WSD80120DN56 N- ଚ୍ୟାନେଲ 85V 120A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET
WINSOK MOSFET ଉତ୍ପାଦ ସମୀକ୍ଷା |
WSD80120DN56 MOSFET ର ଭୋଲଟେଜ୍ ହେଉଛି 85V, କରେଣ୍ଟ ହେଉଛି 120A, ପ୍ରତିରୋଧ ହେଉଛି 3.7mΩ, ଚ୍ୟାନେଲଟି N- ଚ୍ୟାନେଲ ଏବଂ ପ୍ୟାକେଜ୍ ହେଉଛି DFN5X6-8 |
WINSOK MOSFET ପ୍ରୟୋଗ କ୍ଷେତ୍ରଗୁଡିକ |
ମେଡିକାଲ୍ ଭୋଲଟେଜ୍ MOSFET, ଫଟୋଗ୍ରାଫିକ୍ ଉପକରଣ MOSFET, ଡ୍ରୋନ୍ MOSFET, ଶିଳ୍ପ ନିୟନ୍ତ୍ରଣ MOSFET, 5G MOSFET, ଅଟୋମୋବାଇଲ୍ ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ସ MOSFET |
WINSOK MOSFET ଅନ୍ୟ ବ୍ରାଣ୍ଡ ସାମଗ୍ରୀ ସଂଖ୍ୟା ସହିତ ଅନୁରୂପ ଅଟେ |
AOS MOSFET AON6276, AONS62814T.STMicroelectronics MOSFET STL13N8F7, STL135N8F7AG |
MOSFET ପାରାମିଟରଗୁଡିକ |
| ପ୍ରତୀକ | ପାରାମିଟର | ମୂଲ୍ୟାୟନ | ୟୁନିଟ୍ସ |
| VDS | ଡ୍ରେନ୍-ଉତ୍ସ ଭୋଲଟେଜ୍ | | 85 | V |
| VGS | ଗେଟ୍-ସୋrce ଭୋଲଟେଜ୍ | ±25 | V |
| ID@TC= 25℃ | କ୍ରମାଗତ ଡ୍ରେନ୍ କରେଣ୍ଟ୍, ଭିGS@ 10V | 120 | A |
| ID@TC= 100℃ | କ୍ରମାଗତ ଡ୍ରେନ୍ କରେଣ୍ଟ୍, ଭିGS@ 10V | 96 | A |
| IDM | ପଲ୍ସଡ୍ ଡ୍ରେନ୍ କରେଣ୍ଟ୍ |..TC= 25 ° C | 384 | A |
| EAS | ଆଭାଲଚେନ୍ ଶକ୍ତି, ଏକକ ନାଡ, L = 0.5mH | | 320 | mJ |
| IAS | ଆଭାଲଚେନ୍ କରେଣ୍ଟ୍, ଏକକ ନାଡ, L = 0.5mH | | 180 | A |
| PD@TC= 25℃ | ସମୁଦାୟ ଶକ୍ତି ବିସ୍ତାର | | 104 | W |
| PD@TC= 100℃ | ସମୁଦାୟ ଶକ୍ତି ବିସ୍ତାର | | 53 | W |
| TSTG | ସଂରକ୍ଷଣ ତାପମାତ୍ରା ପରିସର | | -55 ରୁ 175 | ℃ |
| TJ | ଅପରେଟିଂ ଜଙ୍କସନ ତାପମାତ୍ରା ପରିସର | | 175 | ℃ |
| ପ୍ରତୀକ | ପାରାମିଟର | ସର୍ତ୍ତଗୁଡିକ | ମିନିଟ୍ | ଟାଇପ୍ କରନ୍ତୁ | | ସର୍ବାଧିକ | ୟୁନିଟ୍ |
| BVDSS | ଡ୍ରେନ୍-ଉତ୍ସ ବ୍ରେକଡାଉନ୍ ଭୋଲଟେଜ୍ | | VGS= 0V, ମୁଁD= 250uA | 85 | --- | --- | V |
| △BVDSS / △ TJ | | BVDSSତାପମାତ୍ରା କୋଏଫିସିଏଣ୍ଟ୍ | | 25 କୁ ସନ୍ଦର୍ଭ℃, ମୁଁD= 1mA | --- | 0.096 | --- | V/℃ |
| RDS (ON) | ଷ୍ଟାଟିକ୍ ଡ୍ରେନ୍-ଉତ୍ସ ଅନ-ପ୍ରତିରୋଧ | | VGS= 10V, ମୁଁD= 50A | --- | 3.7 | 4.8 | mΩ |
| VGS (th) | ଗେଟ୍ ଥ୍ରେସହୋଲ୍ଡ ଭୋଲଟେଜ୍ | | VGS=VDS, ମୁଁD= 250uA | 2.0 | .0.୦ | 4.0 | V |
| △VGS (th) | VGS (th)ତାପମାତ୍ରା କୋଏଫିସିଏଣ୍ଟ୍ | | --- | -5.5 | --- | mV /℃ | |
| IDSS | ଡ୍ରେନ୍-ଉତ୍ସ ଲିକେଜ୍ କରେଣ୍ଟ୍ | | VDS= 85V, VGS= 0V, TJ= 25℃ | --- | --- | 1 | uA |
| VDS= 85V, VGS= 0V, TJ= 55℃ | --- | --- | 10 | |||
| IGSS | ଗେଟ୍-ଉତ୍ସ ଲିକେଜ୍ କରେଣ୍ଟ୍ | | VGS=±25V, VDS= 0V | --- | --- | ±100 | nA |
| Rg | ଫାଟକ ପ୍ରତିରୋଧ | | VDS= 0V, VGS= 0V, f = 1MHz | --- | 3.2 | --- | Ω |
| Qg | ମୋଟ ଗେଟ୍ ଚାର୍ଜ (10V) | VDS= 50V, VGS= 10V, ମୁଁD= 10A | --- | 54 | --- | nC |
| Qgs | ଗେଟ୍-ଉତ୍ସ ଚାର୍ଜ | | --- | 17 | --- | ||
| Qgd | ଗେଟ୍-ଡ୍ରେନ୍ ଚାର୍ଜ | | --- | 11 | --- | ||
| Td (ଅନ୍) | ବିଳମ୍ବ ସମୟ ଟର୍ନ୍ ଅନ୍ | | VDD= 50V, VGS= 10V, RG=1Ω, ଆରଏଲ = 1Ω, IDS = 10A | | --- | 21 | --- | ns |
| Tr | ଉଠିବା ସମୟ | | --- | 18 | --- | ||
| Td (ବନ୍ଦ) | ଟର୍ନ ଅଫ୍ ବିଳମ୍ବ ସମୟ | | --- | 36 | --- | ||
| Tf | ପତନ ସମୟ | | --- | 10 | --- | ||
| Cପ୍ରଦାନ | ଇନପୁଟ୍ କ୍ଷମତା | | VDS= 40V, VGS= 0V, f = 1MHz | --- | 3750 | --- | pF |
| କସ୍ | ଆଉଟପୁଟ୍ କ୍ଷମତା | --- | 395 | --- | ||
| Crss | ଓଲଟା ସ୍ଥାନାନ୍ତର କ୍ଷମତା | | --- | 180 | --- |
