IGBT ଏବଂ MOSFET ମଧ୍ୟରେ ପାର୍ଥକ୍ୟ

IGBT (ଇନସୁଲେଟେଡ୍ ଗେଟ୍ ବାଇପୋଲାର୍ ଟ୍ରାନଜିଷ୍ଟର) ଏବଂ MOSFET (ମେଟାଲ୍-ଅକ୍ସାଇଡ୍-ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ଫିଲ୍ଡ-ଇଫେକ୍ଟ ଟ୍ରାନଜିଷ୍ଟର) ହେଉଛି ଦୁଇଟି ସାଧାରଣ ପାୱାର ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ଉପକରଣ ଯାହା ପାୱାର ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ସରେ ବହୁଳ ଭାବରେ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ | ବିଭିନ୍ନ ପ୍ରୟୋଗରେ ଉଭୟ ଜରୁରୀ ଉପାଦାନ ହୋଇଥିବାବେଳେ, ସେମାନେ ବିଭିନ୍ନ ଦିଗରେ ଯଥେଷ୍ଟ ଭିନ୍ନ ଅଟନ୍ତି | ନିମ୍ନରେ IGBT ଏବଂ MOSFET ମଧ୍ୟରେ ପ୍ରାଥମିକ ପାର୍ଥକ୍ୟ ଅଛି:

କାର୍ଯ୍ୟ ନୀତି

- IGBT: IGBT ଉଭୟ BJT (ଦ୍ୱିପାକ୍ଷିକ ଜଙ୍କସନ୍ ଟ୍ରାନଜିଷ୍ଟର) ଏବଂ MOSFET ର ବ characteristics ଶିଷ୍ଟ୍ୟକୁ ଏକତ୍ର କରି ଏହାକୁ ଏକ ହାଇବ୍ରିଡ୍ ଉପକରଣ ଭାବରେ ପରିଣତ କରେ | ଏହା ଏକ MOSFET ର ଗେଟ୍ ଭୋଲଟେଜ୍ ମାଧ୍ୟମରେ ବିଜେଡିର ଆଧାରକୁ ନିୟନ୍ତ୍ରଣ କରିଥାଏ, ଯାହା ପରବର୍ତ୍ତୀ ସମୟରେ ବିଜେଡିର ଚାଳନା ଏବଂ କଟଅଫକୁ ନିୟନ୍ତ୍ରଣ କରିଥାଏ | ଯଦିଓ ଏକ IGBT ର କଣ୍ଡକ୍ଟ ଏବଂ କଟଅଫ୍ ପ୍ରକ୍ରିୟା ଅପେକ୍ଷାକୃତ ଜଟିଳ, ଏଥିରେ କମ୍ କଣ୍ଡକ୍ଟେସନ୍ ଭୋଲଟେଜ୍ କ୍ଷତି ଏବଂ ହାଇ ଭୋଲଟେଜ୍ ସହନଶୀଳତା ରହିଛି |

- MOSFET: MOSFET ହେଉଛି ଏକ ଫିଲ୍ଡ-ଇଫେକ୍ଟ ଟ୍ରାନଜିଷ୍ଟର ଯାହା ଗେଟ୍ ଭୋଲଟେଜ୍ ମାଧ୍ୟମରେ ଏକ ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟରରେ କରେଣ୍ଟକୁ ନିୟନ୍ତ୍ରଣ କରେ | ଯେତେବେଳେ ଗେଟ୍ ଭୋଲଟେଜ୍ ଉତ୍ସ ଭୋଲଟେଜ୍ ଅତିକ୍ରମ କରେ, ଏକ କଣ୍ଡକ୍ଟିଭ୍ ସ୍ତର ସୃଷ୍ଟି ହୁଏ, ଯାହା କରେଣ୍ଟକୁ ପ୍ରବାହିତ କରିବାକୁ ଅନୁମତି ଦିଏ | ଅପରପକ୍ଷେ, ଯେତେବେଳେ ଗେଟ୍ ଭୋଲଟେଜ୍ ସୀମା ତଳେ ଥାଏ, କଣ୍ଡକ୍ଟିଭ୍ ସ୍ତର ଅଦୃଶ୍ୟ ହୁଏ, ଏବଂ କରେଣ୍ଟ ପ୍ରବାହିତ ହୋଇପାରିବ ନାହିଁ | ଦ୍ରୁତ ସୁଇଚ୍ ସ୍ପିଡ୍ ସହିତ ଏକ MOSFET ର କାର୍ଯ୍ୟ ଅପେକ୍ଷାକୃତ ସରଳ |

2। ପ୍ରୟୋଗ କ୍ଷେତ୍ରଗୁଡିକ |

- IGBT: ଏହାର ଉଚ୍ଚ ଭୋଲଟେଜ୍ ସହନଶୀଳତା, କମ୍ କଣ୍ଡକ୍ଟେସନ୍ ଭୋଲଟେଜ୍ କ୍ଷତି ଏବଂ ଦ୍ରୁତ ସୁଇଚ୍ କାର୍ଯ୍ୟଦକ୍ଷତା ହେତୁ IGBT ଉଚ୍ଚ ଶକ୍ତି, ସ୍ୱଳ୍ପ କ୍ଷୟକ୍ଷତି ପ୍ରୟୋଗ ଯେପରିକି ଇନଭର୍ଟର, ମୋଟର ଡ୍ରାଇଭର, ୱେଲଡିଂ ମେସିନ୍ ଏବଂ ନିରବଚ୍ଛିନ୍ନ ବିଦ୍ୟୁତ୍ ଯୋଗାଣ (UPS) ପାଇଁ ବିଶେଷ ଉପଯୁକ୍ତ ଅଟେ | । ଏହି ପ୍ରୟୋଗଗୁଡ଼ିକରେ, IGBT ଉଚ୍ଚ-ଭୋଲଟେଜ୍ ଏବଂ ହାଇ-କରେଣ୍ଟ୍ ସୁଇଚ୍ ଅପରେସନ୍ଗୁଡ଼ିକୁ ଦକ୍ଷତାର ସହିତ ପରିଚାଳନା କରେ |

- MOSFET: ଏହାର ଦ୍ରୁତ ପ୍ରତିକ୍ରିୟା, ଉଚ୍ଚ ଇନପୁଟ୍ ପ୍ରତିରୋଧ, ସ୍ଥିର ସୁଇଚ୍ କାର୍ଯ୍ୟଦକ୍ଷତା ଏବଂ ସ୍ୱଳ୍ପ ମୂଲ୍ୟ ସହିତ MOSFET, ସ୍ୱଳ୍ପ ଶକ୍ତି, ଦ୍ରୁତ-ସୁଇଚ୍ ପ୍ରୟୋଗଗୁଡ଼ିକରେ ସ୍ୱିଚ୍-ମୋଡ୍ ଶକ୍ତି ଯୋଗାଣ, ଆଲୋକ, ଅଡିଓ ଏମ୍ପ୍ଲାଇଫର୍ ଏବଂ ଲଜିକ୍ ସର୍କିଟ୍ରେ ବହୁଳ ଭାବରେ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ | । ଲୋ-ପାୱାର୍ ଏବଂ ଲୋ-ଭୋଲଟେଜ୍ ପ୍ରୟୋଗଗୁଡ଼ିକରେ MOSFET ଅତ୍ୟନ୍ତ ଭଲ ପ୍ରଦର୍ଶନ କରେ |

3। କାର୍ଯ୍ୟଦକ୍ଷତା ଗୁଣ

- IGBT: IGBT ଉଚ୍ଚ-ଭୋଲଟେଜ୍, ଉଚ୍ଚ-କରେଣ୍ଟ୍ ପ୍ରୟୋଗଗୁଡ଼ିକରେ କମ୍ ଚାଳନା କ୍ଷତି ସହିତ ମହତ୍ power ପୂର୍ଣ୍ଣ ଶକ୍ତି ପରିଚାଳନା କରିବାର କ୍ଷମତା ହେତୁ ଅଧିକ, କିନ୍ତୁ MOSFET ତୁଳନାରେ ଏହାର ମନ୍ଥର ସୁଇଚ୍ ସ୍ପିଡ୍ ଅଛି |

- MOSFET: ଦ୍ରୁତ ସୁଇଚ୍ ସ୍ପିଡ୍, ଲୋ-ଭୋଲଟେଜ୍ ପ୍ରୟୋଗଗୁଡ଼ିକରେ ଅଧିକ ଦକ୍ଷତା ଏବଂ ଉଚ୍ଚ ସୁଇଚ୍ ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସିରେ କମ୍ ଶକ୍ତି କ୍ଷତି ଦ୍ୱାରା MOSFET ଗୁଡିକ ବର୍ଣ୍ଣିତ |

ଅଦଳବଦଳ

IGBT ଏବଂ MOSFET ବିଭିନ୍ନ ଉଦ୍ଦେଶ୍ୟରେ ଡିଜାଇନ୍ ଏବଂ ବ୍ୟବହୃତ ହୋଇଛି ଏବଂ ସାଧାରଣତ inter ଅଦଳବଦଳ ହୋଇପାରିବ ନାହିଁ | କେଉଁ ଉପକରଣ ବ୍ୟବହାର କରାଯିବ ତାହା ନିର୍ଦ୍ଦିଷ୍ଟ ପ୍ରୟୋଗ, କାର୍ଯ୍ୟଦକ୍ଷତା ଆବଶ୍ୟକତା ଏବଂ ମୂଲ୍ୟ ବିଚାର ଉପରେ ନିର୍ଭର କରେ |

ସିଦ୍ଧାନ୍ତ

IGBT ଏବଂ MOSFET କାର୍ଯ୍ୟ ନୀତି, ପ୍ରୟୋଗ କ୍ଷେତ୍ର ଏବଂ କାର୍ଯ୍ୟଦକ୍ଷତା ବ characteristics ଶିଷ୍ଟ୍ୟ ଦୃଷ୍ଟିରୁ ଭିନ୍ନ ଅଟେ | ଏହି ପାର୍ଥକ୍ୟଗୁଡ଼ିକୁ ବୁ power ିବା ଶକ୍ତି ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ସ ଡିଜାଇନ୍ ପାଇଁ ଉପଯୁକ୍ତ ଉପକରଣ ବାଛିବାରେ ସାହାଯ୍ୟ କରିଥାଏ, ସର୍ବୋତ୍କୃଷ୍ଟ କାର୍ଯ୍ୟଦକ୍ଷତା ଏବଂ ମୂଲ୍ୟ-ଦକ୍ଷତା ସୁନିଶ୍ଚିତ କରେ |