MOSFET ଉତ୍ତାପ ଉତ୍ପାଦନର ଗୁରୁତ୍ୱପୂର୍ଣ୍ଣ କାରଣଗୁଡ଼ିକର ବିଶ୍ଳେଷଣ |

N ପ୍ରକାର, P ପ୍ରକାର MOSFET କାର୍ଯ୍ୟର ନୀତି ସମାନ, MOSFET ମୁଖ୍ୟତ the ଡ୍ରେନ୍ କରେଣ୍ଟ୍ର ଆଉଟପୁଟ୍ ପାର୍ଶ୍ୱକୁ ସଫଳତାର ସହିତ ନିୟନ୍ତ୍ରଣ କରିବା ପାଇଁ ଗେଟ୍ ଭୋଲଟେଜ୍ ର ଇନପୁଟ୍ ପାର୍ଶ୍ୱରେ ଯୋଡା ଯାଇଥାଏ, MOSFET ହେଉଛି ଏକ ଭୋଲ୍ଟେଜ୍ ନିୟନ୍ତ୍ରିତ ଉପକରଣ, ଭୋଲ୍ଟେଜ୍ ମାଧ୍ୟମରେ | ଡିଭାଇସ୍ ର ବ characteristics ଶିଷ୍ଟ୍ୟଗୁଡିକ ନିୟନ୍ତ୍ରଣ କରିବାକୁ ଗେଟ୍ କୁ, ଚାର୍ଜ ଷ୍ଟୋରେଜ୍ ଇଫେକ୍ଟ ଦ୍ caused ାରା ସୃଷ୍ଟି ହୋଇଥିବା ବେସ୍ କରେଣ୍ଟ୍ କାରଣରୁ ସୁଇଚ୍ ସମୟ କରିବାକୁ ଟ୍ରାଇଏଡ୍ ପରି, ପ୍ରୟୋଗଗୁଡ଼ିକ ସୁଇଚ୍ କରିବାରେ, MOSFET ର ପ୍ରୟୋଗଗୁଡ଼ିକ ସୁଇଚ୍ କରିବାରେ,MOSFET ର | ତ୍ରିକୋଣୀୟ ତୁଳନାରେ ସୁଇଚ୍ ସ୍ପିଡ୍ ଦ୍ରୁତ ଅଟେ |

ସୁଇଚ୍ ପାୱାର୍ ଯୋଗାଣରେ, ସାଧାରଣତ used ବ୍ୟବହୃତ MOSFET ଓପନ୍ ଡ୍ରେନ୍ ସର୍କିଟ୍ ରେ, ଡ୍ରେନ୍ ଭାର ସହିତ ସଂଯୁକ୍ତ, ଯାହାକୁ ଖୋଲା ଡ୍ରେନ୍, ଓପନ୍ ଡ୍ରେନ୍ ସର୍କିଟ୍ କୁହାଯାଏ, ଲୋଡ୍ ଭୋଲ୍ଟେଜ୍ କେତେ ଉଚ୍ଚ, ଟର୍ନ୍ ଅନ୍, ଅଫ୍ କରିବାକୁ ସକ୍ଷମ ଅଟେ | ଲୋଡ୍ କରେଣ୍ଟ୍ ହେଉଛି ଏକ ଆଦର୍ଶ ଆନାଗଲ୍ ସୁଇଚ୍ ଡିଭାଇସ୍, ଯାହାକି ସୁଇଚ୍ ଡିଭାଇସ୍ କରିବା ପାଇଁ MOSFET ର ନୀତି, ଅଧିକ ସର୍କିଟ୍ ଆକାରରେ ସୁଇଚ୍ କରିବାକୁ MOSFET |

ବିଦ୍ୟୁତ୍ ଯୋଗାଣ ପ୍ରୟୋଗଗୁଡ଼ିକ ସୁଇଚ୍ କରିବା କ୍ଷେତ୍ରରେ, ଏହି ପ୍ରୟୋଗ ଆବଶ୍ୟକ କରେ | MOSFETs | ମ period ଳିକ ବକ୍ କନଭର୍ଟରରେ ସାଧାରଣତ used ବ୍ୟବହୃତ ହେଉଥିବା DC-DC ବିଦ୍ୟୁତ ଯୋଗାଣ ପରି, ସ୍ୱିଚିଂ ଫଙ୍କସନ୍ କରିବା ପାଇଁ ଦୁଇଟି MOSFET ଉପରେ ନିର୍ଭର କରେ, ଶହ ଶହ kHz କିମ୍ବା ଏପରିକି 1 MHz ରୁ ଅଧିକ, ମୁଖ୍ୟତ because ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସି ଯେତେ ଅଧିକ, ଚୁମ୍ବକୀୟ ଉପାଦାନଗୁଡ଼ିକ ଛୋଟ | ସାଧାରଣ କାର୍ଯ୍ୟ ସମୟରେ, MOSFET ଏକ କଣ୍ଡକ୍ଟର ସହିତ ସମାନ, ଉଦାହରଣ ସ୍ୱରୂପ, ଉଚ୍ଚ ଶକ୍ତି ବିଶିଷ୍ଟ MOSFET, କ୍ଷୁଦ୍ର-ଭୋଲଟେଜ୍ MOSFET, ସର୍କିଟ୍, ବିଦ୍ୟୁତ୍ ଯୋଗାଣ ହେଉଛି MOS ର ସର୍ବନିମ୍ନ ଚାଳନା କ୍ଷତି |

MOSFET PDF ପାରାମିଟରଗୁଡିକ, MOSFET ନିର୍ମାତାମାନେ ଅନ୍-ଷ୍ଟେଟ୍ ପ୍ରତିରୋଧକୁ ବ୍ୟାଖ୍ୟା କରିବାକୁ RDS (ON) ପାରାମିଟରକୁ ସଫଳତାର ସହିତ ଗ୍ରହଣ କରିଛନ୍ତି, ପ୍ରୟୋଗଗୁଡ଼ିକ ସୁଇଚ୍ କରିବା ପାଇଁ, RDS (ON) ହେଉଛି ସବୁଠାରୁ ଗୁରୁତ୍ୱପୂର୍ଣ୍ଣ ଉପକରଣ ଚରିତ୍ର; ଡାଟାସିଟ୍ ଗୁଡିକ RDS (ON) କୁ ବ୍ୟାଖ୍ୟା କରେ, ଗେଟ୍ (କିମ୍ବା ଡ୍ରାଇଭ୍) ଭୋଲଟେଜ୍ VGS ଏବଂ ସୁଇଚ୍ ମାଧ୍ୟମରେ ପ୍ରବାହିତ କରେଣ୍ଟ ସମ୍ବନ୍ଧୀୟ, ପର୍ଯ୍ୟାପ୍ତ ଗେଟ୍ ଡ୍ରାଇଭ୍ ପାଇଁ, RDS (ON) ଏକ ଅପେକ୍ଷାକୃତ ସ୍ଥିର ପାରାମିଟର ଅଟେ | ଚାଳନାରେ ଥିବା MOSFET ଗୁଡିକ ଉତ୍ତାପ ଉତ୍ପାଦନ ପାଇଁ ପ୍ରବୃତ୍ତ, ଏବଂ ଧିରେ ଧିରେ ଜଙ୍କସନ ତାପମାତ୍ରା RDS (ON) ର ବୃଦ୍ଧି ଘଟାଇପାରେ |MOSFET ଡାଟାସିଟ୍ ଥର୍ମାଲ୍ ଇମ୍ପେଡାନ୍ସ ପାରାମିଟର ନିର୍ଦ୍ଦିଷ୍ଟ କରେ, ଯାହାକି MOSFET ପ୍ୟାକେଜ୍ ର ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ଜଙ୍କସନର ଉତ୍ତାପ ବିସ୍ତାର କରିବାର କ୍ଷମତା ଭାବରେ ବ୍ୟାଖ୍ୟା କରାଯାଇଥାଏ, ଏବଂ RθJC କେବଳ ଜଙ୍କସନ-ଟୁ-କେସ୍ ଥର୍ମାଲ୍ ଇମ୍ପେଡାନ୍ସ ଭାବରେ ବ୍ୟାଖ୍ୟା କରାଯାଇଥାଏ |

1, ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସି ଅତ୍ୟଧିକ ଉଚ୍ଚ, ବେଳେବେଳେ ଭଲ୍ୟୁମକୁ ଅଧିକ ଅନୁସରଣ କରିବା, ସିଧାସଳଖ ଉଚ୍ଚ ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସି ଆଡକୁ ଗତି କରିବ, କ୍ଷତି ଉପରେ MOSFET ବ increases ିବ, ଉତ୍ତାପ ଅଧିକ ହେବ, ପର୍ଯ୍ୟାପ୍ତ ଉତ୍ତାପ ବିସ୍ତାର ଡିଜାଇନ୍, ଉଚ୍ଚ କରେଣ୍ଟ, ନାମକରଣର ଭଲ କାମ କରିବ ନାହିଁ | MOSFET ର ସାମ୍ପ୍ରତିକ ମୂଲ୍ୟ, ହାସଲ କରିବାକୁ ସକ୍ଷମ ହେବା ପାଇଁ ଭଲ ଉତ୍ତାପ ବିସ୍ତାରର ଆବଶ୍ୟକତା; ID ସର୍ବାଧିକ କରେଣ୍ଟ ଠାରୁ କମ୍, ଗମ୍ଭୀର ଉତ୍ତାପ ହୋଇପାରେ, ପର୍ଯ୍ୟାପ୍ତ ସହାୟକ ହେଟ୍ସିଙ୍କ ଆବଶ୍ୟକତା |

2, MOSFET ଚୟନ ତ୍ରୁଟି ଏବଂ ଶକ୍ତି ବିଚାରରେ ତ୍ରୁଟି, MOSFET ଆଭ୍ୟନ୍ତରୀଣ ପ୍ରତିରୋଧକୁ ସମ୍ପୂର୍ଣ୍ଣ ଭାବରେ ବିବେଚନା କରାଯାଏ ନାହିଁ, MOSFET ଗରମ ସମସ୍ୟାର ମୁକାବିଲା କରିବା ସମୟରେ ସିଧାସଳଖ ସୁଇଚ୍ ପ୍ରତିରୋଧକୁ ବ lead ାଇଥାଏ |

3, ସର୍କିଟ୍ ଡିଜାଇନ୍ ସମସ୍ୟା ହେତୁ, ଉତ୍ତାପରେ ପରିଣତ ହୁଏ, ଯାହାଫଳରେ MOSFET ଏକ ର ar ଖ୍ୟ ଅପରେଟିଂ ସ୍ଥିତିରେ କାମ କରେ, ସୁଇଚ୍ ସ୍ଥିତିରେ ନୁହେଁ, ଯାହା MOSFET ଉତ୍ତାପର ସିଧାସଳଖ କାରଣ ଅଟେ, ଉଦାହରଣ ସ୍ୱରୂପ, N-MOS ସୁଇଚ୍, G- ଲେଭଲ୍ ଭୋଲଟେଜ୍ ବିଦ୍ୟୁତ୍ ଯୋଗାଣଠାରୁ ଅଳ୍ପ କିଛି V ଦ୍ୱାରା ଅଧିକ ହେବା ଆବଶ୍ୟକ, ସଂପୂର୍ଣ୍ଣ ଭାବରେ ଚାଳନା କରିବାକୁ ସକ୍ଷମ ହେବାକୁ, P-MOS ଅଲଗା; ସମ୍ପୂର୍ଣ୍ଣ ଖୋଲା ଅନୁପସ୍ଥିତିରେ, ଭୋଲଟେଜ୍ ଡ୍ରପ୍ ବହୁତ ବଡ, ଯାହା ବିଦ୍ୟୁତ୍ ବ୍ୟବହାରରେ ପରିଣତ ହେବ, ସମାନ ଡିସି ପ୍ରତିରୋଧ ଅଧିକ ହେବ, ଭୋଲଟେଜ୍ ଡ୍ରପ୍ ମଧ୍ୟ ବୃଦ୍ଧି ପାଇବ, U * ମୁଁ ମଧ୍ୟ ବୃଦ୍ଧି କରିବି, କ୍ଷତି ଉତ୍ତାପକୁ ନେଇଯିବ |