ୍, ଡାନ୍ ହେଉଛି MOSFET ହେଉଛି ଜିନ୍ ସମସ୍ୟା;

3, ଡି ରୋଡ୍ ପେନ୍ ନାର୍ ଡି ବ୍ରୋନ୍ ଭାନ୍ ଦେ MOSFET S, ଡି ଜ୍ୱାର୍ଟ ପେନ୍ ନାୟାର ଦେ ଆଫଭୋର୍ ଭାନ୍ ଦେ MOSFET, ଇନ୍ ଗୋଏଡ୍ ମିଟର ଷ୍ଟିକ୍ ମାର୍କିଂ ମୋଟ୍ ଜିନ୍ ଗ୍ରୋଟ୍ ଆର୍ମେନ;

4, met een weerstand van 100KΩ-200KΩ verbonden met de gate en drain, en vervolgens de rode pen aan de bron van de MOSFET S, de zwarte pen aan de drain van MOSFET, op dit moment de waarde van de meterpaal markering ସମାପ୍ତ ହୋଇଛି | het algemeen zal 0 zijn, op het moment is onder de positieve electriciteit op base van deze weerstand ଆନ୍ ଡି MOSFET ଗେଟ୍ ବ୍ୟାଟେରିଜ୍ ଓପ୍ଲାଡେନ୍, ଡି ଗେଟ୍ ଇଲେକ୍ଟ୍ରିକ୍ ଭେଲ୍ଡରେ ୱାଟ୍ ରିସୁଲର୍ଟ, ଆଲ୍ ଜିଭୋଲ୍ଗ ଭାନ୍ ଇଲେକ୍ଟ୍ରିଶ୍ ଭେଲ୍ଡ ଫଳାଫଳ laden en ontladen kenmerken।